作为一流的功率器件供应商,我们在碳化硅 (SiC) 技术开发开发领域拥有 20 多年的丰富经验,能够满足更智能、更高效的能源生产、传输和消费的需求。我们的专家了解如何降低系统复杂性,从而降低中高功率系统的系统成本和体积。

我们的产品种类繁多,符合最高质量标准,可确保较长的系统使用寿命和可靠性。英飞凌拥有完整的供应链,可为 Si、GaN 和 SiC 提供无偏见的设计支持。

英飞凌是值得信赖的碳化硅供应商,无论您的设计和系统要求如何,英飞凌都是您值得信赖的革命者。

CoolSiC™ JFET

选择英飞凌的 CoolSiC™ JFET 技术,客户就成为了塑造电力电子未来的革命的一部分。

宽禁带开发人员论坛 2026

我们的论坛直播是一整天的活动,从欧洲中部时间的上午 9 点开始。您可以免费参加。

我们不断在现有的硅产品系列中添加基于 SiC 产品,包括采用沟槽技术的革命性 CoolSiC™ MOSFET。如今,我们提供业内最全面的功率产品组合之一--从超低压到高压功率器件。

我们不仅确保提供最合适的解决方案,还不遗余力地优化基于碳化硅的产品,以满足特定的应用要求。鉴于使用隔离栅极输出部分可以更轻松地处理CoolSiC™ MOSFET 等超快速开关功率晶体管,我们为客户提供基于我们无芯变压器技术的完美匹配的电气隔离EiceDRIVER™栅极驱动器 IC。

近年来,我们生产了数百万个混合模块(快速硅基开关与CoolSiC™肖特基二极管的组合),积累了巨大的专业知识和产能,进一步巩固了我们的技术领先地位。

了解新型 CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽 MOSFET 如何将 SiC 性能提升到一个新水平,同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准: AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源、电机驱动等众多应用中,SiC MOSFET 都能提供比 Si 替代品更高的性能。

碳化硅如何推动铁路技术发展 | 专家问答

碳化硅能否推动轨道交通领域的创新?

在本期 "专家问答 "节目中,我们的专家 Sebastian 将介绍碳化硅如何实现更高效、更紧凑的牵引变流器,从而支持轨道交通的电气化和去碳化。

二十多年来,英飞凌一直走在开发解决方案的前沿,以满足节能、减小尺寸、系统集成和提高产品可靠性的需求。其中最具革命性的发展是在一些设备中使用碳化硅作为主要化合物。英飞凌是全球首家 SiC 分立式功率器件供应商。它是全球碳化硅技术和商业化的先驱。在本次培训中,我们将介绍英飞凌在该领域开发的最成功的解决方案之一。

二十多年来,英飞凌一直走在开发解决方案的前沿,以满足节能、减小尺寸、系统集成和提高产品可靠性的需求。其中最具革命性的发展是在一些设备中使用碳化硅作为主要化合物。英飞凌是全球首家 SiC 分立式功率器件供应商。它是全球碳化硅技术和商业化的先驱。在本次培训中,我们将介绍英飞凌在该领域开发的最成功的解决方案之一。

为了引领向可持续能源生产和消费的转变,您知道碳化硅技术是解决该方向关键市场趋势的战略核心。为此,以下是您应该选择英飞凌 SiC 器件的五个理由。

该视频从客户的视角重点介绍了CoolSiC™的优势。通过 alpitronic、Tritium、Lite-On、Siemens Mobility 和 Fronius 的推荐,我们了解到 SiC 如何推动能源生产、存储和消费领域的创新。

在本培训中,我们将重点讨论优化直流母线对 SiC Easy 模块的重要性,探讨直流链路中寄生元件的重要影响,并深入探讨将直流母线连接到 Easy 模块的关键注意事项。

为了利用 SiC MOSFET 实现最大的系统效益,建议将英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 与英飞凌的EiceDRIVER™栅极驱动器 IC 配合使用,以充分发挥 SiC 技术的优势。提高效率、节省空间和重量、减少零件数量和提高系统可靠性,这些都将带来积极的影响。

客户可以选择不同类型的EiceDRIVER™栅极驱动器,包括:

  • 单通道高边紧凑型栅极驱动器
  • 单通道和双通道输出增强型驱动器,带短路保护功能
  • 速率可控制的高边驱动器,满足最苛刻的要求
历史年表
附加文件