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抗辐射电源

抗辐射电源管理和功率转换可改善空间电源系统的尺寸、效率和功率密度

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关于

适用于空间和卫星应用的抗辐射电源解决方案

英飞凌的抗辐射功率电子器件用于卫星总线平台和有效载荷，以改善空间电力系统的尺寸、效率和功率密度。英飞凌的抗辐射电源管理和功率转换产品组合已通过 ESA 和 DLA 的标准认证，以其卓越的性能、可靠性、耐用性、以及世界一流的设计传统而享誉全球。我们的设计、运营和质量体系超越了军用标准。英飞凌拥有空间专用的半导体产品，满足商用电子器件无法达到的要求。

空间电源管理解决方案
英飞凌的抗辐射功率产品组合
  • • 抗辐射功率 MOSFET：英飞凌的抗辐射 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 经过筛选，符合 MIL-PRF-19500 和 ESCC-5000 标准，可作为 QPL 提供。部分抗辐射功率 MOSFET 也可作为裸片提供。
  • • 抗辐射功率 IC ：英飞凌的抗辐射功率 IC经过精心设计，可与抗辐射功率 MOSFET 搭配使用，实现最佳性能。其 TID 额定值为100 krads（Si），可承受单粒子事件效应（SEE）的特性。
  • • 抗辐射固态继电器：英飞凌 SSR 系列继电器，如光耦合、缓冲和非缓冲固态继电器，采用英飞凌 IR HiRel 业界领先的抗辐射 MOSFET 技术。
  • • 抗辐射同步整流二极管：英飞凌的抗辐射同步整流二极管将抗辐射 N 沟道 MOSFET 电源和肖特基二极管组合成一种高效、节省电路板空间的解决方案。
  • • 空间应用的肖特基二极管和整流器：英飞凌的肖特基二极管和超快整流二极管有单管、共阴极、共阳极和双管结构可供选择。有各种电压版本可供选择，并符合行业标准封装。同时提供美国 DLA QPL。
英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试，以验证其抗辐射能力，其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。抗辐射设计技术从根本上消除了抗辐射功率 MOSFET 出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁（SEB）的可能性。另外，通过大量的 SEE 测试，性能的稳健性得到了验证。

适用于空间和卫星应用的抗辐射电源解决方案

英飞凌的抗辐射功率电子器件用于卫星总线平台和有效载荷，以改善空间电力系统的尺寸、效率和功率密度。英飞凌的抗辐射电源管理和功率转换产品组合已通过 ESA 和 DLA 的标准认证，以其卓越的性能、可靠性、耐用性、以及世界一流的设计传统而享誉全球。我们的设计、运营和质量体系超越了军用标准。英飞凌拥有空间专用的半导体产品，满足商用电子器件无法达到的要求。

空间电源管理解决方案

英飞凌的抗辐射功率产品组合
  • • 抗辐射功率 MOSFET：英飞凌的抗辐射 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 经过筛选，符合 MIL-PRF-19500 和 ESCC-5000 标准，可作为 QPL 提供。部分抗辐射功率 MOSFET 也可作为裸片提供。
  • • 抗辐射功率 IC ：英飞凌的抗辐射功率 IC经过精心设计，可与抗辐射功率 MOSFET 搭配使用，实现最佳性能。其 TID 额定值为100 krads（Si），可承受单粒子事件效应（SEE）的特性。
  • • 抗辐射固态继电器：英飞凌 SSR 系列继电器，如光耦合、缓冲和非缓冲固态继电器，采用英飞凌 IR HiRel 业界领先的抗辐射 MOSFET 技术。
  • • 抗辐射同步整流二极管：英飞凌的抗辐射同步整流二极管将抗辐射 N 沟道 MOSFET 电源和肖特基二极管组合成一种高效、节省电路板空间的解决方案。
  • • 空间应用的肖特基二极管和整流器：英飞凌的肖特基二极管和超快整流二极管有单管、共阴极、共阳极和双管结构可供选择。有各种电压版本可供选择，并符合行业标准封装。同时提供美国 DLA QPL。

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试，以验证其抗辐射能力，其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。抗辐射设计技术从根本上消除了抗辐射功率 MOSFET 出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁（SEB）的可能性。另外，通过大量的 SEE 测试，性能的稳健性得到了验证。

文档

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