这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

GaN双向开关

CoolGaN ™双向开关 (BDS)

link

关于

CoolGaN ™ BDS 650 V G5 包含真正的常关单片 GaN 双向开关，具有四种操作模式。每个器件都具有两个带有衬底端子和独立隔离控制的独立栅极，从而允许采用共漏极配置，利用相同的漂移区来阻止两个方向的电压和电流。

通过用一个双向开关替换两个或四个单向开关，设计人员可以显著节省成本，同时实现更高的开关频率和更高的性能。借助 CoolGaN ™ BDS 650 V G5，针对太阳能微逆变器、电机驱动器、AI 服务器或电信 SMPS 的应用可以从提高的效率、密度和可靠性中受益。

CoolGaN ™ BDS 40 V G3 系列符合 JEDEC 认证，非常适合智能手机 USB 端口的过压保护 (OVP)，也可用作消费电子产品中的电池断路开关。与传统的硅基解决方案相比，40 V GaN 双向开关采用更小的封装，节省了宝贵的 PCB 空间，同时将功率损耗降低 50% 以上。事实上，在 25°C 时，它可以节省 72 mW 的功率损耗，在高温下节省的功率甚至更大。

这款 e-mode 常关双向晶体管采用极小的 WL-CSP 封装，典型 RDS(on) 值为 4 mΩ、6 mΩ 和 9 mΩ，是背靠背 Si FET 的理想替代方案，可节省 50% - 75% 的 PCB 面积、减少功率损耗并降低成本。

CoolGaN ™ BDS HV 是一款改变游戏规则的电源开关，拥有四个有源端子和一个额外的基板端子。与传统的三端单向开关 (UDS) 不同，BDS 提供四种操作模式：两种传统的开/关模式和两种二极管模式。在这些二极管模式下，可以主动控制开关，使其像二极管一样工作，阻断两个方向的电压。这种前所未有的控制和灵活性为电力系统设计开辟了新的可能性。

CoolGaN ™ MV BDS 可以主动阻断双向电压和电流。两种操作模式分别是导通状态下的双向电流流动，以及关断状态下的双向电流和电压阻断。CoolGaN ™ MV BDS 是一个静态开关，其中心有一个合并源，可实现最佳 R DD(on) *A。

CoolGaN ™ BDS 650 V G5 包含真正的常关单片 GaN 双向开关，具有四种操作模式。每个器件都具有两个带有衬底端子和独立隔离控制的独立栅极，从而允许采用共漏极配置，利用相同的漂移区来阻止两个方向的电压和电流。

通过用一个双向开关替换两个或四个单向开关，设计人员可以显著节省成本，同时实现更高的开关频率和更高的性能。借助 CoolGaN ™ BDS 650 V G5，针对太阳能微逆变器、电机驱动器、AI 服务器或电信 SMPS 的应用可以从提高的效率、密度和可靠性中受益。

CoolGaN ™ BDS 40 V G3 系列符合 JEDEC 认证，非常适合智能手机 USB 端口的过压保护 (OVP)，也可用作消费电子产品中的电池断路开关。与传统的硅基解决方案相比，40 V GaN 双向开关采用更小的封装，节省了宝贵的 PCB 空间，同时将功率损耗降低 50% 以上。事实上，在 25°C 时，它可以节省 72 mW 的功率损耗，在高温下节省的功率甚至更大。

这款 e-mode 常关双向晶体管采用极小的 WL-CSP 封装，典型 RDS(on) 值为 4 mΩ、6 mΩ 和 9 mΩ，是背靠背 Si FET 的理想替代方案，可节省 50% - 75% 的 PCB 面积、减少功率损耗并降低成本。

CoolGaN ™ BDS HV 是一款改变游戏规则的电源开关，拥有四个有源端子和一个额外的基板端子。与传统的三端单向开关 (UDS) 不同，BDS 提供四种操作模式：两种传统的开/关模式和两种二极管模式。在这些二极管模式下，可以主动控制开关，使其像二极管一样工作，阻断两个方向的电压。这种前所未有的控制和灵活性为电力系统设计开辟了新的可能性。

CoolGaN ™ MV BDS 可以主动阻断双向电压和电流。两种操作模式分别是导通状态下的双向电流流动，以及关断状态下的双向电流和电压阻断。CoolGaN ™ MV BDS 是一个静态开关，其中心有一个合并源，可实现最佳 R DD(on) *A。

文档

文档