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适用于电信基础设施的 DC-DC 电源转换
适用于 5G 小型基站和宏基站及其相应子系统的电信电源单元 (PSU) 的 DC-DC 电源转换器解决方案
概述
利用 DC-DC 转换器电路功率半导体解决方案构建更节能的 5G 电信基础设施，并为 AI 集成的更高功率需求做好准备。不管是拓扑、开关配置或半导体材料，您均可从一系列推荐选项中选择最适合您需求的方案。 英飞凌凭借对 Si、SiC 和 GaN 功率半导体的掌握，可以应对任何挑战，帮助您降低电力需求并节省 TCO/OPEX。
产品优势
- 高效率
- 高功率密度
- 高可靠性
- 灵活性和高性能
- 监控和遥测能力
框图
关于
在下面的选项卡中，您可以了解英飞凌为电信基础设施 DC-DC 电源转换器提供和推荐的各种解决方案。 解决方案提供: 高效率、高功率密度、降低维护成本的高可靠性、灵活而高性能的数字控制器、以及详细的监控和遥测能力。
英飞凌全面的电源管理产品组合可为射频功率放大器和基带处理单元提供高效、可靠的电源分配。
我们的产品支持广泛的射频系统电源要求，包括：用于低压数字处理的 12 V 导轨和用于 PA 电源的 17 V 至 52 V 中间总线电压。
为了满足这一需求，英飞凌的产品组合包括：MOSFET、栅极驱动器、数字隔离器、模拟/数字控制器、热插拔和负载开关驱动器/控制器、负载点 (PoL) 控制器、多相控制器和集成功率级。
我们的产品组合为设计人员提供了灵活性，使他们可以为信号路径和 RF PA 电源的中间总线转换器选择最佳转换器拓扑。了解英飞凌的电源管理解决方案如何帮助您优化射频系统设计。
氮化镓 (GaN) FET 的特点是非常低的栅极电荷、以及非常低的单位面积的电阻率。 这使得氮化镓特别适合用于高密度的电信开关电源，它有非常快的开关速度及较低的开关损耗，封装尺寸与同类硅产品相比也非常小。 这种方案提供的极高效率适用于非常小尺寸的应用。
在高开关频率 LLC 设计中与平面变压器技术结合使用时，GaN 是最佳技术选择。绕组电容高意味着绕组电荷高，必须在死区时间内移动才能实现器件的 ZVS。这意味着对所需的磁化电流和死区时间设置的影响。GaN 可以在高开关频率（频率~500kHz）器件损耗与死区时间设置和绕组电容损耗之间实现最佳平衡。
探索英飞凌的 CoolGaN ™产品并体验电力的未来。
在下面的选项卡中，您可以了解英飞凌为电信基础设施 DC-DC 电源转换器提供和推荐的各种解决方案。 解决方案提供: 高效率、高功率密度、降低维护成本的高可靠性、灵活而高性能的数字控制器、以及详细的监控和遥测能力。
英飞凌全面的电源管理产品组合可为射频功率放大器和基带处理单元提供高效、可靠的电源分配。
我们的产品支持广泛的射频系统电源要求，包括：用于低压数字处理的 12 V 导轨和用于 PA 电源的 17 V 至 52 V 中间总线电压。
为了满足这一需求，英飞凌的产品组合包括：MOSFET、栅极驱动器、数字隔离器、模拟/数字控制器、热插拔和负载开关驱动器/控制器、负载点 (PoL) 控制器、多相控制器和集成功率级。
我们的产品组合为设计人员提供了灵活性，使他们可以为信号路径和 RF PA 电源的中间总线转换器选择最佳转换器拓扑。了解英飞凌的电源管理解决方案如何帮助您优化射频系统设计。
氮化镓 (GaN) FET 的特点是非常低的栅极电荷、以及非常低的单位面积的电阻率。 这使得氮化镓特别适合用于高密度的电信开关电源，它有非常快的开关速度及较低的开关损耗，封装尺寸与同类硅产品相比也非常小。 这种方案提供的极高效率适用于非常小尺寸的应用。
在高开关频率 LLC 设计中与平面变压器技术结合使用时，GaN 是最佳技术选择。绕组电容高意味着绕组电荷高，必须在死区时间内移动才能实现器件的 ZVS。这意味着对所需的磁化电流和死区时间设置的影响。GaN 可以在高开关频率（频率~500kHz）器件损耗与死区时间设置和绕组电容损耗之间实现最佳平衡。
探索英飞凌的 CoolGaN ™产品并体验电力的未来。