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射频 MOSFET 和有源偏置控制器

英飞凌的射频 MOSFET 有源偏置控制器

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概述

即使在低电池电压和低压降的场景下，英飞凌的有源偏置控制器也能稳定 NPN 晶体管和场效应管的偏置电流。这些控制器采用小型 SOT 343 封装。英飞凌还提供完全偏置或完全集成、半偏置或部分集成、无偏置或未集成的MOSFET。一流的噪声系数和增益、出色的交叉调制以及强大的静电放电保护。

关键特性

  • 一流的噪声系数
  • 出色的交叉调制
  • 强大的静电放电保护
  • 高增益

产品

关于

英飞凌射频 MOSFET 和有源偏置控制器

英飞凌有源偏置控制器可以稳定 NPN 晶体管和 FET 的偏置电流。即使在低电池电压和低压降的场景下，它们也可输出稳定的偏置电流。这些控制器采用小型 SOT 343 封装。英飞凌还提供完全偏置或完全集成、半偏置或部分集成、无偏置或未集成的MOSFET。通过片上栅极保护二极管提供同类最佳的噪声系数和增益、出色的交叉调制以及强大的静电放电保护。

采用各种封装的射频 MOSFET 和有源偏置控制器

有源控制器采用 SOT 343 封装，射频 MOSFET 则采用不同引线式封装。

用于通信应用的射频 MOSFET 和有源偏置控制器

适用于以下多种应用的有源偏置控制器：蜂窝和无线电话、DECT、WLAN、PHS 和射频调制解调器。控制器稳定 NPN 晶体管和 FET 的偏置电流。

英飞凌射频 MOSFET 和有源偏置控制器

英飞凌有源偏置控制器可以稳定 NPN 晶体管和 FET 的偏置电流。即使在低电池电压和低压降的场景下，它们也可输出稳定的偏置电流。这些控制器采用小型 SOT 343 封装。英飞凌还提供完全偏置或完全集成、半偏置或部分集成、无偏置或未集成的MOSFET。通过片上栅极保护二极管提供同类最佳的噪声系数和增益、出色的交叉调制以及强大的静电放电保护。

采用各种封装的射频 MOSFET 和有源偏置控制器

有源控制器采用 SOT 343 封装，射频 MOSFET 则采用不同引线式封装。

用于通信应用的射频 MOSFET 和有源偏置控制器

适用于以下多种应用的有源偏置控制器：蜂窝和无线电话、DECT、WLAN、PHS 和射频调制解调器。控制器稳定 NPN 晶体管和 FET 的偏置电流。

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