英飞凌的宽带隙技术（SiC 和 GaN）可实现最高效的系统，为绿色和数字化转型提供动力

走向更节能的世界在很大程度上依赖于宽带隙（WBG）半导体的采用。这些创新材料具有多种优势，包括提高功率效率、减小尺寸、减轻重量和降低总体成本。

作为功率半导体领域的先驱，英飞凌在碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 技术方面拥有超过二十年的辉煌历史。我们深厚的系统专业知识，加上我们的内部制造能力，使我们成为寻求利用 WBG 电力电子潜力的公司的理想合作伙伴。

宽带隙半导体的优势

根据应用要求，碳化硅（ CoolSiC™ ）和氮化镓（CoolGaN ™ ）具有特定的价值主张，可实现最高水平的系统性能。 它们根据应用所需的额定功率和开关频率充分发挥其潜力。

WBG半导体的更高效率和耐用性有助于降低能耗和减少温室气体排放。此外，减少冷却需求和缩小系统尺寸可以大幅节省制造和运营成本。这些环境和经济效益使得WBG半导体对可持续技术发展具有吸引力。

WBG 材料的坚固特性使得设备使用寿命更长，并且随着时间的推移不易磨损和退化。这种耐用性对于可靠性至关重要的关键应用（例如军事和医疗设备）至关重要。延长使用寿命还有助于降低维护成本并提高整体系统可靠性。

WBG 设备可以处理更高的功率密度，从而可以制造更小、更轻的电子元件。这对于便携式和空间受限的应用（例如航空航天和消费电子产品）尤其有益。高功率密度还意味着可以在更小的封装中传输更多的功率，从而提高电力系统的性能。

WBG材料具有更高的能源效率。与硅相比，它们可以在更高的电压、频率和温度下运行，并且能量损失更少。这种效率在电力电子领域尤其有利，因为减少能量损失直接意味着节省成本并提高电源、逆变器和电机驱动器等应用的性能。

WBG 半导体可以在比硅高得多的温度下工作。这对于不可避免地会产生高热量的应用中至关重要，例如电动汽车 (EV) 和工业机械。在高温下运行的能力减少了对复杂冷却系统的需求，从而简化了设计并降低了成本。

这些材料可以比基于硅的设备更快地开启和关闭。更高的开关频率使得电源转换器和其他电子系统的设计更加紧凑、轻便。它还提高了这些系统的整体性能和可靠性，使其更适合5G通信和高频雷达系统等先进技术。

宽带隙半导体应用

宽带隙半导体 Si SiC GaN
宽带隙半导体 Si SiC GaN
宽带隙半导体 Si SiC GaN

宽带隙 (WBG) 半导体器件在各种应用中具有显著优势。英飞凌的产品组合涵盖消费、工业和汽车应用领域的最先进电子产品。作为领先的功率半导体供应商，英飞凌提供全面的产品组合，包括硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 技术。这使我们能够支持客户选择最适合其特定需求的解决方案，促进向 WBG 半导体器件的过渡，同时确保继续支持传统的基于 Si 的解决方案，因为它们仍然是最佳选择。

宽带隙半导体产品

宽带隙半导体产品

  • 电压等级从 400 V 到 3.3 kV
  • MOSFET、肖特基二极管、混合器件、智能功率模块、汽车大功率模块等
  • 恶劣环境下的极致可靠性和稳健性
  • 多种运行模式下的最佳效率
  • 全球最具竞争力的200毫米SiC功率晶圆厂
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  • 电压等级从 40 V 到 700 V
  • 晶体管、集成器件、双向开关、模块等
  • 最高频率下的最高效率可实现最小的系统尺寸
  • 行业领先的性能和供应
  • 全球首座300毫米GaN晶圆厂
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强大的EiceDRIVER™栅极驱动保护功能，如快速短路保护 (DESAT)、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断和过流保护，使这些驱动器 IC 非常适合硅和宽禁带功率器件，包括 CoolGaN™ 和 CoolSiC™。

视频

为什么选择英飞凌 GaN？

在使用 GaN 进行设计时，英飞凌是明智的选择。英飞凌提供应用和系统专业知识、最高可靠性以及包括匹配栅极驱动器 IC 和控制器在内的广泛产品组合，在 GaN 设计方面引领行业走向无与伦比的成功。

GaN的已证实价值

探索 CoolGaN ™的实际威力：我们的视频展示了其实际优势，从提高效率到减小尺寸和重量，再到降低整体系统成本。了解事实，了解 GaN 如何改变您的电力

5 分钟 - 选择 SiC 的 5 个理由

为了引领向可持续能源生产和消费的转变，您知道碳化硅技术是解决该方向关键市场趋势的战略核心。为此，以下是您应该选择英飞凌 SiC 器件的五个理由。

CoolSiC™ - 客户成功案例

该视频从客户的视角重点介绍了CoolSiC™的优势。 了解我们的碳化硅设备如何推动能源生产、储存和消耗领域的创新。

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