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500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

详细了解我们的 500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道 MOSFET 产品组合 – 适用于各种应用的创新型 MOSFET 晶体管

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关于

CoolMOS™ 500 V–950 V N 沟道高压 MOSFET

英飞凌的 CoolMOS™ MOSFET 拥有最均衡的技术，集易用性、卓越性能和极具竞争力的价格于一身。CoolMOS™ 产品系列面向广泛的应用和更高的功率水平（亚瓦到多千瓦）。

此外，英飞凌还提供符合汽车标准的超结 MOSFET，可确保在现场实现最高的可靠性，其常规质量要求已超过汽车 AEC-Q101 质量要求。

英飞凌的 600 V、650 V 和 800 V CoolMOS™ MOSFET 带来比以往更加紧凑、性能更高的汽车应用解决方案。

CoolMOS™ MOSFET 采用多种创新封装解决方案，适用于低功率和高功率应用（包括顶部冷却型），可提供最清洁的开关和最低的工作温度。

了解有关 CoolMOS™ MOSFET 特性和优势的更多信息。

最高的可靠性和卓越的性价比

设计灵活性：针对低至高开关应用的系统优化产品

有竞争力的定价：利用制造质量的专业知识和基于价值的定价

易于设计：在线设计工具、模拟模型、开发者社区和产品支持

便捷的选择和购买：比较工具可帮助您快速选择正确的产品并通过分销网络检查可用性

质量和供应稳定性：最高制造标准，长期稳定的产品供应

尖端技术：英飞凌率先推出超结 MOSFET 技术，并在器件（Si、SiC 和 GaN）和封装两个方向上不断创新。

利用英飞凌丰富的创新型CoolMOS™ 500 V–950 V N 沟道功率 MOSFET 产品组合增强您的高功率设计。

CoolMOS™ 500 V–950 V N 沟道功率 MOSFET 产品组合

CoolMOS™ MOSFET 适用于各种电压等级，具有出色的换向坚固性，从而提高了效率和易用性，同时显著降低了开关和传导损耗。

  • P7（600 V、700 V、800 V 和 950 V）：为基于反激式的低功率和高功率 SMPS 应用提供一流的性价比
  • PFD7（600 V 和 950 V）：提供超高功率密度和最高效率设计
  • C7/G7（600 V 和 650 V）：在 PFC、TTF 和其他硬开关以及高端 LLC 拓扑中提供出色的效率
  • S7 (600 V)：具有低导通电阻 (RDS(on)) 值，非常适合需要低传导损耗且价格最实惠的应用
  • CFD7（600 V 和 650 V）：具有优化的体二极管，非常适合 LLC 和 ZVS PSFB 等谐振拓扑以及高端 SMPS 市场
  • CDF7A/C3A：快速开关 MOSFET，前端和后端均采用特殊筛选措施，符合 AEC-Q101 标准
  • S7A：非常适合经典升压 PFC 拓扑中的有源线路整流以及 HV eDisconnect 和 HV eFuse 应用

了解CoolMOS™ N 沟道 MOSFET 为何能成为公认的市场领导者。

ISO/TS 16949 认证：领先的质量和可靠性

英飞凌的 CoolMOS™ 超结 MOSFET 技术在业界享有盛誉，以高质量和可靠性而著称。多年来，英飞凌 MOSFET 的质量已经得到验证，出货量达数十亿件，缺陷率持续降低至0.05 DPM 以下。可靠性方面，经过 1.75 亿个设备小时的测量，同样的性能已被证明低于 0.1 FIT。

自 MOSFET 技术问世以来，英飞凌坚持通过质量设计计划和持续的生产改进来实施稳定而行之有效的措施。为了实现这一成果，技术、设计、质量、可靠性和制造团队之间一直保持着积极协作。英飞凌的所有工厂均已通过 ISO/TS 16949 认证，而这一努力远不止于此。

使用英飞凌的 MOSFET 技术改进您的设计方案，为多种应用领域带来尖端技术解决方案，确保无与伦比的性能、质量和可靠性。

CoolMOS™ 500 V–950 V N 沟道高压 MOSFET

英飞凌的 CoolMOS™ MOSFET 拥有最均衡的技术，集易用性、卓越性能和极具竞争力的价格于一身。CoolMOS™ 产品系列面向广泛的应用和更高的功率水平（亚瓦到多千瓦）。

此外，英飞凌还提供符合汽车标准的超结 MOSFET，可确保在现场实现最高的可靠性，其常规质量要求已超过汽车 AEC-Q101 质量要求。

英飞凌的 600 V、650 V 和 800 V CoolMOS™ MOSFET 带来比以往更加紧凑、性能更高的汽车应用解决方案。

CoolMOS™ MOSFET 采用多种创新封装解决方案，适用于低功率和高功率应用（包括顶部冷却型），可提供最清洁的开关和最低的工作温度。

了解有关 CoolMOS™ MOSFET 特性和优势的更多信息。

最高的可靠性和卓越的性价比

设计灵活性：针对低至高开关应用的系统优化产品

有竞争力的定价：利用制造质量的专业知识和基于价值的定价

易于设计：在线设计工具、模拟模型、开发者社区和产品支持

便捷的选择和购买：比较工具可帮助您快速选择正确的产品并通过分销网络检查可用性

质量和供应稳定性：最高制造标准，长期稳定的产品供应

尖端技术：英飞凌率先推出超结 MOSFET 技术，并在器件（Si、SiC 和 GaN）和封装两个方向上不断创新。

利用英飞凌丰富的创新型CoolMOS™ 500 V–950 V N 沟道功率 MOSFET 产品组合增强您的高功率设计。

CoolMOS™ 500 V–950 V N 沟道功率 MOSFET 产品组合

CoolMOS™ MOSFET 适用于各种电压等级，具有出色的换向坚固性，从而提高了效率和易用性，同时显著降低了开关和传导损耗。

  • P7（600 V、700 V、800 V 和 950 V）：为基于反激式的低功率和高功率 SMPS 应用提供一流的性价比
  • PFD7（600 V 和 950 V）：提供超高功率密度和最高效率设计
  • C7/G7（600 V 和 650 V）：在 PFC、TTF 和其他硬开关以及高端 LLC 拓扑中提供出色的效率
  • S7 (600 V)：具有低导通电阻 (RDS(on)) 值，非常适合需要低传导损耗且价格最实惠的应用
  • CFD7（600 V 和 650 V）：具有优化的体二极管，非常适合 LLC 和 ZVS PSFB 等谐振拓扑以及高端 SMPS 市场
  • CDF7A/C3A：快速开关 MOSFET，前端和后端均采用特殊筛选措施，符合 AEC-Q101 标准
  • S7A：非常适合经典升压 PFC 拓扑中的有源线路整流以及 HV eDisconnect 和 HV eFuse 应用

了解CoolMOS™ N 沟道 MOSFET 为何能成为公认的市场领导者。

ISO/TS 16949 认证：领先的质量和可靠性

英飞凌的 CoolMOS™ 超结 MOSFET 技术在业界享有盛誉，以高质量和可靠性而著称。多年来，英飞凌 MOSFET 的质量已经得到验证，出货量达数十亿件，缺陷率持续降低至0.05 DPM 以下。可靠性方面，经过 1.75 亿个设备小时的测量，同样的性能已被证明低于 0.1 FIT。

自 MOSFET 技术问世以来，英飞凌坚持通过质量设计计划和持续的生产改进来实施稳定而行之有效的措施。为了实现这一成果，技术、设计、质量、可靠性和制造团队之间一直保持着积极协作。英飞凌的所有工厂均已通过 ISO/TS 16949 认证，而这一努力远不止于此。

使用英飞凌的 MOSFET 技术改进您的设计方案，为多种应用领域带来尖端技术解决方案，确保无与伦比的性能、质量和可靠性。

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