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OptiMOS™ 与 StrongIRFET™ 系列选型指南

20 V 至 300 V 功率 MOSFET 可在各种应用中可实现创新和高性能

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关于

用于宽开关频率的 OptiMOS™ 功率 MOSFET

OptiMOS™ 功率 MOSFET 可达到同类最佳的性能、最高的效率和功率密度。

用领先的 MOSFET 技术与创新的封装技术，为您的电源解决方案提供极致的性能。其特性包括超低 RDS (on)，高效率和高功率密度，非常适合高开关频率应用。

StrongIRFET™ 功率 MOSFET，开关频率 < 100 kHz

StrongIRFET™ 功率 MOSFET专为坚固耐用的工业应用而设计，非常适合低开关频率的设计以及需要高载流能力的设计。该系列采用坚固耐用的硅片与多种封装组合，可满足您的所有设计要求。

OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ MOSFET 封装产品系列

英飞凌在 MOSFET 制造技术和工艺方面不断创新，率先推出各种新型封装，满足了各种应用中不断变化的尖端设计需求，从而对 MOSFET 行业产生了影响。OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 技术采用不同的封装，可实现高载流能力，显著节省空间。

广泛的产品组合可减小占板面积，提高额定电流并优化散热性能。表贴型无引脚器件的占板面积小，而通孔封装的额定功率高。

了解最新封装

用于宽开关频率的 OptiMOS™ 功率 MOSFET

OptiMOS™ 功率 MOSFET 可达到同类最佳的性能、最高的效率和功率密度。

用领先的 MOSFET 技术与创新的封装技术，为您的电源解决方案提供极致的性能。其特性包括超低 RDS (on)，高效率和高功率密度，非常适合高开关频率应用。

StrongIRFET™ 功率 MOSFET，开关频率 < 100 kHz

StrongIRFET™ 功率 MOSFET专为坚固耐用的工业应用而设计，非常适合低开关频率的设计以及需要高载流能力的设计。该系列采用坚固耐用的硅片与多种封装组合，可满足您的所有设计要求。

OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ MOSFET 封装产品系列

英飞凌在 MOSFET 制造技术和工艺方面不断创新，率先推出各种新型封装，满足了各种应用中不断变化的尖端设计需求，从而对 MOSFET 行业产生了影响。OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 技术采用不同的封装，可实现高载流能力，显著节省空间。

广泛的产品组合可减小占板面积，提高额定电流并优化散热性能。表贴型无引脚器件的占板面积小，而通孔封装的额定功率高。

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