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950 V CoolMOS™ P7

非常适合 PFC 和反激式拓扑

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概述

英飞凌最新的 950 V CoolMOS™ P7 技术专注于低功耗 SMPS 市场，适用于从照明、智能电表、手机充电器、笔记本电脑适配器到 AUX 电源和工业 SMPS 等各种应用。P7 拥有同类最佳的 3V VGS (th)、仅 ±0.5 V 的容差、受保护的栅极和广泛的产品组合。

关键特性

  • ESD 栅极保护达到 Class2 (HBM)
  • 同类最佳的 FOM RDS(on)*Eoss
  • 同类最小的 Qg、Ciss 和 Coss
  • 最小的 VGS(th) 变化 (±0.5 V)
  • 最小的 RDS(on)=450 mΩ (DPAK 封装)

产品

关于

坚固耐用的高压 MOSFET

950 V CoolMOS™ P7 系列是专为低功耗应用而开发的。较大的工作电压允许对能量浪涌事件做出强有力的响应，就像照明和智能电表应用中的弱电线一样。实现了齐纳门极保护，从而增强了显著的ESD抗干扰能力。

轻松实现高效的高压运行

CoolMOS™ P7 采用同类最佳的3V VGS(th)开发而成，容差仅为 ±0.5 V，使其易于驱动和设计。过严格的工艺控制保证了CoolMOS™ P7的高阈值电压，结合稳健的抗噪音电流切换，使得门极驱动/控制电路可以支持更宽广的电源范围。

广泛的产品组合便于设计

拥有广泛的封装和导通电阻范围，让CoolMOS™ P7适用于众多应用场合，易于进行设计。SMD 封装（SOT223、DPAK）针对具有快速开关功能的高密度转换器进行了调整。隔离式 TO220 FullPak 版本通过简化隔离布置来满足低组装成本转换器的需求，而 IPAK 版本涵盖了采用其他方式处理隔离的组件。Rds(on)的范围从 0.45Ω到 3.7Ω，便于成本优化设计。

坚固耐用的高压 MOSFET

950 V CoolMOS™ P7 系列是专为低功耗应用而开发的。较大的工作电压允许对能量浪涌事件做出强有力的响应，就像照明和智能电表应用中的弱电线一样。实现了齐纳门极保护，从而增强了显著的ESD抗干扰能力。

轻松实现高效的高压运行

CoolMOS™ P7 采用同类最佳的3V VGS(th)开发而成，容差仅为 ±0.5 V，使其易于驱动和设计。过严格的工艺控制保证了CoolMOS™ P7的高阈值电压，结合稳健的抗噪音电流切换，使得门极驱动/控制电路可以支持更宽广的电源范围。

广泛的产品组合便于设计

拥有广泛的封装和导通电阻范围，让CoolMOS™ P7适用于众多应用场合，易于进行设计。SMD 封装（SOT223、DPAK）针对具有快速开关功能的高密度转换器进行了调整。隔离式 TO220 FullPak 版本通过简化隔离布置来满足低组装成本转换器的需求，而 IPAK 版本涵盖了采用其他方式处理隔离的组件。Rds(on)的范围从 0.45Ω到 3.7Ω，便于成本优化设计。

文档

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设计资源

开发者社区

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