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晶圆和裸片存储器解决方案

用于定制解决方案的良裸晶粒 (KGD) 存储器

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概述

英飞凌为需要存储器的定制系统级封装（SiP）和多芯片封装（MCP）解决方案提供高性能和可靠的已知合格晶粒和晶圆（KGD/KGW）产品。通过符合行业标准和包括高温筛选在内的广泛认证，我们提供的晶圆和晶粒产品具有与封装零件相同的性能和可靠性。

关键特性

  • 符合 EIAJ EDR-4703 标准
  • 晶圆级测试
  • 高温筛选
  • 视觉检测
  • 长期供货计划
  • 区域支持
  • 定制设计
  • 简化 PCB 布局
  • 灵活优化存储器

关于

串行和并行 NOR 闪存解决方案

英飞凌的 NOR 闪存采用已知合格的晶圆 (KGW) 格式，带有 Quad SPI 和并行接口。1.8 V Quad SPI 提供 64 Mb 和 256 Mb 密度，包括 256 Mb 的 SEMPER™ Nano。 3.0 V Quad SPI 提供 512 Mb。 3.0 V 并行 （x16） 接口提供 128 Mb 至 1 Gb 密度。温度等级因产品而异，包括商用、工业和扩展产品。

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串行和并行 F-RAM 解决方案

英飞凌的F-RAM采用KGW格式，带有Quad SPI和并行接口。宽电压范围 (2 V-3.6 V) Quad SPI 有 2 Mb 和 4 Mb 的密度可供选择。宽电压范围 (2 V-3.6 V) 并行接口有 256 Kb、1 Mb 和 2 Mb 密度可供选择。256 Kb 支持 x8 并行，2 Mb 支持 x16 并行，1 Mb 同时支持两者。KGW 格式的 F-RAM 符合工业额定值（-40°C 至 +85°C）。

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工业级并行 nvSRAM

英飞凌的nvSRAM采用KGW格式，具有宽电压范围（2.7 V-3.6 V）的8位并行接口。它有 1 Mb 和 4 Mb 的密度可供选择，额定工作温度范围为 -40°C 至 +85°C（工业级）。

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广泛的并行异步 SRAM 解决方案

英飞凌以KGW格式提供各种异步SRAM，包括额定值适用于商用（0°C 至 +70°C）、工业（-40°C 至 +85°C）和军用（-55°C 至 +125°C）应用领域的器件。密度包括 256 Kb 和 1 Mb、2 Mb、4 Mb、8Mb 和 16 Mb，并行接口包括具有行业标准接口电压的 x4、x8 和 x16 总线宽度。联系我们，探索各种选项。

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工业级并行同步 SRAM

英飞凌的同步 SRAM 采用KGW格式，密度为 9 Mb 和 72 Mb。9 Mb 器件提供宽范围电压（2.4 V-3.6 V），可通过 18 位或 36 位并行接口运行。72 Mb 器件采用宽范围电压（2.4 V-3.6 V），可通过 36 位并行接口运行。所有设备均符合工业额定值（-40°C 至 +85°C）。

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串行和并行 NOR 闪存解决方案

英飞凌的 NOR 闪存采用已知合格的晶圆 (KGW) 格式，带有 Quad SPI 和并行接口。1.8 V Quad SPI 提供 64 Mb 和 256 Mb 密度，包括 256 Mb 的 SEMPER™ Nano。 3.0 V Quad SPI 提供 512 Mb。 3.0 V 并行 （x16） 接口提供 128 Mb 至 1 Gb 密度。温度等级因产品而异，包括商用、工业和扩展产品。

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串行和并行 F-RAM 解决方案

英飞凌的F-RAM采用KGW格式，带有Quad SPI和并行接口。宽电压范围 (2 V-3.6 V) Quad SPI 有 2 Mb 和 4 Mb 的密度可供选择。宽电压范围 (2 V-3.6 V) 并行接口有 256 Kb、1 Mb 和 2 Mb 密度可供选择。256 Kb 支持 x8 并行，2 Mb 支持 x16 并行，1 Mb 同时支持两者。KGW 格式的 F-RAM 符合工业额定值（-40°C 至 +85°C）。

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工业级并行 nvSRAM

英飞凌的nvSRAM采用KGW格式，具有宽电压范围（2.7 V-3.6 V）的8位并行接口。它有 1 Mb 和 4 Mb 的密度可供选择，额定工作温度范围为 -40°C 至 +85°C（工业级）。

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广泛的并行异步 SRAM 解决方案

英飞凌以KGW格式提供各种异步SRAM，包括额定值适用于商用（0°C 至 +70°C）、工业（-40°C 至 +85°C）和军用（-55°C 至 +125°C）应用领域的器件。密度包括 256 Kb 和 1 Mb、2 Mb、4 Mb、8Mb 和 16 Mb，并行接口包括具有行业标准接口电压的 x4、x8 和 x16 总线宽度。联系我们，探索各种选项。

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工业级并行同步 SRAM

英飞凌的同步 SRAM 采用KGW格式，密度为 9 Mb 和 72 Mb。9 Mb 器件提供宽范围电压（2.4 V-3.6 V），可通过 18 位或 36 位并行接口运行。72 Mb 器件采用宽范围电压（2.4 V-3.6 V），可通过 36 位并行接口运行。所有设备均符合工业额定值（-40°C 至 +85°C）。

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