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碳化硅CoolSiC™ MOSFET 半导体和功率器件

采用不同封装和拓扑结构的 CoolSiC™ MOSFET 模块技术

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概述

英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 功率模块系列为逆变器设计人员提供了实现前所未有的效率和功率密度水平的新机遇。

关键特性

  • 降低开关损耗
  • 本征体二极管
  • 卓越的栅极氧化物可靠性
  • 阈值电压Vth > 4 V

产品

关于

CoolSiC™ MOSFET 单管简介

我们精选的 CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 电源模块有不同的配置，如三电平、半桥、四组、六组或作为升压器，1200 V 和 2000 V SiC MOSFET 模块采用最先进的沟槽设计，具有卓越的栅极氧化物可靠性、同类最佳的开关和传导损耗。

不仅所有 EasyPACK™、EasyDUAL™ 和 62 mm CoolSiC™ MOSFET 电源模块在订购时均可预涂热界面材料 (TIM)，而且还可提供其他功能。例如，我们的 Easy 模块采用高性能氮化铝（AlN）陶瓷，大大提高了 RthJH 的热性能。

有关我们的CoolSiC™技术的更多信息
热界面材料 (TIM)
关于车用 CoolSiC™ MOSFET 模块

我们为混合动力和电动汽车应用提供各种 CoolSiC™ MOSFET 汽车功率模块： 牵引逆变器（将直流电从高压电池转换为交流电，供电动马达使用）、车载电池充电器、辅助逆变器、HV/LV DC-DC 转换器以及燃料电池电动汽车 (FCEV) 的特定应用，如燃料电池空气压缩机和 DC-DC 升压转换器。

CoolSiC™ MOSFET汽车功率模块
碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 模块的优势

当使用碳化硅（SiC）半导体作为开关时，可提高工作温度和开关频率，同时支持高电压，从而提高整个系统的效率。此外，SiC 功率模块可根据不同的应用需求量身定制，并提供从 52.9 mΩ 到 1.44 mΩ RDS 的拓扑结构。

除此之外，碳化硅CoolSiC™ MOSFET 模块还具有重要的关键优势，例如提高了功率密度、减少了冷却工作量、降低了系统和运营成本。

用于 SiC MOSFET 的栅极驱动器 IC

CoolSiC™ MOSFET 等超高速开关功率晶体管可通过隔离栅极输出部分轻松处理。因此，建议使用基于我们无芯变压器技术的电隔离 EiceDRIVER™ IC，因为它是最合适的。

关于用于碳化硅 MOSFET 的 EiceDRIVER™ IC

CoolSiC™ MOSFET 单管简介

我们精选的 CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 电源模块有不同的配置，如三电平、半桥、四组、六组或作为升压器，1200 V 和 2000 V SiC MOSFET 模块采用最先进的沟槽设计，具有卓越的栅极氧化物可靠性、同类最佳的开关和传导损耗。

不仅所有 EasyPACK™、EasyDUAL™ 和 62 mm CoolSiC™ MOSFET 电源模块在订购时均可预涂热界面材料 (TIM)，而且还可提供其他功能。例如，我们的 Easy 模块采用高性能氮化铝（AlN）陶瓷，大大提高了 RthJH 的热性能。

有关我们的CoolSiC™技术的更多信息
热界面材料 (TIM)

关于车用 CoolSiC™ MOSFET 模块

我们为混合动力和电动汽车应用提供各种 CoolSiC™ MOSFET 汽车功率模块： 牵引逆变器（将直流电从高压电池转换为交流电，供电动马达使用）、车载电池充电器、辅助逆变器、HV/LV DC-DC 转换器以及燃料电池电动汽车 (FCEV) 的特定应用，如燃料电池空气压缩机和 DC-DC 升压转换器。

CoolSiC™ MOSFET汽车功率模块

碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 模块的优势

当使用碳化硅（SiC）半导体作为开关时，可提高工作温度和开关频率，同时支持高电压，从而提高整个系统的效率。此外，SiC 功率模块可根据不同的应用需求量身定制，并提供从 52.9 mΩ 到 1.44 mΩ RDS 的拓扑结构。

除此之外，碳化硅CoolSiC™ MOSFET 模块还具有重要的关键优势，例如提高了功率密度、减少了冷却工作量、降低了系统和运营成本。

用于 SiC MOSFET 的栅极驱动器 IC

CoolSiC™ MOSFET 等超高速开关功率晶体管可通过隔离栅极输出部分轻松处理。因此，建议使用基于我们无芯变压器技术的电隔离 EiceDRIVER™ IC，因为它是最合适的。

关于用于碳化硅 MOSFET 的 EiceDRIVER™ IC

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