IMZA120R030M1H
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IMZA120R030M1H

CoolSiC ™ 1200 V、30 mΩ SiC 沟槽 MOSFET，采用 TO-247-4 封装
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封装
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IMZA120R030M1H
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商品详情

  • Ciss
    2160 pF
  • Coss
    99 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    70 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    273 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    30 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.55 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    1200 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247-4
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 质量等级
    Industrial

OPN
IMZA120R030M1HXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT,MY
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT,MY
查看产品系列
采用 TO-247-4 封装的 CoolSiC ™ 1200 V、30 mΩ SiC MOSFET 采用最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。与 IGBT 和 MOSFET 等传统硅基开关相比，SiC 功率 MOSFET 具有一系列优势。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。CoolSiC™ MOSFET 单管非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。/>我们的 TO-247 4 针封装 SiC MOSFET 减少了寄生源电感对栅极电路的影响，从而实现了更快的开关和更高的效率。

特性

  • 同类最佳的开关损耗
  • 同类最佳的传导损耗
  • 基准高阈值电压
  • Vth > 4 V
可应用0V关断栅极电压
  • 宽栅极-源极电压范围
  • 用于硬换向的坚固二极管
  • 温度。印第安纳州关断开关损耗
  • .XT互连技术
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