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PQFN 2x2

OptiMOS™ 和 IR MOSFET：采用 PQFN 2x2 封装的低压功率 MOSFET

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概述

超紧凑型 PQFN 2 x 2产品系列是英飞凌丰富的小尺寸 MOSFET 产品的一部分，这些 MOSFET 具有低 RDS(on) 和高开关性能。该系列产品以小尺寸实现高效率，是负载开关、低功率 DC-DC 应用（包括 LED 照明）和无线充电 MOSFET 的完美解决方案。

关键特性

  • 低 RDS(on) 配小封装
  • 减少电路板空间
  • 低栅极电荷
  • 低开关和驱动损耗
  • 2.5 V-10 V 栅极驱动可选电压

产品

关于

针对小封装进行优化，实现最高效率

结合 PCB 布局布线的最高灵活性、出色的电气性能和仅 2x2 mm² 的小尺寸，进一步实现了一流的功率密度、外形尺寸改进，并降低了终端应用中的系统温度。这些使设计人员能够更轻松地进行热管理，缩小系统尺寸，显著节省空间，降低系统成本，并易于设计产品。

最广泛的 PQFN 2x2 封装解决方案组合

PQFN 2x2 封装采用 N 沟道功率 IR MOSFET 和 OptiMOS™ MOSFET 技术，为客户的通用和高性能应用提供最佳解决方案。这种超紧凑的封装以及出色的电气性能，减小了终端应用的外形尺寸。

功率 MOSFET 阈值电压概述

栅极阈值电压的定义，VGS（th）：在功率 MOSFET 的源极和漏极之间创建导电路径所需的最小栅极到源极电压。
英飞凌为V GS(th)提供了多种选择：

  • NL（正常电平）：2 V - 4 V
  • LL（逻辑电平）：1 V - 3 V
  • SLL（超逻辑电平）：0.5 V - 1 V

何时使用逻辑电平 (LL/SLL) 设备：

  • 在低频应用中，可以直接从微控制器直接驱动 MOSFET，而无需外部 MOSFET 驱动器。
  • 有些系统的总线电压有限，例如 5V，这就需要使用 LL/SLL 设备。

为什么要使用标准电平 (NL) 器件

  • 在嘈杂的环境中，较高的阈值电压可防止 MOSFET 误导通。
  • 这些器件有较低的栅极电荷和 RDS(on) ，通常不限于 < = 100 V 器件。

针对小封装进行优化，实现最高效率

结合 PCB 布局布线的最高灵活性、出色的电气性能和仅 2x2 mm² 的小尺寸，进一步实现了一流的功率密度、外形尺寸改进，并降低了终端应用中的系统温度。这些使设计人员能够更轻松地进行热管理，缩小系统尺寸，显著节省空间，降低系统成本，并易于设计产品。

最广泛的 PQFN 2x2 封装解决方案组合

PQFN 2x2 封装采用 N 沟道功率 IR MOSFET 和 OptiMOS™ MOSFET 技术，为客户的通用和高性能应用提供最佳解决方案。这种超紧凑的封装以及出色的电气性能，减小了终端应用的外形尺寸。

功率 MOSFET 阈值电压概述

栅极阈值电压的定义，VGS（th）：在功率 MOSFET 的源极和漏极之间创建导电路径所需的最小栅极到源极电压。
英飞凌为V GS(th)提供了多种选择：

  • NL（正常电平）：2 V - 4 V
  • LL（逻辑电平）：1 V - 3 V
  • SLL（超逻辑电平）：0.5 V - 1 V

何时使用逻辑电平 (LL/SLL) 设备：

  • 在低频应用中，可以直接从微控制器直接驱动 MOSFET，而无需外部 MOSFET 驱动器。
  • 有些系统的总线电压有限，例如 5V，这就需要使用 LL/SLL 设备。

为什么要使用标准电平 (NL) 器件

  • 在嘈杂的环境中，较高的阈值电压可防止 MOSFET 误导通。
  • 这些器件有较低的栅极电荷和 RDS(on) ，通常不限于 < = 100 V 器件。

文档

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