OptiMOS™ 5 25 V and 30 V

概述

25V/30V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET，可在待机和满载时达到最高的功率密度和能效。该系列产品拥有 SuperSO8 5x6、PQFN 3.3x3.3、Source-Down PQFN 3.3x3.3、PQFN 2x2 以及 Power Block等封装。

关于

采用 25 V/30 V OptiMOS™ 5 MOSFET 采用新的硅技术，经过优化，完全满足并超越 DC-DC 应用中更严格的新一代电压调节器标准对能效和功率密度的要求。

OptiMOS™ 5 产品适用于计算行业中的各种电压调节器，例如服务器、数据通信和专注于英特尔 VR 和 IMVP 平台的客户端。

OptiMOS™ 5具有同类最佳的导通电阻和标杆性的开关性能，可优化您的设计，并在总体上降低系统成本。

英飞凌 OptiMOS™ 5 的新产品 ISK024NE2LM5 和 ISK036N03LM5 使用PQFN 2x2 封装，以小尺寸提供同类最佳的能效解决方案，使其成为无线充电、负载开关和低功率 DC-DC 等应用的完美解决方案。

4 mm² 的占板面积以及出色的电气性能，减小了终端应用的外形尺寸。这些产品针对最高性能和功率密度进行了优化，采用最小的 PQFN 2x2 封装，具有业内最低的 RDS(on)。

OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 25 V-30 V，采用 PQFN 3.3x3.3 mm² 和 5x6 mm² Source-Down 封装现在提供 BSC（底部冷却）和 DSC（双面冷却）版本，具有两种不同的占用空间：角栅极和中心栅极版本，后者针对并行化进行了专门优化。

源极朝下封装概念可实现单位面积最低的 R _DS(on)和出色的热性能，为系统级改进带来巨大潜力，例如降低 BOM 成本、简化热管理（减少主动冷却需求）、提高功率密度和效率。

0125V/30V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET满足并超越DC-DC 应用

采用 25 V/30 V OptiMOS™ 5 MOSFET 采用新的硅技术，经过优化，完全满足并超越 DC-DC 应用中更严格的新一代电压调节器标准对能效和功率密度的要求。

OptiMOS™ 5 产品适用于计算行业中的各种电压调节器，例如服务器、数据通信和专注于英特尔 VR 和 IMVP 平台的客户端。

OptiMOS™ 5具有同类最佳的导通电阻和标杆性的开关性能，可优化您的设计，并在总体上降低系统成本。

02PQFN 2x2 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET

0325V/30V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 效率高，系统成本优化