碳化硅 MOSFET 裸片

CoolSiC™ MOSFET 芯片技术，提供多种尺寸和布局选择

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概述

用于汽车逆变器的英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 裸片使设计人员能够充分利用效率和功率密度。它们通过在更高的温度和开关频率下运行来提高系统效率。产品提供 750V 和 1200V 两种电压规格，采用角部栅极与中心栅极两种布局，芯片尺寸可覆盖 7-11mΩ 的导通电阻范围。凭借先进的沟槽设计，器件具有卓越的栅氧化层可靠性以及更低的开关损耗，同时支持多种金属堆叠方案，可适配多种封装方式。

关键特性

  • 高效率和高功率密度
  • 提供角部栅极与中心栅极两种布局
  • 多种金属堆叠方案
  • 最先进的沟槽设计
  • 标准电压等级：750 V 和 1200 V
  • 覆盖 7-11 mΩ RDS(on) 的芯片尺寸
  • 卓越的栅氧化层可靠性

产品

关于

碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 裸片

英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 裸片系列适用于汽车逆变器应用，使设计人员能够充分发挥其在效率和功率密度方面的潜力。当使用碳化硅（SiC）半导体作为开关时，可实现更高的工作温度和开关频率，从而提高整个系统的效率。英飞凌的碳化硅裸片提供 750 V 和 1200 V 标准电压等级。设计人员可以选择角部栅极和中部栅极布局方案，芯片导通电阻范围 7 mΩ - 11 mΩ。产品提供多种金属叠层配置，以适配各类连接方式。

由于采用了最先进的沟槽设计，SiC MOSFET 裸片具有卓越的栅氧化可靠性，开关和导通损耗均达到一流水平。

主要优势

最佳性能：

  • CoolSiC™ 沟槽技术
  • 同类最佳 RDS(on) x 面积
  • 更高的效率
  • 工作温度最高可达 200 摄氏度

领先的质量

  • 低 CoolSiC™ 失效率（FIT）
  • 专属汽车应用开发
  • 延长验证周期
  • 并联应用参数离散度极低
  • 已实施已知良品裸片测试
适用于汽车逆变器应用

英飞凌向汽车行业提供 CoolSiC™ MOSFET 裸片系列，用于混合动力和电动汽车的牵引逆变器。牵引变流器中的开关用于将高压电池中的直流电转换为交流电，供电机使用。

碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 裸片

英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 裸片系列适用于汽车逆变器应用，使设计人员能够充分发挥其在效率和功率密度方面的潜力。当使用碳化硅（SiC）半导体作为开关时，可实现更高的工作温度和开关频率，从而提高整个系统的效率。英飞凌的碳化硅裸片提供 750 V 和 1200 V 标准电压等级。设计人员可以选择角部栅极和中部栅极布局方案，芯片导通电阻范围 7 mΩ - 11 mΩ。产品提供多种金属叠层配置，以适配各类连接方式。

由于采用了最先进的沟槽设计，SiC MOSFET 裸片具有卓越的栅氧化可靠性，开关和导通损耗均达到一流水平。

主要优势

最佳性能：

  • CoolSiC™ 沟槽技术
  • 同类最佳 RDS(on) x 面积
  • 更高的效率
  • 工作温度最高可达 200 摄氏度

领先的质量

  • 低 CoolSiC™ 失效率（FIT）
  • 专属汽车应用开发
  • 延长验证周期
  • 并联应用参数离散度极低
  • 已实施已知良品裸片测试

适用于汽车逆变器应用

英飞凌向汽车行业提供 CoolSiC™ MOSFET 裸片系列，用于混合动力和电动汽车的牵引逆变器。牵引变流器中的开关用于将高压电池中的直流电转换为交流电，供电机使用。

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "咨询社区 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }