N 沟道功率 MOSFET

一流的 MOSFET 所带来的优势 - OptiMOS™ 和 StrongIRFET™（中低压功率 MOSFET）以及 CoolMOS™（高压功率 MOSFET）

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关于

了解关于 N 沟道功率 MOSFET 的更多信息

当 RDS(on) 相同时， N 沟道 MOSFET 中的载流子迁移率大约是 P 沟道的两到三倍，而尺寸却小得多。因此，N 沟道 MOSFET 非常适合大电流应用。

英飞凌的 N 沟道 MOSFET 产品组合可靠性好、性能优、效率高。OptiMOS™ 、StrongIRFET™ 和 CoolMOS™ 产品系列是行业内最全面的 MOSFET 产品组合。 

从英飞凌的 N 沟道功率 MOSFET 产品组合中选购您的理想器件。

N 沟道产品组合

英飞凌全系列的 N 沟道功率 MOSFET 在性能上树立了清晰的标杆，为各种应用场景打造了合适的方案。

  • OptiMOS™ 和 StrongIRFET™： 低压和中压功率 MOSFET（12 V 至 250 V 和 300 V）
  • CoolMOS™：高压功率 MOSFET（500 V 至 900 V）

英飞凌提供先进的设计和仿真工具，可轻松将这些产品集成到各种应用中，并降低设计成本和时间。英飞凌的 N 沟道功率 MOSFET 符合 JEDEC 和 ISO 9001 等最高质量标准。 

此外，汽车级 MOSFET 产品组合拥有出色的开关性能、热性能、导通电阻以及有口皆碑的质量和坚固的封装，确保了产品的卓越性能。

我们提供各种封装，为您的设计搭配合适的 N 沟道功率 MOSFET。

节省空间的封装：OptiMOS™ 和 StrongIRFET™
低功耗和高功率封装： CoolMOS™
OptiMOS™ 功率 MOSFET

OptiMOS™ N 沟道功率 MOSFET 针对高开关频率进行了优化，可提高效率和功率密度。OptiMOS™ 产品具有超低的 RDS(on)和业界最佳的功耗比（FOM），可提供无与伦比的性能、质量和成本效益。

了解英飞凌同类最佳的 OptiMOS™ MOSFET，在要求苛刻的应用中实现行业领先的效率。

了解关于 OptiMOS™ 系列的更多信息
StrongIRFET™ 功率场效应管

StrongIRFET™ 和 StrongIRFET™ 2 N 沟道功率 MOSFET 的设计旨在增加稳健性，同时实现出色的性价比。

这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。StrongIRFET™ 产品系列以能够满足行业领先的质量和性能要求而著称。

英飞凌的 StrongIRFET™ MOSFET 产品以其无与伦比的性能、质量和坚固性，使您的设计如虎添翼。

了解我们的 StrongIRFET™ 产品组合
了解我们的 StrongIRFET™ 2 产品组合
CoolMOS™ N 沟道场效应管

CoolMOS™ N 沟道 MOSFET 产品可为从低功率到高功率的各种应用提供一流的性能。作为超结（SJ）技术的先驱，英飞凌在十多年间创造了卓越成就，并不断创新，提供更快、更高效的芯片和封装。 

通过汽车认证的超结 MOSFET 可实现行业领先的现场可靠性，并且大多数产品超过了 AEC-Q101 认证要求。

使用 CoolMOS™ 产品组合释放您设计的全部潜能。

了解有关 CoolMOS™ 的更多信息
汽车应用

N 沟道 MOSFET 的独特性能，非常适合电力驱动和电机、座椅调节和天窗功能等各种汽车应用。英飞凌的汽车级 N 沟道功率 MOSFET 系列采用出色的 RDS(on) 和坚固的封装，超越了 AEC-Q101 的认证要求。

600 V、650 V 和 800 V 的 N 沟道功率 MOSFET 设计更为紧凑，性能更加出色，非常适合用于汽车应用领域。

进一步了解英飞凌汽车级 MOSFET

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当 RDS(on) 相同时， N 沟道 MOSFET 中的载流子迁移率大约是 P 沟道的两到三倍，而尺寸却小得多。因此，N 沟道 MOSFET 非常适合大电流应用。

英飞凌的 N 沟道 MOSFET 产品组合可靠性好、性能优、效率高。OptiMOS™ 、StrongIRFET™ 和 CoolMOS™ 产品系列是行业内最全面的 MOSFET 产品组合。 

从英飞凌的 N 沟道功率 MOSFET 产品组合中选购您的理想器件。

N 沟道产品组合

英飞凌全系列的 N 沟道功率 MOSFET 在性能上树立了清晰的标杆，为各种应用场景打造了合适的方案。

  • OptiMOS™ 和 StrongIRFET™： 低压和中压功率 MOSFET（12 V 至 250 V 和 300 V）
  • CoolMOS™：高压功率 MOSFET（500 V 至 900 V）

英飞凌提供先进的设计和仿真工具，可轻松将这些产品集成到各种应用中，并降低设计成本和时间。英飞凌的 N 沟道功率 MOSFET 符合 JEDEC 和 ISO 9001 等最高质量标准。 

此外，汽车级 MOSFET 产品组合拥有出色的开关性能、热性能、导通电阻以及有口皆碑的质量和坚固的封装，确保了产品的卓越性能。

我们提供各种封装，为您的设计搭配合适的 N 沟道功率 MOSFET。

节省空间的封装：OptiMOS™ 和 StrongIRFET™
低功耗和高功率封装： CoolMOS™

OptiMOS™ 功率 MOSFET

OptiMOS™ N 沟道功率 MOSFET 针对高开关频率进行了优化，可提高效率和功率密度。OptiMOS™ 产品具有超低的 RDS(on)和业界最佳的功耗比（FOM），可提供无与伦比的性能、质量和成本效益。

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StrongIRFET™ 功率场效应管

StrongIRFET™ 和 StrongIRFET™ 2 N 沟道功率 MOSFET 的设计旨在增加稳健性，同时实现出色的性价比。

这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。StrongIRFET™ 产品系列以能够满足行业领先的质量和性能要求而著称。

英飞凌的 StrongIRFET™ MOSFET 产品以其无与伦比的性能、质量和坚固性，使您的设计如虎添翼。

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CoolMOS™ N 沟道场效应管

CoolMOS™ N 沟道 MOSFET 产品可为从低功率到高功率的各种应用提供一流的性能。作为超结（SJ）技术的先驱，英飞凌在十多年间创造了卓越成就，并不断创新，提供更快、更高效的芯片和封装。 

通过汽车认证的超结 MOSFET 可实现行业领先的现场可靠性，并且大多数产品超过了 AEC-Q101 认证要求。

使用 CoolMOS™ 产品组合释放您设计的全部潜能。

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汽车应用

N 沟道 MOSFET 的独特性能，非常适合电力驱动和电机、座椅调节和天窗功能等各种汽车应用。英飞凌的汽车级 N 沟道功率 MOSFET 系列采用出色的 RDS(on) 和坚固的封装，超越了 AEC-Q101 的认证要求。

600 V、650 V 和 800 V 的 N 沟道功率 MOSFET 设计更为紧凑，性能更加出色，非常适合用于汽车应用领域。

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