CoolSiC™ 肖特基二极管 1200 V G5

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概述

CoolSiC ™肖特基二极管 2000 V，能够以最小的功率损耗过渡到更高的功率水平，这可以通过增加直流链路电压来实现。这是市场上第一款击穿电压为 2000 V 的分立碳化硅二极管。

CoolSiC™肖特基二极管 2000 V G5 系列使开发人员能够仅使用 1200 V 解决方案一半的元件数量在其应用中实现更高的功率水平。这简化了整体设计，并实现了从多级拓扑到2级拓扑的平稳过渡。

该产品系列适用于直流链路电压高达 1500 VDC 的应用，并提供 10 至 80 A 的额定电流。

2000 V 二极管系列与 TO-247Plus-4 HCC 封装中的 CoolSiC MOSFET 2000 V 完美匹配，非常适合太阳能和电动汽车充电应用等更高直流链路电压应用。

该产品系列适用于直流链路电压高达 1500 VDC 的应用，并提供 10 至 80 A 的额定电流。

2000 V 二极管系列与 TO-247Plus-4 HCC 封装中的 CoolSiC MOSFET 2000 V 完美匹配，非常适合太阳能和电动汽车充电应用等更高直流链路电压应用。