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600 V CoolMOS™ P7

700 V CoolMOS™ P7 N 沟道超结 MOSFET - 我们对反激拓扑的解答

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概述

700 V CoolMOS™ P7 N 沟道超结 (SJ) MOSFET 系列专为满足当今,尤其是未来的反激拓扑趋势而开发。该技术适用于低功耗 SMPS 市场,主要侧重于手机充电器和笔记本电脑适配器,但同样适用于照明应用、家庭娱乐(电视、游戏机或音频)中使用的电源,以及辅助电源。

关键特性

  • 符合 HBM Class 2 的高ESD耐用性
  • 高速控制开关
  • 集成保护齐纳二极管
  • 窄公差优化的 VGS(th)
  • 精细分级的产品组合
  • 具有成本竞争力的技术
  • 易于驱动和设计

产品

关于

与竞争产品相比,700 V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET 系列可实现高达 4% 的显著效率增益,并将器件温度降低多达 16°C。与之前的 650 V CoolMOS™ C6 技术相比,在以 140 kHz 开关速度运行的基于反激式的充电器应用中测量, 它的效率提高了 2.4%,设备温度降低了 12°C。

P7 具有低开关损耗 (Eoss) 和出色的热性能,可实现高速开关。采用齐纳二极管的集成保护和经过优化 3V VGS (th) 以及 ±0.5V 的极窄公差增强了该器件的稳定性。这一点和精细分级的产品组合使得 P7 可以轻松地为任何低功耗应用选择最合适的设备。

700 V CoolMOS™ P7 是一款高度通用的器件,适用于以高性能和效率为首要关注点的众多行业。

在可再生能源领域,700 V CoolMOS™ P7 用于太阳能逆变器,它有助于将太阳能电池板的直流电转换为可用于家庭和企业的交流电。

在汽车行业,700 V CoolMOS™ P7 用于电动和混合动力汽车,它有助于管理电池和电机之间的功率流动。其高额定电压和低导通电阻使其成为高功率应用的理想选择。

在工业领域,700 V CoolMOS™ P7 用于电机驱动器,它有助于控制电动机的速度和扭矩。P7 因其坚固的体二极管和低通态损耗而成为首选。

总体而言,700 V CoolMOS™ P7 是一款高度通用的器件,广泛应用于各行各业。其先进的功能使其成为追求高性能和高效率的电力电子设计人员的理想选择。

与竞争产品相比,700 V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET 系列可实现高达 4% 的显著效率增益,并将器件温度降低多达 16°C。与之前的 650 V CoolMOS™ C6 技术相比,在以 140 kHz 开关速度运行的基于反激式的充电器应用中测量, 它的效率提高了 2.4%,设备温度降低了 12°C。

P7 具有低开关损耗 (Eoss) 和出色的热性能,可实现高速开关。采用齐纳二极管的集成保护和经过优化 3V VGS (th) 以及 ±0.5V 的极窄公差增强了该器件的稳定性。这一点和精细分级的产品组合使得 P7 可以轻松地为任何低功耗应用选择最合适的设备。

700 V CoolMOS™ P7 是一款高度通用的器件,适用于以高性能和效率为首要关注点的众多行业。

在可再生能源领域,700 V CoolMOS™ P7 用于太阳能逆变器,它有助于将太阳能电池板的直流电转换为可用于家庭和企业的交流电。

在汽车行业,700 V CoolMOS™ P7 用于电动和混合动力汽车,它有助于管理电池和电机之间的功率流动。其高额定电压和低导通电阻使其成为高功率应用的理想选择。

在工业领域,700 V CoolMOS™ P7 用于电机驱动器,它有助于控制电动机的速度和扭矩。P7 因其坚固的体二极管和低通态损耗而成为首选。

总体而言,700 V CoolMOS™ P7 是一款高度通用的器件,广泛应用于各行各业。其先进的功能使其成为追求高性能和高效率的电力电子设计人员的理想选择。

文档

设计资源

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