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抗辐射整流二极管

提高航天器总线平台和有效载荷的开关稳压器和电源效率

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概述

英飞凌的 IR HiRel 抗辐射同步整流二极管结合了我们业界领先的抗辐射 N 沟道功率 MOSFET 和肖特基二极管，是一种体积小，效率高的解决方案，适用于开关稳压器和电源管理应用。

关键特性

  • 低导通损耗
  • 低开关损耗
  • 可承受100krad (Si)的总电离剂量
  • 可承受单粒子事件效应

产品

关于

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的 IR HiRel 抗辐射整流二极管配备了我们业界领先的抗辐射 N 沟道功率 MOSFET，这些功率 MOSFET 经过测试以验证其抗辐射性能。该测试项目以 MIL-PRF-19500 文件和相关的标准所列出的要求为基础。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。同时，经过大量的单粒子事件效应（SEE）测试，性能稳健性得到了验证。

适用于空间和卫星应用的抗辐射电源解决方案

英飞凌的抗辐射功率电子器件用于卫星总线平台和有效载荷，以改善空间电力系统的尺寸、效率和功率密度。英飞凌的抗辐射电源管理和功率转换产品组合已通过 ESA 和 DLA 的标准认证，以其卓越的性能、可靠性、耐用性、以及世界一流的设计传统而享誉全球。我们的设计、运营和质量体系超越了军用标准。英飞凌拥有空间专用的半导体产品，满足商用电子器件无法达到的要求。

万千项目，深耕空间行业数十年

英飞凌的抗辐射功率电子器件用于卫星总线平台和有效载荷，以改善空间电力系统的尺寸、效率和功率密度。英飞凌的抗辐射电源管理和功率转换产品组合已通过 ESA 和 DLA 的标准认证，以其卓越的性能、可靠性、耐用性、以及世界一流的设计传统而享誉全球。我们的设计、运营和质量体系超越了军用标准。英飞凌拥有空间专用的半导体产品，满足商用电子器件无法达到的要求。

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的 IR HiRel 抗辐射整流二极管配备了我们业界领先的抗辐射 N 沟道功率 MOSFET，这些功率 MOSFET 经过测试以验证其抗辐射性能。该测试项目以 MIL-PRF-19500 文件和相关的标准所列出的要求为基础。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。同时，经过大量的单粒子事件效应（SEE）测试，性能稳健性得到了验证。

适用于空间和卫星应用的抗辐射电源解决方案

英飞凌的抗辐射功率电子器件用于卫星总线平台和有效载荷，以改善空间电力系统的尺寸、效率和功率密度。英飞凌的抗辐射电源管理和功率转换产品组合已通过 ESA 和 DLA 的标准认证，以其卓越的性能、可靠性、耐用性、以及世界一流的设计传统而享誉全球。我们的设计、运营和质量体系超越了军用标准。英飞凌拥有空间专用的半导体产品，满足商用电子器件无法达到的要求。

万千项目，深耕空间行业数十年

英飞凌的抗辐射功率电子器件用于卫星总线平台和有效载荷，以改善空间电力系统的尺寸、效率和功率密度。英飞凌的抗辐射电源管理和功率转换产品组合已通过 ESA 和 DLA 的标准认证，以其卓越的性能、可靠性、耐用性、以及世界一流的设计传统而享誉全球。我们的设计、运营和质量体系超越了军用标准。英飞凌拥有空间专用的半导体产品，满足商用电子器件无法达到的要求。

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