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嵌入式闪存 IP 解决方案

高度可靠、低功耗的嵌入式闪存 (eFlash) 存储器解决方案，支持下一代汽车和物联网应用

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概述

嵌入式闪存 (eFlash) 存储器是许多要求低功耗和高可靠性的半导体产品的关键支持技术。例如，微控制器使用 eFlash 存储程序指令（代码）以及执行处理的数据。英飞凌为这些用例许可了某些闪存 IP。请联系我们了解详情。

关键特性

  • SONOS 技术
  • 工业级和汽车级
  • 经济高效的嵌入式 NVM
  • 超低功耗
  • 100K 耐久性
  • 高度可扩展的技术

关于

适用于您的 SoC 的稳健、久经考验和高性能的嵌入式闪存

物联网设备使用嵌入式闪存来实现智能、灵活和安防的产品，这些产品可以无线或OTA更新。带有嵌入式闪存的电子设备支持从智能卡和可穿戴设备到工厂自动化系统和自动驾驶汽车等各种产品。

英飞凌提供SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）闪存技术，可满足从低成本消费类到高性能汽车的应用需求。SONOS技术与CMOS非常兼容，并已集成到代工厂标准的逻辑流程中，同时保留了CMOS设备模型和现有的设计IP。

英飞凌将 SONOS 技术应用于面向消费品、工业和汽车市场的微控制器产品 (MCU)。近二十年来，我们已经出货了数十亿个包含我们嵌入式闪存技术的微控制器，这表明我们的嵌入式闪存解决方案非常稳健且久经考验。而且，英飞凌使我们的嵌入式闪存解决方案可用于第三方公司的许可。

联系我们
适用于低功耗应用的高性价比解决方案

英飞凌的专利专有SONOS嵌入式闪存技术旨在满足经济高效的MCU的低功耗要求。自 2001 年在 350 nm 上推出以来，SONOS 嵌入式闪存取得了进展，现已在各种先进工艺节点上批量生产，包括 130 nm、65 nm、55 nm、40 nm 和 28 nm。

SONOS eFlash 位单元由两个晶体管组成：一个 SONOS（控制栅）和一个MOS（选通栅），并采用低功耗 FN 隧穿机制来实现高效的编程和擦除操作。

英飞凌的SONOS嵌入式闪存宏系列为下一代SoC提供了强大的嵌入式闪存解决方案。这些解决方案具有多种优势、 

  • 额外光罩数量少
  • 25 ns 读取访问时间
  • 节能模式 
  • 宏密度从0.25MB 到 16 MB 不等。
  • 温度范围为 -40°C 至 +125°C（工业 + 和汽车 2 级）
  • 100,000 次写入耐久性循环 
  • 10 年的数据保留
为安防的物联网、智能卡、汽车和人工智能应用提供支持
  • 工艺许可

英飞凌 SONOS 嵌入式闪存工艺技术可许可给代工厂。根据该许可，英飞凌可以传递特定的技术信息，以便能够将嵌入式闪存技术集成到代工厂晶圆制造的特定逻辑或混合信号工艺中，而无需对基础线流程进行任何设计规则或模型更改。

  • 设计创作许可

英飞凌 SONOS 嵌入式闪存设计技术可许可给无晶圆厂半导体公司、IDM 和拥有设计 IP 开发团队的代工厂。根据该许可，英飞凌将传递创建新的嵌入式闪存宏设计所需的设计信息。

  • 设计使用许可证和设计服务

客户可以许可现成的硅验证 SONOS 宏 IP。此选项确立了最快的上市路径。此外，英飞凌拥有一支由经验丰富的工程师组成的团队，致力于提供定制闪存宏设计服务。

全球可用的先进制造

英飞凌 SONOS 嵌入式闪存技术适用于各种技术节点，由 UMC、HLMC、HHGrace 和 SkyWater 提供。请联系我们了解更多详情。

联系我们

适用于您的 SoC 的稳健、久经考验和高性能的嵌入式闪存

物联网设备使用嵌入式闪存来实现智能、灵活和安防的产品，这些产品可以无线或OTA更新。带有嵌入式闪存的电子设备支持从智能卡和可穿戴设备到工厂自动化系统和自动驾驶汽车等各种产品。

英飞凌提供SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）闪存技术，可满足从低成本消费类到高性能汽车的应用需求。SONOS技术与CMOS非常兼容，并已集成到代工厂标准的逻辑流程中，同时保留了CMOS设备模型和现有的设计IP。

英飞凌将 SONOS 技术应用于面向消费品、工业和汽车市场的微控制器产品 (MCU)。近二十年来，我们已经出货了数十亿个包含我们嵌入式闪存技术的微控制器，这表明我们的嵌入式闪存解决方案非常稳健且久经考验。而且，英飞凌使我们的嵌入式闪存解决方案可用于第三方公司的许可。

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适用于低功耗应用的高性价比解决方案

英飞凌的专利专有SONOS嵌入式闪存技术旨在满足经济高效的MCU的低功耗要求。自 2001 年在 350 nm 上推出以来，SONOS 嵌入式闪存取得了进展，现已在各种先进工艺节点上批量生产，包括 130 nm、65 nm、55 nm、40 nm 和 28 nm。

SONOS eFlash 位单元由两个晶体管组成：一个 SONOS（控制栅）和一个MOS（选通栅），并采用低功耗 FN 隧穿机制来实现高效的编程和擦除操作。

英飞凌的SONOS嵌入式闪存宏系列为下一代SoC提供了强大的嵌入式闪存解决方案。这些解决方案具有多种优势、 

  • 额外光罩数量少
  • 25 ns 读取访问时间
  • 节能模式 
  • 宏密度从0.25MB 到 16 MB 不等。
  • 温度范围为 -40°C 至 +125°C（工业 + 和汽车 2 级）
  • 100,000 次写入耐久性循环 
  • 10 年的数据保留

为安防的物联网、智能卡、汽车和人工智能应用提供支持
  • 工艺许可

英飞凌 SONOS 嵌入式闪存工艺技术可许可给代工厂。根据该许可，英飞凌可以传递特定的技术信息，以便能够将嵌入式闪存技术集成到代工厂晶圆制造的特定逻辑或混合信号工艺中，而无需对基础线流程进行任何设计规则或模型更改。

  • 设计创作许可

英飞凌 SONOS 嵌入式闪存设计技术可许可给无晶圆厂半导体公司、IDM 和拥有设计 IP 开发团队的代工厂。根据该许可，英飞凌将传递创建新的嵌入式闪存宏设计所需的设计信息。

  • 设计使用许可证和设计服务

客户可以许可现成的硅验证 SONOS 宏 IP。此选项确立了最快的上市路径。此外，英飞凌拥有一支由经验丰富的工程师组成的团队，致力于提供定制闪存宏设计服务。

全球可用的先进制造

英飞凌 SONOS 嵌入式闪存技术适用于各种技术节点，由 UMC、HLMC、HHGrace 和 SkyWater 提供。请联系我们了解更多详情。

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