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IPB77N06S2-12

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55 V、N 沟道、最大 11.7 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™
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IPB77N06S2-12
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    77 A
  • IDpuls max
    308 A
  • Ptot max
    158 W
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.7 mΩ
  • RthJC max
    0.95 K/W
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    0.84
OPN
IPB77N06S212ATMA2
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • N沟道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 超低 RDS(on)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 最高电流能力
  • 低开关和传导功率损耗
  • 热效率高
  • 坚固的包装和卓越的品质
  • 优化 Qg tot，更小的驱动器输出

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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