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CoolMOS™ P7

600 V、700 V、800 V 和 950 V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET

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关于

CoolMOS™ P7 产品组合包含 600 V 至 950 V 超结 (SJ) MOSFET

CoolMOS™ P7 产品组合包括专为高效率功率转换应用而设计的超结 (SJ) MOSFET。这些 MOSFET 的额定电压从 600 V 到 950 V 不等，非常适合用于各种应用，包括辅助电源、照明和充电器应用、太阳能逆变器和工业电机驱动器。

CoolMOS™ P7 MOSFET 具有低栅极电荷和低导通电阻，从而降低了开关损耗并提高了效率。它们还具有更高的阈值电压和集成的齐纳保护二极管，这使得它们对电压尖峰和噪声不太敏感。

此外，CoolMOS™ P7 MOSFET 具有很高的雪崩耐用性，这意味着它们可以承受高压瞬变而不会损坏。这使它们非常适用于电压尖峰和浪涌常见的应用，从反激式拓扑到连接到弱电网的任何电源。

探索合适的解决方案使用600 V、700 V、800 V 和 950 V P7 MOSFET

CoolMOS™ P7 产品组合提供一系列额定电压，包括 600 V、700 V、800 V 和 950 V MOSFET。广泛的封装选项，包括 SOT-223 和 IPAK-short-lead，以及一系列高度精细的 RDS(on) - 使得 P7 系列易于设计。

对于服务器电源或电信整流器等应用，600 V 和 700 V MOSFET 是一个不错的选择。这些 MOSFET 具有低导通电阻和低栅极电荷，从而降低了开关损耗，提高了效率，同时还能很好地控制电磁干扰。

对于需要更高额定电压的应用，例如使用反激式拓扑，800 V 和 950 V MOSFET 是更好的选择。这些 MOSFET 可通过更高的阈值电压和高雪崩耐用性提供稳定的运行 - 它们可以承受大而快速的电压瞬变而不会造成损坏。

一流的性价比和卓越的易用性

CoolMOS™ P7 MOSFET 产品组合提供同类最佳的性价比，使其成为适用于各种功率转换应用的高性价比解决方案。凭借其低导通电阻和低栅极电荷，这些 MOSFET可提供高效率和更低的开关损耗，这有助于降低转换器的总成本。

此外，CoolMOS™ P7 MOSFET 具有卓越的易用性，使其易于集成到现有设计中，缩短了设计周期。此外，还提供了各种资格级别，可以进一步优化成本。

CoolMOS™ P7 产品组合包含 600 V 至 950 V 超结 (SJ) MOSFET

CoolMOS™ P7 产品组合包括专为高效率功率转换应用而设计的超结 (SJ) MOSFET。这些 MOSFET 的额定电压从 600 V 到 950 V 不等，非常适合用于各种应用，包括辅助电源、照明和充电器应用、太阳能逆变器和工业电机驱动器。

CoolMOS™ P7 MOSFET 具有低栅极电荷和低导通电阻，从而降低了开关损耗并提高了效率。它们还具有更高的阈值电压和集成的齐纳保护二极管，这使得它们对电压尖峰和噪声不太敏感。

此外，CoolMOS™ P7 MOSFET 具有很高的雪崩耐用性，这意味着它们可以承受高压瞬变而不会损坏。这使它们非常适用于电压尖峰和浪涌常见的应用，从反激式拓扑到连接到弱电网的任何电源。

探索合适的解决方案使用600 V、700 V、800 V 和 950 V P7 MOSFET

CoolMOS™ P7 产品组合提供一系列额定电压，包括 600 V、700 V、800 V 和 950 V MOSFET。广泛的封装选项，包括 SOT-223 和 IPAK-short-lead，以及一系列高度精细的 RDS(on) - 使得 P7 系列易于设计。

对于服务器电源或电信整流器等应用，600 V 和 700 V MOSFET 是一个不错的选择。这些 MOSFET 具有低导通电阻和低栅极电荷，从而降低了开关损耗，提高了效率，同时还能很好地控制电磁干扰。

对于需要更高额定电压的应用，例如使用反激式拓扑，800 V 和 950 V MOSFET 是更好的选择。这些 MOSFET 可通过更高的阈值电压和高雪崩耐用性提供稳定的运行 - 它们可以承受大而快速的电压瞬变而不会造成损坏。

一流的性价比和卓越的易用性

CoolMOS™ P7 MOSFET 产品组合提供同类最佳的性价比，使其成为适用于各种功率转换应用的高性价比解决方案。凭借其低导通电阻和低栅极电荷，这些 MOSFET可提供高效率和更低的开关损耗，这有助于降低转换器的总成本。

此外，CoolMOS™ P7 MOSFET 具有卓越的易用性，使其易于集成到现有设计中，缩短了设计周期。此外，还提供了各种资格级别，可以进一步优化成本。

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