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功率优化器解决方案
应用优化、节能的半导体产品,适用于单面板和多面板优化器设计

-
在本页
概览
功率优化器是提供最大功率点跟踪(MPPT)的 DC-DC 转换器。MPPT 用于实现全环境的功率提取最大化,能够承受辐照水平和温度的变化。MPPT 分为光伏电池板 MPPT 和组串 MPPT。光伏面板 MPPT 将提供更大的能量产量。此外,功率优化器还提供快速关机(RSD)功能和电源监控。
产品优势
- 半导体一站式服务
- 高效功率晶体管
- 专用的EiceDRIVER™栅极驱动器
- XENSIV™精确电流传感器
- 强大的 XMC™ 微控制器
- 高质量和可靠性
- 设计使用寿命长
- 满足最苛刻的使用要求
框图
关于
功率优化器可在户外恶劣条件下运行。因此,具备紧凑的外形、高效率和较长的使用寿命是这些设备能够投入使用的关键因素。例如,功率优化器在出现故障时,需要在屋顶上更换零件,而这会是一笔不菲的价格。因此,市场要求功率优化器的使用寿命通常为 25 年,与光伏电池板的使用寿命相当。英飞凌通过卓越的制造工艺、精确的生产筛选和自动化,实现了高质量和可靠性标准。
英飞凌提供具有不同封装和技术的多种产品,包括 OptiMOS™ MOSFET、EiceDRIVER™ 2EDL 栅极驱动器 IC 和 XMC™ 或 PSoC™ 高性能 MCU,使制造商能够为单面板和多面板优化器设计高效的解决方案。此外,该产品组合还包含 XENSIV™ 高精度霍尔效应电流传感器,以及需要额外存储器时的 EXCELON™ F-RAM。
英飞凌的 OptiMOS™ 5 技术配有多样化的封装选项和精细的 Rds(on) 颗粒度,为需要 60 V 至 200 V MOSFET 的应用提供了全面的产品组合。同时,我们先进的 OptiMOS™ 6 MOSFET 技术可实现超高的开关频域。
英飞凌的OptiMOS™ N 沟道功率 MOSFET 为提高效率、功率密度和成本效益而生。OptiMOS™ 产品是高性能应用的专属设计方案,针对高开关频率进行了优化,具备业界最佳的品质因数。
我们的 StrongIRFET™ 和 StrongIRFET™ 2 个 N 沟道 MOSFET 系列作为这一扩展产品组合的补充,具备强大的竞争力。这些 N 沟道功率 MOSFET 为一流的 OptiMOS™ MOSFET 技术增添了稳健的设计以及出色的性价比。这两个产品系列都满足最高的质量和性能要求。
EiceDRIVER™ 2EDL81 双通道结隔离栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 而设计。
每个开关都需要一个驱动器,而选择合适的驱动器会带来与众不同的效果。英飞凌提供全面的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合,具有各种配置、电压等级、隔离水平、保护功能和封装选项。EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 是对英飞凌 IGBT 分立器件和模块、硅 MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™ 和 StrongIRFET™)、碳化硅 MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓 HEMT(CoolGaN™)的补充,也可以作为我们的集成功率模块(CIPOS™ IPM 和 iMOTION™ 智能 IPM)的一部分。
与基于磁芯的电流传感器相比,英飞凌 XENSIV™ 系列高精度无磁芯开环电流传感器体积更小,成本也更低。基于英飞凌精确稳定的霍尔效应电流传感器技术,电流传感器模拟输出信号在温度和使用寿命范围内具有非常好的线性度。由于没有铁芯或通量收集器,传感器信号没有磁滞和饱和现象。差分电流传感器测量使用了两个霍尔单元,即使在嘈杂的环境例如有来自相邻电流线或杂散磁场的串扰,也可确保其高精度。系统设计人员能够对传感器的灵敏度以及两个专用过流信号的阈值电平进行编程,因此无需任何外部组件即可使其适应个性化要求。非接触式电流传感器 IC 还会在电源电压过压或欠压情况下发出警告信号。
微控制器单元(MCU)在单个集成电路(IC)芯片上集成了 CPU、存储器以及输入和输出外围设备,是一台小型独立计算机。这可以降低功耗,使设计更紧凑,并节省成本。此外,微控制器能够为嵌入式系统提供功能安全和保障。
同样至关重要的是,微控制器配备高级安全功能,以避免安全漏洞,防止恶意软件攻击。因此,新一代 32 位 MCU 为一系列嵌入式系统应用提供了强大的保护。英飞凌微控制器产品组合提供全面的产品系列,包括先进的 32 位微控制器,可提供强劲的性能和久经考验的安全解决方案;此外还包括传统的 8 位和 16 位微控制器。
EXCELON™ 系列内存产品提供高能效、高密度和可靠的数据记录。英飞凌的下一代 RAM (F-RAM) 存储器通过将超低功耗操作与高速接口、即时非易失性和无限读/写周期耐久性相结合,提供业界功耗最低、任务关键型非易失性存储器。
您可以去了解英飞凌 AIROC™ Wi-Fi + Bluetooth® 组合产品,该产品组合提供多种安全、稳健的解决方案,助力您更快地将优质产品推向市场。此外, AIROC™ + Wi-Fi SoC 支持您所需的网络协议,让您轻松创建自己的云连接应用。
功率优化器可在户外恶劣条件下运行。因此,具备紧凑的外形、高效率和较长的使用寿命是这些设备能够投入使用的关键因素。例如,功率优化器在出现故障时,需要在屋顶上更换零件,而这会是一笔不菲的价格。因此,市场要求功率优化器的使用寿命通常为 25 年,与光伏电池板的使用寿命相当。英飞凌通过卓越的制造工艺、精确的生产筛选和自动化,实现了高质量和可靠性标准。
英飞凌提供具有不同封装和技术的多种产品,包括 OptiMOS™ MOSFET、EiceDRIVER™ 2EDL 栅极驱动器 IC 和 XMC™ 或 PSoC™ 高性能 MCU,使制造商能够为单面板和多面板优化器设计高效的解决方案。此外,该产品组合还包含 XENSIV™ 高精度霍尔效应电流传感器,以及需要额外存储器时的 EXCELON™ F-RAM。
英飞凌的 OptiMOS™ 5 技术配有多样化的封装选项和精细的 Rds(on) 颗粒度,为需要 60 V 至 200 V MOSFET 的应用提供了全面的产品组合。同时,我们先进的 OptiMOS™ 6 MOSFET 技术可实现超高的开关频域。
英飞凌的OptiMOS™ N 沟道功率 MOSFET 为提高效率、功率密度和成本效益而生。OptiMOS™ 产品是高性能应用的专属设计方案,针对高开关频率进行了优化,具备业界最佳的品质因数。
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EiceDRIVER™ 2EDL81 双通道结隔离栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 而设计。
每个开关都需要一个驱动器,而选择合适的驱动器会带来与众不同的效果。英飞凌提供全面的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合,具有各种配置、电压等级、隔离水平、保护功能和封装选项。EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 是对英飞凌 IGBT 分立器件和模块、硅 MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™ 和 StrongIRFET™)、碳化硅 MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓 HEMT(CoolGaN™)的补充,也可以作为我们的集成功率模块(CIPOS™ IPM 和 iMOTION™ 智能 IPM)的一部分。
与基于磁芯的电流传感器相比,英飞凌 XENSIV™ 系列高精度无磁芯开环电流传感器体积更小,成本也更低。基于英飞凌精确稳定的霍尔效应电流传感器技术,电流传感器模拟输出信号在温度和使用寿命范围内具有非常好的线性度。由于没有铁芯或通量收集器,传感器信号没有磁滞和饱和现象。差分电流传感器测量使用了两个霍尔单元,即使在嘈杂的环境例如有来自相邻电流线或杂散磁场的串扰,也可确保其高精度。系统设计人员能够对传感器的灵敏度以及两个专用过流信号的阈值电平进行编程,因此无需任何外部组件即可使其适应个性化要求。非接触式电流传感器 IC 还会在电源电压过压或欠压情况下发出警告信号。
微控制器单元(MCU)在单个集成电路(IC)芯片上集成了 CPU、存储器以及输入和输出外围设备,是一台小型独立计算机。这可以降低功耗,使设计更紧凑,并节省成本。此外,微控制器能够为嵌入式系统提供功能安全和保障。
同样至关重要的是,微控制器配备高级安全功能,以避免安全漏洞,防止恶意软件攻击。因此,新一代 32 位 MCU 为一系列嵌入式系统应用提供了强大的保护。英飞凌微控制器产品组合提供全面的产品系列,包括先进的 32 位微控制器,可提供强劲的性能和久经考验的安全解决方案;此外还包括传统的 8 位和 16 位微控制器。
EXCELON™ 系列内存产品提供高能效、高密度和可靠的数据记录。英飞凌的下一代 RAM (F-RAM) 存储器通过将超低功耗操作与高速接口、即时非易失性和无限读/写周期耐久性相结合,提供业界功耗最低、任务关键型非易失性存储器。
您可以去了解英飞凌 AIROC™ Wi-Fi + Bluetooth® 组合产品,该产品组合提供多种安全、稳健的解决方案,助力您更快地将优质产品推向市场。此外, AIROC™ + Wi-Fi SoC 支持您所需的网络协议,让您轻松创建自己的云连接应用。