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12 V-40 V N 沟道功率 MOSFET

适用于多种应用的低压功率 MOSFET

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概述

英飞凌多种 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括用于低、中、高功率应用的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 技术。该产品组合包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌提供节省空间的解决方案，这些解决方案不仅可以优化散热性能，还可以提高额定电流，同时减少封装尺寸。

关键特性

  • 高功率密度
  • 小型封装
  • 优化的散热性能
  • 低输出电荷

产品

关于

12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合

英飞凌的功率 MOSFET 12 V-40 V 产品组合分为两类。第一类是“主动和首选”，指提供同类最佳性能和低 RDS(on) 的最新可用技术。第二类是“有源”，非常适合宽开关频率，并提供业界最佳的品质因数（FOM）以及高效率和功率密度。OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 的多种产品组合为广泛的需求提供了解决方案。

OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

OptiMOS™低压功率 MOSFET（包括 20 V MOSFET 和 30 V MOSFET）可提供更高的功率密度和能效标准。 通过使用低栅极电压 N 沟道 MOSFET、低输出电荷和紧凑封装，英飞凌的OptiMOS™ 25 V MOSFET 成为服务器以及需要超低压 MOSFET 稳压器解决方案的数据通信和电信应用的最佳选择之一。 OptiMOS™ 30 V N 沟道 MOSFET 专为改善 EMI 行为和延长电池寿命而设计，可满足笔记本电脑电源管理的需求。

StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对高电流能力和低 R DS(on)进行了优化，非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合包括 20 V 和 40 V 电压等级的 MOSFET，可满足直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 转换器等广泛应用。

N 沟道 40 V MOSFET 产品组合提供多种封装选项，包括满足低开关频率和高开关频率要求的OptiMOS™和 StrongIRFET ™硅片技术。

12 V-40 V N 沟道 MOSFET 应用

专为 12 V-40 V 设计的 N 沟道 MOSFET 产品组合非常适合直流电动机驱动、电池应用、负载开关和电动玩具等应用。小巧紧凑的设计使 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 解决方案能够在所有上述和类似应用中提供更小的封装尺寸、更高的额定值、以及优化的热性能。

适用于汽车应用的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET

英飞凌提供大量符合汽车标准的 12 V-40 V 的 N 沟道 MOSFET 产品组合。如需了解更多信息，请访问我们的汽车 MOSFET 页面。

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12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合

英飞凌的功率 MOSFET 12 V-40 V 产品组合分为两类。第一类是“主动和首选”，指提供同类最佳性能和低 RDS(on) 的最新可用技术。第二类是“有源”，非常适合宽开关频率，并提供业界最佳的品质因数（FOM）以及高效率和功率密度。OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 的多种产品组合为广泛的需求提供了解决方案。

OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

OptiMOS™低压功率 MOSFET（包括 20 V MOSFET 和 30 V MOSFET）可提供更高的功率密度和能效标准。 通过使用低栅极电压 N 沟道 MOSFET、低输出电荷和紧凑封装，英飞凌的OptiMOS™ 25 V MOSFET 成为服务器以及需要超低压 MOSFET 稳压器解决方案的数据通信和电信应用的最佳选择之一。 OptiMOS™ 30 V N 沟道 MOSFET 专为改善 EMI 行为和延长电池寿命而设计，可满足笔记本电脑电源管理的需求。

StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对高电流能力和低 R DS(on)进行了优化，非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合包括 20 V 和 40 V 电压等级的 MOSFET，可满足直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 转换器等广泛应用。

N 沟道 40 V MOSFET 产品组合提供多种封装选项，包括满足低开关频率和高开关频率要求的OptiMOS™和 StrongIRFET ™硅片技术。

12 V-40 V N 沟道 MOSFET 应用

专为 12 V-40 V 设计的 N 沟道 MOSFET 产品组合非常适合直流电动机驱动、电池应用、负载开关和电动玩具等应用。小巧紧凑的设计使 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 解决方案能够在所有上述和类似应用中提供更小的封装尺寸、更高的额定值、以及优化的热性能。

适用于汽车应用的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET

英飞凌提供大量符合汽车标准的 12 V-40 V 的 N 沟道 MOSFET 产品组合。如需了解更多信息，请访问我们的汽车 MOSFET 页面。

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