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25V/30V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET

25V/30V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET在待机和满载时的功率密度和能效的标杆

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概述

25V/30V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET，可在待机和满载时达到最高的功率密度和能效。该系列产品拥有 SuperSO8 5x6、PQFN 3.3x3.3、Source-Down PQFN 3.3x3.3、PQFN 2x2 以及 Power Block等封装。

关键特性

  • 同类最佳的 RDS(on)
  • 标杆性的开关性能
  • 符合 RoHS 标准且不含卤素
  • 低栅极电荷
  • 效率最高

产品

关于

面向下一代 DC-DC 应用的新型硅技术

采用 25 V/30 V OptiMOS™ 5 MOSFET 采用新的硅技术，经过优化，完全满足并超越 DC-DC 应用中更严格的新一代电压调节器标准对能效和功率密度的要求。OptiMOS™ 5 产品适用于计算行业中的各种电压调节器，例如服务器、数据通信和专注于英特尔 VR 和 IMVP 平台的客户端。OptiMOS™ 5具有同类最佳的导通电阻和标杆性的开关性能，可优化您的设计，并在总体上降低系统成本。

25 V 和 30 V 的行业最低 Rds(on)

英飞凌 OptiMOS™ 5 的新产品 ISK024NE2LM5 和 ISK036N03LM5 使用PQFN 2x2 封装，以小尺寸提供同类最佳的能效解决方案，使其成为无线充电、负载开关和低功率 DC-DC 等应用的完美解决方案。4 mm² 的占板面积以及出色的电气性能，减小了终端应用的外形尺寸。这些产品针对最高性能和功率密度进行了优化，采用最小的 PQFN 2x2 封装，具有业内最低的 RDS(on)。

效率高，系统成本优化

25V/30 V 的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 拥有 SuperSO8、PQFN 3.3x3.3、以及 PQFN 2x2 封装，符合行业标准封装。10 V时的导通电阻为0.45 mΩ，可在小外形尺寸下实现同类最佳的新产品，从而进一步减少了大功率和高密度设计中的电路板面积。

面向下一代 DC-DC 应用的新型硅技术

采用 25 V/30 V OptiMOS™ 5 MOSFET 采用新的硅技术，经过优化，完全满足并超越 DC-DC 应用中更严格的新一代电压调节器标准对能效和功率密度的要求。OptiMOS™ 5 产品适用于计算行业中的各种电压调节器，例如服务器、数据通信和专注于英特尔 VR 和 IMVP 平台的客户端。OptiMOS™ 5具有同类最佳的导通电阻和标杆性的开关性能，可优化您的设计，并在总体上降低系统成本。

25 V 和 30 V 的行业最低 Rds(on)

英飞凌 OptiMOS™ 5 的新产品 ISK024NE2LM5 和 ISK036N03LM5 使用PQFN 2x2 封装，以小尺寸提供同类最佳的能效解决方案，使其成为无线充电、负载开关和低功率 DC-DC 等应用的完美解决方案。4 mm² 的占板面积以及出色的电气性能，减小了终端应用的外形尺寸。这些产品针对最高性能和功率密度进行了优化，采用最小的 PQFN 2x2 封装，具有业内最低的 RDS(on)。

效率高，系统成本优化

25V/30 V 的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 拥有 SuperSO8、PQFN 3.3x3.3、以及 PQFN 2x2 封装，符合行业标准封装。10 V时的导通电阻为0.45 mΩ，可在小外形尺寸下实现同类最佳的新产品，从而进一步减少了大功率和高密度设计中的电路板面积。

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }