功率转换

释放无与伦比的效率和可靠性：适用于各种应用的 SMPS 半导体终极解决方案

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关于

英飞凌的开关电源（SMPS）解决方案

英飞凌提供全系列的电源控制器和开关，包括 AC-DC 控制器、DC-DC 转换器、各种封装的硅和 SiC MOSFET、GaN HEMT、智能功率模块、照明 IC、晶体管（IGBT）、二极管和整流器、稳压器、隔离接口以及用于内部和外部电源应用的电压和电流管理。

我们的设计方案可提高有源模式效率，降低待机功耗，并在布局的每个阶段（从输入到负载）提供功率因数校正。英飞凌为您的设计需求提供微安到兆瓦级的分立器件或集成器件解决方案。

选择您喜欢的应用，浏览我们的各种 SMPS 解决方案。

适合于各种 SMPS 应用的尖端半导体解决方案

SMPS 设计应用广泛，包括台式电脑、便携式电子设备的适配器和充电器、服务器和数据中心、电信基础设施、电动汽车充电、以及需要不间断电源（UPS）的场合（如空中交通管制系统）、医疗应用以及工业应用（如过程控制、工厂自动化和机械控制等）。

无论是哪种应用，效率、可靠性和更高的功率输出都是最重要且必须要满足的的要求。英飞凌的半导体解决方案可满足以上甚至更多要求。我们提供全面的Si，SiC 功率 MOSFET 以及 GaN HEMT 产品组合，您可根据自己的需求选择合适的技术。

点击 SMPS 页面上的每个方框图，了解我们为您的应用量身定制的系统产品。

英飞凌的宽禁带 SMPS 解决方案

碳化硅和氮化镓等宽禁带技术的进步使开关电源的新设计成为可能。为实现这些技术，英飞凌做出了大量投入，为您的开关电源设计提供了市场领先的 SiC 和 GaN 分立器件以及 IC 产品组合。 

具体而言，SiC 适用于 650 V 到 3.3 kV 的应用，如车外电动汽车充电。例如，在这一应用中，我们的 CoolSiC™ 1200 V SiC 沟槽 MOSFET 可实现双向性，以及 1200 V 开关中最低的栅极电荷和器件电容水平，并且内部体二极管没有反向恢复损耗。

同时，GaN 常用于服务器和通信等领域的 40 V 至 650 V 应用中。在这些应用中，我们的 CoolGaN™ GaN HEMT 所配备的硬开关功能可以节省成本，提高每个机架的输出功率，简化控制方案，比次好的硅替代品更具效率优势。

英飞凌的开关电源（SMPS）解决方案

英飞凌提供全系列的电源控制器和开关，包括 AC-DC 控制器、DC-DC 转换器、各种封装的硅和 SiC MOSFET、GaN HEMT、智能功率模块、照明 IC、晶体管（IGBT）、二极管和整流器、稳压器、隔离接口以及用于内部和外部电源应用的电压和电流管理。

我们的设计方案可提高有源模式效率，降低待机功耗，并在布局的每个阶段（从输入到负载）提供功率因数校正。英飞凌为您的设计需求提供微安到兆瓦级的分立器件或集成器件解决方案。

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适合于各种 SMPS 应用的尖端半导体解决方案

SMPS 设计应用广泛，包括台式电脑、便携式电子设备的适配器和充电器、服务器和数据中心、电信基础设施、电动汽车充电、以及需要不间断电源（UPS）的场合（如空中交通管制系统）、医疗应用以及工业应用（如过程控制、工厂自动化和机械控制等）。

无论是哪种应用，效率、可靠性和更高的功率输出都是最重要且必须要满足的的要求。英飞凌的半导体解决方案可满足以上甚至更多要求。我们提供全面的Si，SiC 功率 MOSFET 以及 GaN HEMT 产品组合，您可根据自己的需求选择合适的技术。

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英飞凌的宽禁带 SMPS 解决方案

碳化硅和氮化镓等宽禁带技术的进步使开关电源的新设计成为可能。为实现这些技术，英飞凌做出了大量投入，为您的开关电源设计提供了市场领先的 SiC 和 GaN 分立器件以及 IC 产品组合。 

具体而言，SiC 适用于 650 V 到 3.3 kV 的应用，如车外电动汽车充电。例如，在这一应用中，我们的 CoolSiC™ 1200 V SiC 沟槽 MOSFET 可实现双向性，以及 1200 V 开关中最低的栅极电荷和器件电容水平，并且内部体二极管没有反向恢复损耗。

同时，GaN 常用于服务器和通信等领域的 40 V 至 650 V 应用中。在这些应用中，我们的 CoolGaN™ GaN HEMT 所配备的硬开关功能可以节省成本，提高每个机架的输出功率，简化控制方案，比次好的硅替代品更具效率优势。

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