JFETs

探索英飞凌CoolSiC™ JFET，实现高效、可靠的高压固态配电方案。

关于

一种用于固态配电的新技术

英飞凌的CoolSiC™ JFET 技术扩展了碳化硅产品组合，推出了一款专为先进固态电力分配和保护而设计的功率半导体系列。SiC JFET 结合了碳化硅材料的优势、超低的导通损耗以及在苛刻工作条件下的稳健性能，有助于实现紧凑、高效和可靠的保护系统。

随着配电系统愈发数字化、分散化且功率密度不断提升，传统机电式保护方案正逐渐触及性能瓶颈。碳化硅 JFET 助力向半导体式保护方案转型，这类方案响应速度更快、损耗更低，且可适配可扩展大电流系统设计。

CoolSiC™ JFET 技术亮点

碳化硅 JFET 专为系统核心需求为低导通损耗、快速故障响应以及高可靠性的应用场景设计。其技术优势可满足工业、基础设施、可再生能源、储能电池及数据中心电力系统严苛的防护与配电设计需求。

SiC JFET 的主要亮点包括超低导通电阻、强大的关断能力、在故障条件下的高耐用性、优异的热性能以及针对不同系统架构的可扩展实现选项。

  • 超低导通电阻，降低导通损耗
  • 具备可靠关断性能的固态保护方案
  • 在过载、短路和雪崩条件下具有很高的耐用性
  • 适用于高压大电流配电系统
  • 可适配各类产品理念与外观形态的规模化落地方案
  • 凭借英飞凌的CoolSiC™技术和系统专业知识，
从设备特性到系统级价值

碳化硅 JFET 可帮助系统设计人员解决下一代配电的一些关键挑战：降低导通损耗、提高保护速度、增强鲁棒性以及实现紧凑型大电流设计。

SiC JFET 具有低导通电阻、故障条件鲁棒性和固态开关能力等特点，因此特别适用于固态断路器、电子熔断器、电池隔离开关、人工智能数据中心配电、电机软启动器、工业安全继电器、可再生能源系统和高压直流配电。

探索CoolSiC™ JFET 产品组合

英飞凌的CoolSiC™ JFET 产品组合旨在支持固态配电系统和保护的不同实现方法。该产品组合以 SiC JFET 分立器件为基础，并将扩展到各种外形尺寸、系统电压和电流要求。

这种方法使设计人员能够根据系统架构、栅极驱动策略、保护和隔离概念、热设计、集成和制造要求，灵活地选择合适的实现方案。

一种用于固态配电的新技术

英飞凌的CoolSiC™ JFET 技术扩展了碳化硅产品组合，推出了一款专为先进固态电力分配和保护而设计的功率半导体系列。SiC JFET 结合了碳化硅材料的优势、超低的导通损耗以及在苛刻工作条件下的稳健性能，有助于实现紧凑、高效和可靠的保护系统。

随着配电系统愈发数字化、分散化且功率密度不断提升，传统机电式保护方案正逐渐触及性能瓶颈。碳化硅 JFET 助力向半导体式保护方案转型，这类方案响应速度更快、损耗更低，且可适配可扩展大电流系统设计。

CoolSiC™ JFET 技术亮点

碳化硅 JFET 专为系统核心需求为低导通损耗、快速故障响应以及高可靠性的应用场景设计。其技术优势可满足工业、基础设施、可再生能源、储能电池及数据中心电力系统严苛的防护与配电设计需求。

SiC JFET 的主要亮点包括超低导通电阻、强大的关断能力、在故障条件下的高耐用性、优异的热性能以及针对不同系统架构的可扩展实现选项。

  • 超低导通电阻，降低导通损耗
  • 具备可靠关断性能的固态保护方案
  • 在过载、短路和雪崩条件下具有很高的耐用性
  • 适用于高压大电流配电系统
  • 可适配各类产品理念与外观形态的规模化落地方案
  • 凭借英飞凌的CoolSiC™技术和系统专业知识，
从设备特性到系统级价值

碳化硅 JFET 可帮助系统设计人员解决下一代配电的一些关键挑战：降低导通损耗、提高保护速度、增强鲁棒性以及实现紧凑型大电流设计。

SiC JFET 具有低导通电阻、故障条件鲁棒性和固态开关能力等特点，因此特别适用于固态断路器、电子熔断器、电池隔离开关、人工智能数据中心配电、电机软启动器、工业安全继电器、可再生能源系统和高压直流配电。

探索CoolSiC™ JFET 产品组合

英飞凌的CoolSiC™ JFET 产品组合旨在支持固态配电系统和保护的不同实现方法。该产品组合以 SiC JFET 分立器件为基础，并将扩展到各种外形尺寸、系统电压和电流要求。

这种方法使设计人员能够根据系统架构、栅极驱动策略、保护和隔离概念、热设计、集成和制造要求，灵活地选择合适的实现方案。

文档