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IGBT 裸片

我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术，是行业的标杆

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概述

IGBT 产品系列的电压范围从 600 V 到 1700 V，有多种不同型号，并且针对驱动器、可再生太阳能和风能、焊接和电源等各种应用进行了优化。

关键特性

  • 易于并联
  • 正温度系数
  • 软关断
  • 低开关损耗

产品

关于

IGBT：一种简单的技术

IGBT 最基本的功能是以最快的速度切换电流，最大程度减少开关损耗。正如 “绝缘栅双极型晶体管” 这一名称所示，IGBT是一种具有隔离栅极结构的双极型晶体管；栅极本身基本上是一个MOSFET。因此，IGBT 结合了双极型晶体管的高载流能力和高阻断电压，以及 MOSFET 的电容性和几乎为零功耗控制的优点。

可控的热特性

如今的 IGBT 与理想开关非常相似。理想开关的特点是关断时电流为零，导通时器件两端的电压为零。因此，理想的开关不会产生任何损耗，也不会产生热量。更多 IGBT 的单个开关效率达到 99% 以上。然而，热管理是一个不容忽视的重要课题。

分立式或模块封装中的 IGBT 裸片

我们的 IGBT 芯片还提供预组装的分立封装，称为分立 IGBT。它们既可以是单个 IGBT，也可以与续流二极管封装在一起。此外，还有各种各样的电源模块可供选择。这些较大的组合构成了电力电子的基本架构，通常由 IGBT、二极管裸片及其他元件以各种拓扑结构组合在一起构成。

更多关于 IGBT 分立器件的信息
有关 IGBT 模块的更多信息

IGBT：一种简单的技术

IGBT 最基本的功能是以最快的速度切换电流，最大程度减少开关损耗。正如 “绝缘栅双极型晶体管” 这一名称所示，IGBT是一种具有隔离栅极结构的双极型晶体管；栅极本身基本上是一个MOSFET。因此，IGBT 结合了双极型晶体管的高载流能力和高阻断电压，以及 MOSFET 的电容性和几乎为零功耗控制的优点。

可控的热特性

如今的 IGBT 与理想开关非常相似。理想开关的特点是关断时电流为零，导通时器件两端的电压为零。因此，理想的开关不会产生任何损耗，也不会产生热量。更多 IGBT 的单个开关效率达到 99% 以上。然而，热管理是一个不容忽视的重要课题。

分立式或模块封装中的 IGBT 裸片

我们的 IGBT 芯片还提供预组装的分立封装，称为分立 IGBT。它们既可以是单个 IGBT，也可以与续流二极管封装在一起。此外，还有各种各样的电源模块可供选择。这些较大的组合构成了电力电子的基本架构，通常由 IGBT、二极管裸片及其他元件以各种拓扑结构组合在一起构成。

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