这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

高性能双 MOSFET

为提高效率和增加电流能力进行了优化

anchor

概述

英飞凌的高性能双通道系列包括 OptiMOS™ 功率块 MOSFET 和半桥 MOSFET。 OptiMOS™ 功率块器件在同步降压变换器拓扑中集成了低边和高边 MOSFET，低边 MOSFET 的源极向下连接，以改善散热、简化布线并降低 EMI。

关键特性

  • RDS(on) 非常低
  • 小尺寸PQFN 5x6 封装
  • 低端MOSFET源极向下
  • 优化的 PCB 散热结构
  • 内部连接的 MOSFET
  • 低封装电感
  • 高边开尔文连接
  • 紧凑而简单的 DC-DC 布线
  • 可在不对称半桥模式下使用

产品

关于

高性能双 MOSFET 的优势

选择英飞凌高性能双 MOSFET 的优势包括：

  • - 帮助DC-DC转换器实现紧凑、简洁的PCB布局
  • - 最低的环路电感，最优化的PCB布局
  • 最佳热性能带来高效率性能
电源模块中的双 MOSFET

非对称半桥 MOSFET 解决方案可在 30 mm² 的占位面积内处理 50 A 电流

OptiMOS™ 5 电源块是一种无引线 SMD 5.0x6.0 mm² 小外形封装，集成了低侧和高侧 MOSFET，适用于同步整流降压转换器应用。

通过使用一个省空间的双MOSFET封装取代两个独立封装的（如 SO8 或SuperSO8）MOSFET ，OptiMOS™ 5 功率块 5 x 6 MOSFET使您设计的PCB面积至少缩小50%。 标准化功率封装使客户受益，因为市场上不同的封装数量已降至最低。

基准效率和大电流处理

MOSFET 半桥系列采用英飞凌久经考验的 OptiMOS™ 5 技术，该技术实现了低导通状态电阻 (RDS (on)) 和优异的品质因数 (Qg、Qgd)。 低端 MOSFET 的源极向下连接会产生一个大的 PGND 焊盘，从而显著改善了电路板的热结，简化了PCB布线并降低了 EMI。 该解决方案通过提高开关频率和功率密度以及降低整体 BOM 成本来优化您的设计。

高性能双 MOSFET 的优势

选择英飞凌高性能双 MOSFET 的优势包括：

  • - 帮助DC-DC转换器实现紧凑、简洁的PCB布局
  • - 最低的环路电感，最优化的PCB布局
  • 最佳热性能带来高效率性能

电源模块中的双 MOSFET

非对称半桥 MOSFET 解决方案可在 30 mm² 的占位面积内处理 50 A 电流

OptiMOS™ 5 电源块是一种无引线 SMD 5.0x6.0 mm² 小外形封装，集成了低侧和高侧 MOSFET，适用于同步整流降压转换器应用。

通过使用一个省空间的双MOSFET封装取代两个独立封装的（如 SO8 或SuperSO8）MOSFET ，OptiMOS™ 5 功率块 5 x 6 MOSFET使您设计的PCB面积至少缩小50%。 标准化功率封装使客户受益，因为市场上不同的封装数量已降至最低。

基准效率和大电流处理

MOSFET 半桥系列采用英飞凌久经考验的 OptiMOS™ 5 技术，该技术实现了低导通状态电阻 (RDS (on)) 和优异的品质因数 (Qg、Qgd)。 低端 MOSFET 的源极向下连接会产生一个大的 PGND 焊盘，从而显著改善了电路板的热结，简化了PCB布线并降低了 EMI。 该解决方案通过提高开关频率和功率密度以及降低整体 BOM 成本来优化您的设计。

文档

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }