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40 V 和 60 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET

缩小设计体积，提高效率

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概述

AC-DC 设计人员面临着在降低系统成本的同时提高系统效率和功率密度的挑战。英飞凌的 40 V 和 60 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 与其他器件相比，RDS(on) 和品质因数（RDS(on)) x Qg）分别降低了 15% 和 31%，是应对这些挑战的完美答案。

关键特性

  • 最高的系统效率
  • 低开关和导通损耗
  • 极低的电压过冲
  • 可达到 Tjmax：150 °C 和 175°C
  • 需要更少的并联
  • 增加功率密度

产品

关于

40 V 和 60 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET

40 V 和 60 V 范围的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用多种封装，如 DPAK、D2PAK、D2PAK 7 脚、PQFN 2x2、PQFN 3.3x3.3、SuperSO8 5x6、TO-220、TO-220 FullPak、TOLL、TOLG 和 TOLT， 可满足您的设计和空间要求。

OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 175°C：更高的额定温度

OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用最新的技术，并在封装温度方面进行了改进。这种新的组合可实现更高的功率密度和更高的耐用性。

与额定结温较低的器件相比，175°C Tjmax功能要么在更高的工作结温下达到更大的功率，要么在相同的工作结温下实现更长的使用寿命。此外，该器件在安全操作区域（SOA）方面实现了 20% 的扩展。

集成肖特基类二极管的 OptiMOS™

40 V SuperSO8 封装（5x6 mm）的集成肖特基类二极管的 OptiMOS™ 器件可提高效率并大幅降低电压过冲。因此，它减少了对缓冲电路的需求，节省了工程设计的工作量和成本。

40 V 和 60 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET

40 V 和 60 V 范围的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用多种封装，如 DPAK、D2PAK、D2PAK 7 脚、PQFN 2x2、PQFN 3.3x3.3、SuperSO8 5x6、TO-220、TO-220 FullPak、TOLL、TOLG 和 TOLT， 可满足您的设计和空间要求。

OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 175°C：更高的额定温度

OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用最新的技术，并在封装温度方面进行了改进。这种新的组合可实现更高的功率密度和更高的耐用性。

与额定结温较低的器件相比，175°C Tjmax功能要么在更高的工作结温下达到更大的功率，要么在相同的工作结温下实现更长的使用寿命。此外，该器件在安全操作区域（SOA）方面实现了 20% 的扩展。

集成肖特基类二极管的 OptiMOS™

40 V SuperSO8 封装（5x6 mm）的集成肖特基类二极管的 OptiMOS™ 器件可提高效率并大幅降低电压过冲。因此，它减少了对缓冲电路的需求，节省了工程设计的工作量和成本。

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