这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V G5 和 G6

高效率和高性价比

anchor

概述

英飞凌 CoolSiC™肖特基二极管 650 V 产品，利用先进的碳化硅生产设施、良好的业绩记录、最高的质量和非常精细的产品组合，提供高性价比。 最新的 CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V G6 产品系列是第 5 代的继任者，作为英飞凌 600 V 和 650 V CoolMOS™ 7 超结 MOSFET 系列的补充，提供更高的系统效率。

关键特性

  • 最低 VF=1.25 V (G6)
  • 同类最佳（Qc x VF）
  • 不含反向恢复电荷
  • 高 dV 和 dt 耐用性

产品系列对比

产品

关于

高效率和高性价比

凭借更紧凑的设计和薄晶圆技术，第 5 代和第 6 代 CoolSiC™ 肖特基二极管补充了我们的 650 V CoolMOS™ 超结 MOSFET 系列，满足了 650 V 解决方案的应用要求。 与硅二极管替代品相比，CoolSiC™ 肖特基二极管 G5 和 G6 的效率更高。

最新的 CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V G6 产品系列是第 5 代的后继产品，具有更高的系统效率，是对英飞凌 600 V 和 650 V CoolMOS™ 7 超结 MOSFET 系列的补充。

该系列产品在所有负载条件下都具有更高的效率

CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V G6 作为英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的领先技术，充分利用了碳化硅相对于硅的所有优势。 英飞凌专有的创新焊接工艺与更紧凑的设计、薄晶圆技术，以及全新的肖特基金属系统相结合。 结果是该系列产品在所有负载条件下都具有更高的效率，这得益于同类最佳的品质因数（Qc x VF）。 CoolSiC™ G6 二极管是对英飞凌 CoolMOS™ 7和 CoolSiC™ 系列的补充，可满足高达650 V 电压范围内最严格的应用要求。

提高了系统效率、系统功率密度和安静的开关

最低的 VF：1.25 V 可提高电信和服务器在所有负载条件下的系统效率。

同类最佳的品质因数（Qc x VF）提高了太阳能系统的功率密度。

无需反向恢复电荷，可以降低冷却要求并提高电脑电源的系统可靠性。

高达 175 度的、与温度无关的开关行为，便于极快地开关照明设备、电视和驱动器。

高效率和高性价比

凭借更紧凑的设计和薄晶圆技术，第 5 代和第 6 代 CoolSiC™ 肖特基二极管补充了我们的 650 V CoolMOS™ 超结 MOSFET 系列，满足了 650 V 解决方案的应用要求。 与硅二极管替代品相比，CoolSiC™ 肖特基二极管 G5 和 G6 的效率更高。

最新的 CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V G6 产品系列是第 5 代的后继产品，具有更高的系统效率，是对英飞凌 600 V 和 650 V CoolMOS™ 7 超结 MOSFET 系列的补充。

该系列产品在所有负载条件下都具有更高的效率

CoolSiC™ 肖特基二极管 650 V G6 作为英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的领先技术，充分利用了碳化硅相对于硅的所有优势。 英飞凌专有的创新焊接工艺与更紧凑的设计、薄晶圆技术，以及全新的肖特基金属系统相结合。 结果是该系列产品在所有负载条件下都具有更高的效率，这得益于同类最佳的品质因数（Qc x VF）。 CoolSiC™ G6 二极管是对英飞凌 CoolMOS™ 7和 CoolSiC™ 系列的补充，可满足高达650 V 电压范围内最严格的应用要求。

提高了系统效率、系统功率密度和安静的开关

最低的 VF：1.25 V 可提高电信和服务器在所有负载条件下的系统效率。

同类最佳的品质因数（Qc x VF）提高了太阳能系统的功率密度。

无需反向恢复电荷，可以降低冷却要求并提高电脑电源的系统可靠性。

高达 175 度的、与温度无关的开关行为，便于极快地开关照明设备、电视和驱动器。

文档

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }