高功率密度IBC模块

高效率、高功率密度解决方案，助力降低 AI 数据中心的总体拥有成本

概述

英飞凌设计的 IBC 模块集成了高品质的英飞凌器件，包括 MOSFET、GaN 器件、控制器和驱动芯片，采用专用架构与优化磁件设计。这种高度集成方案打造出高品质、高可靠性的模块，为 48 V 背板提供紧凑高效的中间总线。相较于传统分立式方案，可降低总拥有成本 (TCO)、减少电磁干扰 (EMI) 、提升热裕度。

关键特性

  • 高功率密度模块
  • 高效率、低功耗
  • 采用英飞凌高可靠性开关器件
  • 符合英飞凌质量标准
  • 内置PMBus遥测和控制功能
  • 保护功能：欠压锁定 (UVLO)、过流保护 (OCP)、过压保护 (OVP)
  • 热优化设计
  • 便于集成
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产品

关于

数据中心的 48 V 中间总线转换器模块

受 AI 工作负载及其极高功耗的驱动，数据中心正采用 48V 中间母线架构。在该架构中，中间母线转换器（IBC）将为加速卡供电的 48V 母排电压转换为较低电压的电源轨（稳压或非稳压），使后级转换级能够高效生成满足严格电压要求的核心电源轨和负载点电源轨。这种多级方案可降低配电损耗，为快速、大幅的负载瞬态留出余量（峰值可达平均功率的约2倍），并满足对电路板面积、热限制（印制电路板（PCB）温度可能接近80°C）和运行可用性的严格要求。因此，IBC 转换器成为实现高功率密度、高效率和高可靠性的首选方案。

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为什么选择 IBC 模块而不是板载解决方案

与板上分立式 IBC 设计相比，IBC 功率模块可简化设计和布局，将控制、磁性元件和保护功能集成于经过验证的热优化封装中，便于满足 EMI（电磁干扰）合规要求，并提供更高的功率密度和更强的峰值功率能力，加快产品上市时间，同时通过标准化封装尺寸和多供应商兼容性增强供应链韧性。

查看交互式框图

为何选择英飞凌的计算解决方案

Infineon 是计算领域的功率半导体市场领导者，凭借硅和宽禁带技术以及先进的 BCD（双极-CMOS-DMOS）工艺，持续引领行业发展。我们提供采用先进封装技术的前沿解决方案，包括多裸片嵌入、功率模块和集成磁性元件，并具备在新型48V和12V拓扑、先进磁性元件、垂直供电及可扩展架构方面的系统级专业能力。我们的模块均已按照 Infineon 严格的质量标准进行全面验证，确保久经验证的可靠性。我们具备完整的系统知识，并提供丰富的产品组合。

数据中心的 48 V 中间总线转换器模块

受 AI 工作负载及其极高功耗的驱动，数据中心正采用 48V 中间母线架构。在该架构中，中间母线转换器（IBC）将为加速卡供电的 48V 母排电压转换为较低电压的电源轨（稳压或非稳压），使后级转换级能够高效生成满足严格电压要求的核心电源轨和负载点电源轨。这种多级方案可降低配电损耗，为快速、大幅的负载瞬态留出余量（峰值可达平均功率的约2倍），并满足对电路板面积、热限制（印制电路板（PCB）温度可能接近80°C）和运行可用性的严格要求。因此，IBC 转换器成为实现高功率密度、高效率和高可靠性的首选方案。

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为什么选择 IBC 模块而不是板载解决方案

与板上分立式 IBC 设计相比，IBC 功率模块可简化设计和布局，将控制、磁性元件和保护功能集成于经过验证的热优化封装中，便于满足 EMI（电磁干扰）合规要求，并提供更高的功率密度和更强的峰值功率能力，加快产品上市时间，同时通过标准化封装尺寸和多供应商兼容性增强供应链韧性。

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为何选择英飞凌的计算解决方案

Infineon 是计算领域的功率半导体市场领导者，凭借硅和宽禁带技术以及先进的 BCD（双极-CMOS-DMOS）工艺，持续引领行业发展。我们提供采用先进封装技术的前沿解决方案，包括多裸片嵌入、功率模块和集成磁性元件，并具备在新型48V和12V拓扑、先进磁性元件、垂直供电及可扩展架构方面的系统级专业能力。我们的模块均已按照 Infineon 严格的质量标准进行全面验证，确保久经验证的可靠性。我们具备完整的系统知识，并提供丰富的产品组合。

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