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氮化镓晶体管（GaN HEMT）

CoolGaN ™晶体管 - 高效常关器件，电压范围从 60 V 到 700 V。

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概述

英飞凌的氮化镓功率晶体管正在推动数字化和脱碳，同时实现高频运行，提高效率并减小消费和工业应用中的系统尺寸。它们的电压等级从 60 V 到 700 V，并有多种封装可供选择。

关键特性

  • 60 V - 700 V GaN 晶体管
  • 顶部和底部冷却封装
  • 超快开关速度
  • 卓越的 FOM
  • 持续电流：4 A - 100 A
  • RDS(on)典型值。从 1.4 mΩ 到 450 mΩ
  • 增强模式（e-mode）
  • 无反向恢复电荷
  • 超低栅极电荷和输出电荷

产品

关于

英飞凌 GaN 晶体管的优势

GaN晶体管凭借其卓越的开关速度，可在广泛的应用中实现高功率密度、减少能量损失并提高效率。这意味着设计师可以创建更小、更轻、更紧凑且性能更高的系统。

与传统Si开关相比，GaN晶体管具有更高的热导率，从而可以实现更好的散热并提高可靠性。CoolGaN ™晶体管设计坚固耐用，可承受高电压尖峰并确保更长的使用寿命。

用于 GaN HEMT 的栅极驱动器 IC

正确的栅极驱动器 IC 是不可避免的，因为它可以帮助设计人员在最大限度地降低成本的同时实现最佳性能。我们广泛的产品组合包括为 GaN 量身定制的单通道和双通道隔离和非隔离栅极驱动器。其中，还有一系列具有真正差分输入的单通道非隔离器件，即EiceDRIVER™ 1EDN TDI 系列。

查看我们的EiceDRIVER™产品组合，了解适合您的 GaN 设计的栅极驱动器 IC。

用于 GaN HEMT 的栅极驱动器 IC
GaN封装

采用 PQFN 3x3 和 PQFN 3x5 封装的 60 V 至 200 V 范围内的产品组合具有 1 级湿度敏感度等级 (MSL)，这使得它们适合标准存储和处理条件。

在高压领域（≥600 V），我们提供各种各样的 SMD 封装，从 TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8 到顶部和底部冷却的 DSO。这些封装可满足不同的设计要求，完美融合了紧凑的尺寸、改进的热性能、成本效益和设计灵活性。

你可知道？

您是否知道，对于我们的 CoolGaN ™晶体管来说，GaN fets、GaN MOSFET、GaN 晶体管和 GaN HEMT 等术语都是可互换的术语，只是技术上略有差异？

对我们的 CoolGaN ™解决方案感兴趣吗？

CoolGaN™ ——为消费、工业和汽车应用提供高效率以及高功率密度的分立和集成解决方案如果您对我们的 CoolGaN ™产品和解决方案感兴趣，请随时联系我们的 GaN 专家。

请与我们联系

英飞凌 GaN 晶体管的优势

GaN晶体管凭借其卓越的开关速度，可在广泛的应用中实现高功率密度、减少能量损失并提高效率。这意味着设计师可以创建更小、更轻、更紧凑且性能更高的系统。

与传统Si开关相比，GaN晶体管具有更高的热导率，从而可以实现更好的散热并提高可靠性。CoolGaN ™晶体管设计坚固耐用，可承受高电压尖峰并确保更长的使用寿命。

用于 GaN HEMT 的栅极驱动器 IC

正确的栅极驱动器 IC 是不可避免的，因为它可以帮助设计人员在最大限度地降低成本的同时实现最佳性能。我们广泛的产品组合包括为 GaN 量身定制的单通道和双通道隔离和非隔离栅极驱动器。其中，还有一系列具有真正差分输入的单通道非隔离器件，即EiceDRIVER™ 1EDN TDI 系列。

查看我们的EiceDRIVER™产品组合，了解适合您的 GaN 设计的栅极驱动器 IC。

用于 GaN HEMT 的栅极驱动器 IC

GaN封装

采用 PQFN 3x3 和 PQFN 3x5 封装的 60 V 至 200 V 范围内的产品组合具有 1 级湿度敏感度等级 (MSL)，这使得它们适合标准存储和处理条件。

在高压领域（≥600 V），我们提供各种各样的 SMD 封装，从 TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8 到顶部和底部冷却的 DSO。这些封装可满足不同的设计要求，完美融合了紧凑的尺寸、改进的热性能、成本效益和设计灵活性。

你可知道？

您是否知道，对于我们的 CoolGaN ™晶体管来说，GaN fets、GaN MOSFET、GaN 晶体管和 GaN HEMT 等术语都是可互换的术语，只是技术上略有差异？

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