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低电容ESD保护二极管

更快:低电容二极管可保持可靠的 ESD 保护

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概述

低电容 ESD 保护,具有优化的钳位性能,同时满足现代应用的信号完整性和线性度要求。

关键特性

  • 低电容 - 节省链路预算
  • USB Super Speed 的低插入损耗
  • 最新片上系统的强大静电抑制能力
  • 最小的封装

产品

关于

先进的电子设备越来越依赖精细几何形状的 IC 来实现其高速 I/O,这带来了 ESD 保护方面的挑战。更快的I/O速度需要更低的电容/更低的插入损耗保护器件,以保持通信的信号完整性。另一方面,I/O 连接器本质上会暴露在外部环境中;精细几何的 IC 对 ESD 事件越来越敏感。在设计ESD保护时,ESD性能和低电容之间存在直接竞争关系,这使得高速I/O变得难以保护。Infineon®的低电容 ESD 保护器件可帮助您实现设计的正确权衡。

Infineon®广泛的保护器件产品组合可帮助您在强大的ESD保护和低电容之间取得平衡,以实现信号完整性。此外,这些器件可确保高线性度所需的低电容值,从而减少强射频发射极附近的 I/O 线路上的谐波产生。此外,封装选项解决了电路板空间限制。

Infineon® 器件可确保为不同的 I/O、连接和保护拓扑提供最佳保护,包括低压、高压、高线性度、强回击和无回击。

保护射频系统中的天线端口已进入一个充满挑战的新世界。传统的电感器分流接地解决方案可能不再适用于您的系统。聚合物虽然几乎没有寄生电容,但远远不足以为许多较新的系统提供足够的保护。在这种情况下,特别注重高线性度的超低电容硅 ESD 将成为 ESD 保护选项中值得欢迎的补充。即使不是直接在天线端口上,放置在高功率天线附近信号线上的ESD设备也可能看到信号线充当意外接收天线,激活二极管产生不希望的谐波,逃逸到您的系统中。这很糟糕。低电容/高线性度二极管是以最小的成本和板上空间解决问题的宝贵工具。

先进的电子设备越来越依赖精细几何形状的 IC 来实现其高速 I/O,这带来了 ESD 保护方面的挑战。更快的I/O速度需要更低的电容/更低的插入损耗保护器件,以保持通信的信号完整性。另一方面,I/O 连接器本质上会暴露在外部环境中;精细几何的 IC 对 ESD 事件越来越敏感。在设计ESD保护时,ESD性能和低电容之间存在直接竞争关系,这使得高速I/O变得难以保护。Infineon®的低电容 ESD 保护器件可帮助您实现设计的正确权衡。

Infineon®广泛的保护器件产品组合可帮助您在强大的ESD保护和低电容之间取得平衡,以实现信号完整性。此外,这些器件可确保高线性度所需的低电容值,从而减少强射频发射极附近的 I/O 线路上的谐波产生。此外,封装选项解决了电路板空间限制。

Infineon® 器件可确保为不同的 I/O、连接和保护拓扑提供最佳保护,包括低压、高压、高线性度、强回击和无回击。

保护射频系统中的天线端口已进入一个充满挑战的新世界。传统的电感器分流接地解决方案可能不再适用于您的系统。聚合物虽然几乎没有寄生电容,但远远不足以为许多较新的系统提供足够的保护。在这种情况下,特别注重高线性度的超低电容硅 ESD 将成为 ESD 保护选项中值得欢迎的补充。即使不是直接在天线端口上,放置在高功率天线附近信号线上的ESD设备也可能看到信号线充当意外接收天线,激活二极管产生不希望的谐波,逃逸到您的系统中。这很糟糕。低电容/高线性度二极管是以最小的成本和板上空间解决问题的宝贵工具。

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