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栅极驱动器查找器

用于 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN HEMT 的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC

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关于

这就是为什么我们提供 500 多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 解决方案,适用于任何功率开关器件和各种应用。

每个开关都需要一个驱动器——合适的驱动器会产生不同的效果。

为了在您评估产品/电路板期间为您提供支持,英飞凌开发者中心为您提供了两个主要部分:

软件:查找英飞凌的所有软件

工具:查找英飞凌提供的所有评估工具

搜索、查找并选择带有和不带有反并联二极管的分立 IGBT 解决方案。我们的 IGBT 产品电压范围为 600 V 至 1600 V,您可以选择这些产品。我们的分立 IGBT 封装产品组合包含 SMD(表面贴装器件)封装、通孔封装以及高级隔离封装,可满足每种应用中的不同电压要求。

从我们先进的 IGBT 功率模块产品组合中搜索、查找和选择。针对不同产品系列、配置、额定电流以及 IGBT 芯片代数进行过滤。

搜索、查找并选择适合各种应用的硅或碳化硅 MOSFET 解决方案。凭借其高品质的设计和坚固耐用的特性,英飞凌改变游戏规则的技术在确保改进外形尺寸的同时,还有助于降低整体系统成本。

这就是为什么我们提供 500 多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 解决方案,适用于任何功率开关器件和各种应用。

每个开关都需要一个驱动器——合适的驱动器会产生不同的效果。

为了在您评估产品/电路板期间为您提供支持,英飞凌开发者中心为您提供了两个主要部分:

软件:查找英飞凌的所有软件

工具:查找英飞凌提供的所有评估工具

搜索、查找并选择带有和不带有反并联二极管的分立 IGBT 解决方案。我们的 IGBT 产品电压范围为 600 V 至 1600 V,您可以选择这些产品。我们的分立 IGBT 封装产品组合包含 SMD(表面贴装器件)封装、通孔封装以及高级隔离封装,可满足每种应用中的不同电压要求。

从我们先进的 IGBT 功率模块产品组合中搜索、查找和选择。针对不同产品系列、配置、额定电流以及 IGBT 芯片代数进行过滤。

搜索、查找并选择适合各种应用的硅或碳化硅 MOSFET 解决方案。凭借其高品质的设计和坚固耐用的特性,英飞凌改变游戏规则的技术在确保改进外形尺寸的同时,还有助于降低整体系统成本。

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