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碳化硅 CoolSiC™ MOSFET

碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 解决方案是迈向智能能源世界的下一个重要步骤

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关于

碳化硅CoolSiC™ MOSFET 介绍

基于量产经验和兼容性知识，我们推出了革命性的 CoolSiC™ MOSFET 技术，实现了全新的产品设计。与 IGBT 和 MOSFET 等传统硅基开关相比，SiC 功率 MOSFET 具有一系列优势。SiC CoolSiC™ MOSFET 技术为系统设计人员提供了最佳的性能、可靠性和易用性。碳化硅功率晶体管为设计人员带来了新的灵活性，使他们能够利用前所未有的效率和可靠性水平。高压 CoolSiC™ MOSFET 技术在反向恢复特性方面也取得了令人瞩目的改进。

英飞凌的 SiC CoolSiC™ MOSFET 具有高效率和高可靠性。我们的产品范围包括650 V、1200 V、1700 V 和 2000 V 电压等级的分立封装产品以及模块产品。SiC MOSFET 电源模块采用 three-level, fourpack, half-bridge, sixpack, and booster配置。

碳化硅 CoolSiC™ MOSFET的亮点

CoolSiC™ MOSFET 具有一系列优点。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。英飞凌独特的CoolSiC™ MOSFET 还具有以下额外优势：

这些坚固耐用的器件采用最先进的沟槽设计，具有出色的栅极氧化物可靠性、同类最佳的开关和导通损耗、最高的跨导值（增益）、Vth = 4 V 的阈值电压和短路鲁棒性。这是一场你可以信赖的革命。所有这些造就了强大的 SiC MOSFET 技术，非常适合 LLC 和 ZVS 等硬开关和谐振开关拓扑，可以像 IGBT 或 MOSFET 一样通过易于使用的驱动器进行驱动。在高开关频率下提供最高效率，从而可以减小系统尺寸、提高功率密度并提高终身可靠性。

优点、功能和应用

SiC CoolSiC™ MOSFET 具有最高的效率，可减少冷却工作量、延长使用寿命和提高可靠性。更高的工作频率、更低的系统成本、更高的功率密度、更低的系统复杂性，以及更易于设计和实施。

其主要优势在于器件电容低、开关损耗与温度无关、本征二极管反向恢复电荷低以及无阈值导通特性。SiC CoolSiC™ MOSFET 可用于多种应用，例如光伏逆变器、电池充电和化成、服务器和电信电源、伺服和电机驱动器、储能和 UPS、工业 SMP 和辅助电源。

分立式和模块式封装中的 CoolSiC™ MOSFET

TO-247 4 引脚封装包含一个额外的源极连接（开尔文连接），用作栅极驱动电压的参考电位，从而消除了源极电感压降的影响。因此，开关损耗比 TO-247 3pin 版本更低，尤其是在更大电流和更高开关频率时。CoolSiC™ MOSFET Easy 模块具有良好的热界面、低杂散电感、坚固的设计以及 PressFIT 连接。虽然Easy系列可以理想地解决低功率范围的问题，但250kW以上的中功率逆变器则可充分利用 62 毫米封装。HybridPACK™ Drive CoolSiC™ MOSFET 通过了 AQG-324 认证，并针对 180 千瓦以上的大功率汽车牵引逆变器进行了优化。它是一种易于安装的Sixpack模块，用于直接水冷，配有引脚式底板，支持高效、高容量的优化装配工艺。

带有 CoolSiC™ MOSFET 的 CIPOS™ Maxi IPM

基于 CoolSiC™ MOSFET 的 CIPOS™ Maxi IPM IM828 系列是全球首款 1200 V 转印成型碳化硅 IPM，集成了一个优化的六通道 1200 V SOI 栅极驱动器和六个 CoolSiC™ MOSFET。作为 1200 V 等级中最小、最紧凑的封装，IM828-XCC 将超过 4.8 kW 的额定功率与出色的功率密度、可靠性和性能相结合。

更多关于IM828-XCC
用于 CoolSiC™ MOSFET 的栅极驱动器 IC

CoolSiC™ MOSFET 等超快开关功率晶体管通过隔离栅极输出部分可以更轻松地处理。因此，基于英飞凌无芯变压器技术的电隔离 EiceDRIVER™ IC 被推荐为最合适的产品。

关于栅极驱动 IC 的更多信息

碳化硅CoolSiC™ MOSFET 介绍

基于量产经验和兼容性知识，我们推出了革命性的 CoolSiC™ MOSFET 技术，实现了全新的产品设计。与 IGBT 和 MOSFET 等传统硅基开关相比，SiC 功率 MOSFET 具有一系列优势。SiC CoolSiC™ MOSFET 技术为系统设计人员提供了最佳的性能、可靠性和易用性。碳化硅功率晶体管为设计人员带来了新的灵活性，使他们能够利用前所未有的效率和可靠性水平。高压 CoolSiC™ MOSFET 技术在反向恢复特性方面也取得了令人瞩目的改进。

英飞凌的 SiC CoolSiC™ MOSFET 具有高效率和高可靠性。我们的产品范围包括650 V、1200 V、1700 V 和 2000 V 电压等级的分立封装产品以及模块产品。SiC MOSFET 电源模块采用 three-level, fourpack, half-bridge, sixpack, and booster配置。

碳化硅 CoolSiC™ MOSFET的亮点

CoolSiC™ MOSFET 具有一系列优点。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。英飞凌独特的CoolSiC™ MOSFET 还具有以下额外优势：

这些坚固耐用的器件采用最先进的沟槽设计，具有出色的栅极氧化物可靠性、同类最佳的开关和导通损耗、最高的跨导值（增益）、Vth = 4 V 的阈值电压和短路鲁棒性。这是一场你可以信赖的革命。所有这些造就了强大的 SiC MOSFET 技术，非常适合 LLC 和 ZVS 等硬开关和谐振开关拓扑，可以像 IGBT 或 MOSFET 一样通过易于使用的驱动器进行驱动。在高开关频率下提供最高效率，从而可以减小系统尺寸、提高功率密度并提高终身可靠性。

优点、功能和应用

SiC CoolSiC™ MOSFET 具有最高的效率，可减少冷却工作量、延长使用寿命和提高可靠性。更高的工作频率、更低的系统成本、更高的功率密度、更低的系统复杂性，以及更易于设计和实施。

其主要优势在于器件电容低、开关损耗与温度无关、本征二极管反向恢复电荷低以及无阈值导通特性。SiC CoolSiC™ MOSFET 可用于多种应用，例如光伏逆变器、电池充电和化成、服务器和电信电源、伺服和电机驱动器、储能和 UPS、工业 SMP 和辅助电源。

分立式和模块式封装中的 CoolSiC™ MOSFET

TO-247 4 引脚封装包含一个额外的源极连接（开尔文连接），用作栅极驱动电压的参考电位，从而消除了源极电感压降的影响。因此，开关损耗比 TO-247 3pin 版本更低，尤其是在更大电流和更高开关频率时。CoolSiC™ MOSFET Easy 模块具有良好的热界面、低杂散电感、坚固的设计以及 PressFIT 连接。虽然Easy系列可以理想地解决低功率范围的问题，但250kW以上的中功率逆变器则可充分利用 62 毫米封装。HybridPACK™ Drive CoolSiC™ MOSFET 通过了 AQG-324 认证，并针对 180 千瓦以上的大功率汽车牵引逆变器进行了优化。它是一种易于安装的Sixpack模块，用于直接水冷，配有引脚式底板，支持高效、高容量的优化装配工艺。

带有 CoolSiC™ MOSFET 的 CIPOS™ Maxi IPM

基于 CoolSiC™ MOSFET 的 CIPOS™ Maxi IPM IM828 系列是全球首款 1200 V 转印成型碳化硅 IPM，集成了一个优化的六通道 1200 V SOI 栅极驱动器和六个 CoolSiC™ MOSFET。作为 1200 V 等级中最小、最紧凑的封装，IM828-XCC 将超过 4.8 kW 的额定功率与出色的功率密度、可靠性和性能相结合。

更多关于IM828-XCC

用于 CoolSiC™ MOSFET 的栅极驱动器 IC

CoolSiC™ MOSFET 等超快开关功率晶体管通过隔离栅极输出部分可以更轻松地处理。因此，基于英飞凌无芯变压器技术的电隔离 EiceDRIVER™ IC 被推荐为最合适的产品。

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