这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

伺服电机驱动和控制

适用于从几百瓦到几百千瓦不等的应用

nobutton

概述

伺服驱动器通过接收来自控制系统的命令信号、对其进行放大并将电流传输到伺服电动机来为电动伺服机构提供动力。它允许产生与命令信号成比例的运动。

产品优势

  • 实现高可靠性
  • 更长的生命周期
  • 高位置精度
  • 快速响应，无过冲量
  • 身定制的解决方案
  • 多种封装类型

框图

关于

伺服电机驱动和控制简介

伺服驱动器监控机械装置的反馈信号。如果出现与预期行为不符的情况，它还会不断进行调整。有了这种反馈，就能确保指令动作的准确性，并检测出不需要的动作。伺服电机的独特之处在于，它在旋转到所需位置时消耗功率，然后在到达位置后静止。

我们为您的伺服电机设计提供广泛的半导体产品组合，应用范围从几百瓦到几百千瓦不等。我们的产品专为机器人、物料搬运和机床等应用而设计，可实现高可靠性、更长的生命周期、高位置精度和快速响应而不会过冲。

用于伺服电机驱动和控制的 MOSFET 和 IGBT 解决方案

我们为您的伺服驱动应用提供量身定制的解决方案，包括各种封装类型。在最高 3 kW 的较低功率范围内，可以使用 IPM、分立器件和模块。在这个功率范围内，碳化硅 MOSFET 为集成驱动器提供了最佳解决方案。或者，我们的 IGBT7 技术是针对伺服驱动器进行优化设计的。随着电机功率的增加，功率半导体模块的份额也随之增加。我们的 Easy、Econo、EconoDUAL™3 和 PrimePACK™ 系列为每个电机功率等级提供定制解决方案。如果您的目标是更长的使用寿命 PrimePACK™ .XT产品组合是您的首选。对于高速驱动器和逆变器集成，我们的 CoolSiC™ MOSFET 是一种极具吸引力的解决方案，因为它们可降低开关和导通损耗，尤其是在部分负载条件下。

有关 MOSFET 的更多信息
有关 IGBT 的更多信息
CoolSiC™ 用于伺服电机驱动和控制的MOSFET技术

利用我们的碳化硅沟槽技术，我们可以提供比 IGBT 更高的性能，但具有相当的稳定性，例如 2 µs 甚至 3 µs 的短路时间。我们的 CoolSiC™ MOSFET 采用行业标准的 TO247-3 封装，而 TO247-4 封装则具有更好的开关性能。除了这些 TO 封装外，SiC MOSFET 还提供 Easy 1B 和 Easy 2B 封装。与相应的 IGBT 相比，1200 V CoolSiC™ MOSFET 的开关损耗最多可降低 80%，而且还具有不受温度影响的优势。因此，基于更低的恢复、开通、关断和导通损耗，使用 CoolSiC™ MOSFET 的驱动解决方案可将损耗降低多达 50%（假设 dv/dt 相似）。CoolSiC™ MOSFET 的传导损耗也低于 IGBT，尤其是在轻载条件下。

除了总体上更高的效率和更低的损耗外，碳化硅技术实现的更高开关频率还直接有利于在更加动态的控制环境中使用外部和集成伺服驱动器。这是因为在不断变化的电机负载条件下，电动机电流的响应速度更快。

有关 CoolSiC™ MOSFET 的更多信息
用于伺服驱动器的EiceDRIVER™栅极驱动器 IC

我们广泛的EiceDRIVER™产品组合从基本功能扩展到高级功能。EiceDRIVER™ X3 增强型隔离式栅极驱动器产品组合现在包括 X3 模拟 1ED34xx 系列和 X3 数字 1ED38xx 系列，具有 DESAT、米勒箝位、软关断和 I2C 可配置性。

更多关于 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC
XMC™ MCU 和 OPTIGA™ Trust 安全解决方案

伺服驱动器需要最高标准的控制精度。我们基于 Arm® Cortex®-M 的 32 位 XMC™ 工业微控制器可提供优秀的匹配解决方案。针对工业 4.0 连接，我们提供 OPTIGA™ Trust 安全解决方案。此外，我们用于嵌入式系统的高性能存储器在所需的存储器性能方面具有很高的灵活性。 

随着各行各业越来越多地使用自动化，对伺服电机的需求也相应增加。它们能够将精确的运动控制与高扭矩水平相结合，因此非常适合自动化和机器人技术。

有关 32 位 XMC™ 微控制器的更多信息
关于 OPTIGA™ Trust的更多信息

伺服电机驱动和控制简介

伺服驱动器监控机械装置的反馈信号。如果出现与预期行为不符的情况，它还会不断进行调整。有了这种反馈，就能确保指令动作的准确性，并检测出不需要的动作。伺服电机的独特之处在于，它在旋转到所需位置时消耗功率，然后在到达位置后静止。

我们为您的伺服电机设计提供广泛的半导体产品组合，应用范围从几百瓦到几百千瓦不等。我们的产品专为机器人、物料搬运和机床等应用而设计，可实现高可靠性、更长的生命周期、高位置精度和快速响应而不会过冲。

用于伺服电机驱动和控制的 MOSFET 和 IGBT 解决方案

我们为您的伺服驱动应用提供量身定制的解决方案，包括各种封装类型。在最高 3 kW 的较低功率范围内，可以使用 IPM、分立器件和模块。在这个功率范围内，碳化硅 MOSFET 为集成驱动器提供了最佳解决方案。或者，我们的 IGBT7 技术是针对伺服驱动器进行优化设计的。随着电机功率的增加，功率半导体模块的份额也随之增加。我们的 Easy、Econo、EconoDUAL™3 和 PrimePACK™ 系列为每个电机功率等级提供定制解决方案。如果您的目标是更长的使用寿命 PrimePACK™ .XT产品组合是您的首选。对于高速驱动器和逆变器集成，我们的 CoolSiC™ MOSFET 是一种极具吸引力的解决方案，因为它们可降低开关和导通损耗，尤其是在部分负载条件下。

有关 MOSFET 的更多信息
有关 IGBT 的更多信息

CoolSiC™ 用于伺服电机驱动和控制的MOSFET技术

利用我们的碳化硅沟槽技术，我们可以提供比 IGBT 更高的性能，但具有相当的稳定性，例如 2 µs 甚至 3 µs 的短路时间。我们的 CoolSiC™ MOSFET 采用行业标准的 TO247-3 封装，而 TO247-4 封装则具有更好的开关性能。除了这些 TO 封装外，SiC MOSFET 还提供 Easy 1B 和 Easy 2B 封装。与相应的 IGBT 相比，1200 V CoolSiC™ MOSFET 的开关损耗最多可降低 80%，而且还具有不受温度影响的优势。因此，基于更低的恢复、开通、关断和导通损耗，使用 CoolSiC™ MOSFET 的驱动解决方案可将损耗降低多达 50%（假设 dv/dt 相似）。CoolSiC™ MOSFET 的传导损耗也低于 IGBT，尤其是在轻载条件下。

除了总体上更高的效率和更低的损耗外，碳化硅技术实现的更高开关频率还直接有利于在更加动态的控制环境中使用外部和集成伺服驱动器。这是因为在不断变化的电机负载条件下，电动机电流的响应速度更快。

有关 CoolSiC™ MOSFET 的更多信息

用于伺服驱动器的EiceDRIVER™栅极驱动器 IC

我们广泛的EiceDRIVER™产品组合从基本功能扩展到高级功能。EiceDRIVER™ X3 增强型隔离式栅极驱动器产品组合现在包括 X3 模拟 1ED34xx 系列和 X3 数字 1ED38xx 系列，具有 DESAT、米勒箝位、软关断和 I2C 可配置性。

更多关于 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC

XMC™ MCU 和 OPTIGA™ Trust 安全解决方案

伺服驱动器需要最高标准的控制精度。我们基于 Arm® Cortex®-M 的 32 位 XMC™ 工业微控制器可提供优秀的匹配解决方案。针对工业 4.0 连接，我们提供 OPTIGA™ Trust 安全解决方案。此外，我们用于嵌入式系统的高性能存储器在所需的存储器性能方面具有很高的灵活性。 

随着各行各业越来越多地使用自动化，对伺服电机的需求也相应增加。它们能够将精确的运动控制与高扭矩水平相结合，因此非常适合自动化和机器人技术。

有关 32 位 XMC™ 微控制器的更多信息
关于 OPTIGA™ Trust的更多信息

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }