功率MOSFET 和 MOS管

使用英飞凌 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 提高设计效率、功率密度并节约成本

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关于

功率 MOSFET 能够在高达 1 kV(对于 SiC 为 2 kV)的电压下工作,同时具备快速开关能力和更高效率。该技术是消费电子产品、电源、DC-DC 转换器、电机控制器、射频应用、交通系统以及汽车电子等多个应用领域的基础。

作为全球领先的功率 MOSFET 制造商和供应商,英飞凌在功率 MOSFET 领域拥有 40 多年的卓越经验,可为所有细分市场提供各种产品组合。英飞凌最新一代大功率 MOSFET 具备卓越的性能,进一步提高了效率,并优化了热性能和 EMI 性能。

了解我们可靠、优质的 MOSFET,专为设计人员和电力电子制造商在各种应用中的不同需求而设计。

英飞凌是全球最大的功率半导体元件制造商,拥有最广泛、功能最齐全的 MOSFET 产品组合:

  • OptiMOS™ 和 StrongIRFET™:具有同类最佳能量指标的中低压功率 MOSFET
  • CoolMOS™:开创性超结 (SJ) MOSFET 技术
  • CoolSiC™:具有低 RDS(on) 的快速切换碳化硅 MOSFET

英飞凌的汽车级 MOSFET 产品系列不仅通过了 AEC-Q101 认证,还满足更高的标准,依托英飞凌先进的 MOSFET 技术、卓越的品质和坚固的封装设计,确保了产品的卓越性能。 

探索如何利用英飞凌的功率 MOSFET 产品组合为各种应用的电能处理提供高效解决方案。

英飞凌的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以在电源应用中实现超低的切换损耗,从而提高硬开关应用的效率。这一产品组合具备业界最佳的品质因数(FOM),能够提升功率密度,降低成本,并确保最高的可靠性。

坚固耐用的 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 可确保要求高能效和紧凑设计的应用(如电动工具、轻型电动车、无人机和电动自行车)的效率。其卓越的性能、雪崩保护功能和更低的成本使其成为 DC-DC 转换器的理想选择。

CoolMOS™ 超结技术可为要求高压阻断能力和低损耗快速开关的 AC-DC 应用提供高效电源,适用于消费、工业和汽车应用,包括服务器、电信基础设施、太阳能、电动汽车充电、DC-DC 转换器等。CoolMOS™ 器件可满足从反激式到图腾柱 PFC 以及谐振转换器等各种拓扑结构的应用。

CoolSiC™ 器件具有无与伦比的开关、传导和散热性能,能设计出密度最高、最坚固耐用、最具性价比的功率变换器。

功率 MOSFET 是众多工业应用中不可或缺的器件。英飞凌提供先进的解决方案以满足各种要求。英飞凌首创的 CoolSiC™ 、CoolMOS™ 、OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 始终超越电源系统设计关键规格的最高质量和性能预期。 

依托丰富的工业 MOSFET 产品组合获得竞争优势:

  • 通过缩小无源元件的尺寸或减少多相转换器中的相数,实现整体系统成本的优化
  • 通过最大限度地减少所有负载条件下的功率损耗来提高效率
  • 使用体积最小的封装或通过系统级封装 (SiP) 解决方案节省空间
  • 限制系统中的电磁干扰 (EMI),简化设计流程并最大限度地减少滤波器的使用

英飞凌汽车级功率 MOSFET 产品系列组合将领先的硅 (Si) 和碳化硅 (SiC) 技术与坚固耐用的封装相结合,致力提供卓越性能和出色可靠性。汽车级 MOSFET 封装产品系列丰富多样,能够在 20 V-800 V 的电压范围内提供大电流,同时保持标杆级质量水平。此外,卓越的导通电阻 RDS(on) 性能能够有效提升系统效率。

从英飞凌车用功率 MOSFET 系列中选择产品,可从以下方面获益:

  • 供应链稳定、品质有保证及专家支持
  • QDPAK、TOLT、SSO10T 中的顶部散热封装产品
  • HDSOP、TOLL 和 sTOLL 封装中的最大电流
  • 5 x 6 mm 半桥封装的最小尺寸规格
  • 开关和导通功率损耗最小,提高了所有封装的热系统可靠性
  • 采用坚固封装,可轻松操作产品处理流程

所有英飞凌汽车级 MOSFET 均符合最高质量标准,高于 AEC-Q101 要求。

功率 MOSFET 能够在高达 1 kV(对于 SiC 为 2 kV)的电压下工作,同时具备快速开关能力和更高效率。该技术是消费电子产品、电源、DC-DC 转换器、电机控制器、射频应用、交通系统以及汽车电子等多个应用领域的基础。

作为全球领先的功率 MOSFET 制造商和供应商,英飞凌在功率 MOSFET 领域拥有 40 多年的卓越经验,可为所有细分市场提供各种产品组合。英飞凌最新一代大功率 MOSFET 具备卓越的性能,进一步提高了效率,并优化了热性能和 EMI 性能。

了解我们可靠、优质的 MOSFET,专为设计人员和电力电子制造商在各种应用中的不同需求而设计。

英飞凌是全球最大的功率半导体元件制造商,拥有最广泛、功能最齐全的 MOSFET 产品组合:

  • OptiMOS™ 和 StrongIRFET™:具有同类最佳能量指标的中低压功率 MOSFET
  • CoolMOS™:开创性超结 (SJ) MOSFET 技术
  • CoolSiC™:具有低 RDS(on) 的快速切换碳化硅 MOSFET

英飞凌的汽车级 MOSFET 产品系列不仅通过了 AEC-Q101 认证,还满足更高的标准,依托英飞凌先进的 MOSFET 技术、卓越的品质和坚固的封装设计,确保了产品的卓越性能。 

探索如何利用英飞凌的功率 MOSFET 产品组合为各种应用的电能处理提供高效解决方案。

英飞凌的 OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以在电源应用中实现超低的切换损耗,从而提高硬开关应用的效率。这一产品组合具备业界最佳的品质因数(FOM),能够提升功率密度,降低成本,并确保最高的可靠性。

坚固耐用的 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 可确保要求高能效和紧凑设计的应用(如电动工具、轻型电动车、无人机和电动自行车)的效率。其卓越的性能、雪崩保护功能和更低的成本使其成为 DC-DC 转换器的理想选择。

CoolMOS™ 超结技术可为要求高压阻断能力和低损耗快速开关的 AC-DC 应用提供高效电源,适用于消费、工业和汽车应用,包括服务器、电信基础设施、太阳能、电动汽车充电、DC-DC 转换器等。CoolMOS™ 器件可满足从反激式到图腾柱 PFC 以及谐振转换器等各种拓扑结构的应用。

CoolSiC™ 器件具有无与伦比的开关、传导和散热性能,能设计出密度最高、最坚固耐用、最具性价比的功率变换器。

功率 MOSFET 是众多工业应用中不可或缺的器件。英飞凌提供先进的解决方案以满足各种要求。英飞凌首创的 CoolSiC™ 、CoolMOS™ 、OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 始终超越电源系统设计关键规格的最高质量和性能预期。 

依托丰富的工业 MOSFET 产品组合获得竞争优势:

  • 通过缩小无源元件的尺寸或减少多相转换器中的相数,实现整体系统成本的优化
  • 通过最大限度地减少所有负载条件下的功率损耗来提高效率
  • 使用体积最小的封装或通过系统级封装 (SiP) 解决方案节省空间
  • 限制系统中的电磁干扰 (EMI),简化设计流程并最大限度地减少滤波器的使用

英飞凌汽车级功率 MOSFET 产品系列组合将领先的硅 (Si) 和碳化硅 (SiC) 技术与坚固耐用的封装相结合,致力提供卓越性能和出色可靠性。汽车级 MOSFET 封装产品系列丰富多样,能够在 20 V-800 V 的电压范围内提供大电流,同时保持标杆级质量水平。此外,卓越的导通电阻 RDS(on) 性能能够有效提升系统效率。

从英飞凌车用功率 MOSFET 系列中选择产品,可从以下方面获益:

  • 供应链稳定、品质有保证及专家支持
  • QDPAK、TOLT、SSO10T 中的顶部散热封装产品
  • HDSOP、TOLL 和 sTOLL 封装中的最大电流
  • 5 x 6 mm 半桥封装的最小尺寸规格
  • 开关和导通功率损耗最小,提高了所有封装的热系统可靠性
  • 采用坚固封装,可轻松操作产品处理流程

所有英飞凌汽车级 MOSFET 均符合最高质量标准,高于 AEC-Q101 要求。

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