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45 V - 80 V N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ N 沟道功率 MOSFET 45 V - 80 V

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概述

英飞凌 45 V - 80 V N沟道 MOSFET 产品组合包括用于低、中、高功率应用的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 技术。

关键特性

  • 超低 RDS(on)
  • 高载流能力
  • 有各种封装可供选择
  • 节省空间的封装
  • 高功率密度

产品

关于

45 V - 80 V N 沟道产品组合

英飞凌多种在 45 V-80 V 范围内的 N 沟道 MOSFET 产品组合，可以满足您的工业和汽车应用需求。英飞凌的产品包括 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 硅芯片技术，可满足低开关频率和高开关频率的要求。该产品系列提供表面贴装和通孔设备，可满足所有功率需求。

此外，英飞凌还提供各种功能强大且节省空间的 N 沟道 MOSFET，包括采用 SO8 封装的双通道和单 N 沟道功率 MOSFET。

OptiMOS™ 60 V N 沟道 MOSFET

AC-DC 设计人员面临的一个常见挑战是如何在降低成本的同时提高系统效率和功率密度。与其他器件相比，英飞凌的OptiMOS™ 5 60 V 产品组合的漏源导通电阻 (R DS(on) ) 降低了 15%，品质因数 (R DS(on) x Q g ) 降低了 31%，为该问题提供了完美的解决方案。

除了OptiMOS™ 5 60 V N 沟道 MOSFET 具有更高的开关频率之外，该系列还具有更高的效率，并显著降低了电压过冲，从而减少了对缓冲电路的需求并节省了工程工作量和成本。

由于这些产品针对同步整流进行了优化，因此它们非常适合开关模式电源 (SMPS)，以及电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器等广泛的工业应用。

OptiMOS™ 60 V N 沟道 MOSFET
StrongIRFET™ 60 V N 沟道 MOSFET

StrongIRFET™ 60 V MOSFET 产品组合专为各种工业应用而设计，具有超低导通状态电阻 RDS(on)、高载流能力，并改善了低频应用的性能。该产品系列中的每个器件都经过 100% 雪崩测试，具有业界最高的雪崩电流水平，确保为要求苛刻的工业应用提供最强大的解决方案。这些器件采用通孔和表面贴装封装。

StrongIRFET™ 60 V N 沟道 MOSFET
逻辑电平 MOSFET

英飞凌的 60 V 和 80 V 逻辑电平 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 非常适合无线充电、适配器和电信应用。得益于低栅极电荷 (Qg)，可在不影响导通损耗的情况下降低开关损耗。这些改进的性能系数允许装置在高开关频率下运行。OptiMOS™ 5 和 IR MOSFET™ 逻辑电平产品还提供 100 V 电压等级。

逻辑电平 MOSFET
OptiMOS™ 80 V N 沟道 MOSFET

作为行业领先者，英飞凌的OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET 封装产品组合专为电信和服务器电源应用以及太阳能、低压驱动器和笔记本电脑适配器中的同步整流而设计。

与上一代产品相比， OptiMOS™ 5 80 V MOSFET 的 RDS(on) 降低了 43%，并且还提供 100 V 电压等级。

OptiMOS™ 80 V N 沟道 MOSFET
汽车电子应用

英飞凌提供大量符合汽车标准的、电压在 12 V - 40 V 范围内的 N 沟道 MOSFET 产品组合。要了解更多信息，请访问我们的汽车 MOSFET 页面。

进一步了解

45 V - 80 V N 沟道产品组合

英飞凌多种在 45 V-80 V 范围内的 N 沟道 MOSFET 产品组合，可以满足您的工业和汽车应用需求。英飞凌的产品包括 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 硅芯片技术，可满足低开关频率和高开关频率的要求。该产品系列提供表面贴装和通孔设备，可满足所有功率需求。

此外，英飞凌还提供各种功能强大且节省空间的 N 沟道 MOSFET，包括采用 SO8 封装的双通道和单 N 沟道功率 MOSFET。

OptiMOS™ 60 V N 沟道 MOSFET

AC-DC 设计人员面临的一个常见挑战是如何在降低成本的同时提高系统效率和功率密度。与其他器件相比，英飞凌的OptiMOS™ 5 60 V 产品组合的漏源导通电阻 (R DS(on) ) 降低了 15%，品质因数 (R DS(on) x Q g ) 降低了 31%，为该问题提供了完美的解决方案。

除了OptiMOS™ 5 60 V N 沟道 MOSFET 具有更高的开关频率之外，该系列还具有更高的效率，并显著降低了电压过冲，从而减少了对缓冲电路的需求并节省了工程工作量和成本。

由于这些产品针对同步整流进行了优化，因此它们非常适合开关模式电源 (SMPS)，以及电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器等广泛的工业应用。

OptiMOS™ 60 V N 沟道 MOSFET

StrongIRFET™ 60 V N 沟道 MOSFET

StrongIRFET™ 60 V MOSFET 产品组合专为各种工业应用而设计，具有超低导通状态电阻 RDS(on)、高载流能力，并改善了低频应用的性能。该产品系列中的每个器件都经过 100% 雪崩测试，具有业界最高的雪崩电流水平，确保为要求苛刻的工业应用提供最强大的解决方案。这些器件采用通孔和表面贴装封装。

StrongIRFET™ 60 V N 沟道 MOSFET

逻辑电平 MOSFET

英飞凌的 60 V 和 80 V 逻辑电平 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 非常适合无线充电、适配器和电信应用。得益于低栅极电荷 (Qg)，可在不影响导通损耗的情况下降低开关损耗。这些改进的性能系数允许装置在高开关频率下运行。OptiMOS™ 5 和 IR MOSFET™ 逻辑电平产品还提供 100 V 电压等级。

逻辑电平 MOSFET

OptiMOS™ 80 V N 沟道 MOSFET

作为行业领先者，英飞凌的OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET 封装产品组合专为电信和服务器电源应用以及太阳能、低压驱动器和笔记本电脑适配器中的同步整流而设计。

与上一代产品相比， OptiMOS™ 5 80 V MOSFET 的 RDS(on) 降低了 43%，并且还提供 100 V 电压等级。

OptiMOS™ 80 V N 沟道 MOSFET

汽车电子应用

英飞凌提供大量符合汽车标准的、电压在 12 V - 40 V 范围内的 N 沟道 MOSFET 产品组合。要了解更多信息，请访问我们的汽车 MOSFET 页面。

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }