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PSRAM — 伪静态RAM

HYPERRAM™ - 低引脚数、高带宽 pSRAM 存储器，封装尺寸小

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概述

英飞凌提供全面的HYPERRAM™/Octal xSPI RAM存储器产品组合，密度范围为64 Mb至512 Mb。凭借其独特的高带宽和低引脚数组合，HYPERRAM™ 非常适合需要额外 RAM 进行数据密集型操作的各种工业和汽车应用。这些能源经济型 pSRAM 也是电池供电的消费类和可穿戴设备的理想扩展存储器选择。

关键特性

  • 6 x 8 mm 的小封装
  • 通过 xSPI/HYPERBUS™减少引脚数
  • 通过混合休眠模式实现节能高效
  • 高达 800 Mbps 的高吞吐量
  • HYPERFLASH™ 加上 HYPERRAM™ 作为 MCP
  • 可扩展密度高达 512 Mb
  • AEC-Q100 设备，温度最高可达 125°C
  • 广泛的生态系统支持

产品

关于

HYPERRAM™  - 伪静态RAM（pSRAM）技术

HYPERRAM™是一款高速CMOS，自刷新DRAM，具有HYPERBUS™接口。它的存储器阵列内部结构类似于 DRAM，但在外部却像 SRAM 一样运作。

DRAM 阵列需要定期刷新才能保持数据完整性。当主机未主动读取或写入内存时，HYPERRAM™ 在内部管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于不需要主机管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRAM 阵列就像静态单元，无需刷新即可保留数据。因此，HYPERRAM™被描述为伪静态RAM（pSRAM）。

这些低功耗、高性能和低引脚数的 pSRAM 适用于需要额外 RAM 来缓冲数据、音频、图像、视频的应用程序，或者用作数学和数据密集型操作的便笺的应用程序。

  • 密度：64 Mb、128 Mb、256 Mb、512 Mb
  • 接口：HyperBus™(x8)、Octal xSPI(x8) 和HyperBus™ Extended I/O (x16)
  • 主要特性：
    • 外形小巧 – FBGA封装确保了较小的占板空间
    • 低引脚数 – 低引脚数有助于简化设计并降低系统成本
    • 低功耗 – 混合睡眠模式和部分阵列刷新可提高能效
    • 高吞吐量 – 高读/写带宽能最大限度地提高系统性能
开始使用 HYPERRAM™ - 阅读此处
英飞凌的 HYPERRAM™  系列

HYPERRAM™ 2.0是英飞凌的第二代低引脚数pSRAM，支持高达400 MBps的吞吐量。HYPERRAM™ 2.0 产品的容量从 64 Mb 到 512 Mb。HYPERRAM™ 2.0 设备提供Octal xSPI 和 HYPERBUS™ 接口。  

我们的第三代 pSRAM 产品 - HYPERRAM™ 3.0 使用新的 16 位扩展版本的 HYPERBUS™ 接口，将吞吐量翻倍至 800 MBps。256 Mb HYPERRAM™ 3.0 产品现已投入生产。

这些pSRAM产品符合工业/汽车标准，支持符合JEDEC标准的Octal xSPI和HYPERBUS™接口。

了解更多关于 HYPERRAM™ 产品组合的信息
HYPERBUS™/xSPI x8 DDR 接口，信号数量少

HYPERBUS™ 是一种低信号数 DDR 接口，可实现高速读写吞吐量。它利用一个用于地址和数据的高速 8 位 DDR 接口，以及一个差分时钟、一个读/写锁存信号和一个片选信号。

HYPERBUS™还可以支持同一总线上的外部 NOR 闪存和 RAM，并与任何具有 HYPERBUS™™ 兼容外设接口的微控制器配合使用。这只需要 13 个引脚用于数据事务（12 引脚 HYPERBUS™ + 1 个用于第二个存储设备的额外片选信号）。

在此处阅读有关 HYPERRAM™ 的更多信息
HYPERRAM™  vs.HYPERRAM™对比其他扩展存储解决方案

与基于并行接口的传统ADMUX pSRAM和SDR DRAM等竞争技术相比，HYPERRAM™产品实现了更高的每个引脚吞吐量。内置的自刷新电路和低功耗功能（如部分阵列刷新和混合休眠）可实现更低的功耗，使 HYPERRAM™ 适合可穿戴设备和物联网设备等功耗受限的应用。

HYPERRAM™ 设备用于高要求的应用

HYPERRAM™ 的高吞吐量、低引脚数、更小的占地面积和经济高效使其成为各种汽车、工业、消费电子和通信应用的理想扩展存储器选择。

  • 汽车仪表盘

HYPERRAM™存储器提供密度可扩展性，以满足不同仪表盘系统的要求。这些存储设备为实时图形和高速访问提供了理想的解决方案。低引脚数接口还降低了设计复杂性和PCB尺寸，从而节省了设计成本。

  • 工业机器视觉相机

FPGA 用于工业应用的内部 RAM 资源有限，并且通常需要低引脚数的外部存储器来进行图像处理。HYPERRAM™ 具有更少的引脚数和更高的密度，使其成为理想的扩展存储器解决方案。

在此处阅读有关汽车应用的更多信息
在此处阅读有关工业应用的更多信息

HYPERRAM™  - 伪静态RAM（pSRAM）技术

HYPERRAM™是一款高速CMOS，自刷新DRAM，具有HYPERBUS™接口。它的存储器阵列内部结构类似于 DRAM，但在外部却像 SRAM 一样运作。

DRAM 阵列需要定期刷新才能保持数据完整性。当主机未主动读取或写入内存时，HYPERRAM™ 在内部管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于不需要主机管理任何刷新操作，因此在主机看来，DRAM 阵列就像静态单元，无需刷新即可保留数据。因此，HYPERRAM™被描述为伪静态RAM（pSRAM）。

这些低功耗、高性能和低引脚数的 pSRAM 适用于需要额外 RAM 来缓冲数据、音频、图像、视频的应用程序，或者用作数学和数据密集型操作的便笺的应用程序。

  • 密度：64 Mb、128 Mb、256 Mb、512 Mb
  • 接口：HyperBus™(x8)、Octal xSPI(x8) 和HyperBus™ Extended I/O (x16)
  • 主要特性：
    • 外形小巧 – FBGA封装确保了较小的占板空间
    • 低引脚数 – 低引脚数有助于简化设计并降低系统成本
    • 低功耗 – 混合睡眠模式和部分阵列刷新可提高能效
    • 高吞吐量 – 高读/写带宽能最大限度地提高系统性能
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英飞凌的 HYPERRAM™  系列

HYPERRAM™ 2.0是英飞凌的第二代低引脚数pSRAM，支持高达400 MBps的吞吐量。HYPERRAM™ 2.0 产品的容量从 64 Mb 到 512 Mb。HYPERRAM™ 2.0 设备提供Octal xSPI 和 HYPERBUS™ 接口。  

我们的第三代 pSRAM 产品 - HYPERRAM™ 3.0 使用新的 16 位扩展版本的 HYPERBUS™ 接口，将吞吐量翻倍至 800 MBps。256 Mb HYPERRAM™ 3.0 产品现已投入生产。

这些pSRAM产品符合工业/汽车标准，支持符合JEDEC标准的Octal xSPI和HYPERBUS™接口。

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HYPERBUS™/xSPI x8 DDR 接口，信号数量少

HYPERBUS™ 是一种低信号数 DDR 接口，可实现高速读写吞吐量。它利用一个用于地址和数据的高速 8 位 DDR 接口，以及一个差分时钟、一个读/写锁存信号和一个片选信号。

HYPERBUS™还可以支持同一总线上的外部 NOR 闪存和 RAM，并与任何具有 HYPERBUS™™ 兼容外设接口的微控制器配合使用。这只需要 13 个引脚用于数据事务（12 引脚 HYPERBUS™ + 1 个用于第二个存储设备的额外片选信号）。

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HYPERRAM™  vs.HYPERRAM™对比其他扩展存储解决方案

与基于并行接口的传统ADMUX pSRAM和SDR DRAM等竞争技术相比，HYPERRAM™产品实现了更高的每个引脚吞吐量。内置的自刷新电路和低功耗功能（如部分阵列刷新和混合休眠）可实现更低的功耗，使 HYPERRAM™ 适合可穿戴设备和物联网设备等功耗受限的应用。

HYPERRAM™ 设备用于高要求的应用

HYPERRAM™ 的高吞吐量、低引脚数、更小的占地面积和经济高效使其成为各种汽车、工业、消费电子和通信应用的理想扩展存储器选择。

  • 汽车仪表盘

HYPERRAM™存储器提供密度可扩展性，以满足不同仪表盘系统的要求。这些存储设备为实时图形和高速访问提供了理想的解决方案。低引脚数接口还降低了设计复杂性和PCB尺寸，从而节省了设计成本。

  • 工业机器视觉相机

FPGA 用于工业应用的内部 RAM 资源有限，并且通常需要低引脚数的外部存储器来进行图像处理。HYPERRAM™ 具有更少的引脚数和更高的密度，使其成为理想的扩展存储器解决方案。

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