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太空存储器产品组合

抗辐射加固处理的非易失性和易失性存储器产品组合

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概述

我们的 HiRel 航天存储器用于整个卫星子系统。无论您是在设计卫星有效载荷、总线、通信还是其他航天器系统，我们的存储器都能提供市场上最高的可靠性、最高的性能以及卓越的辐射和单粒子效应 (SEE) 性能。我们遵守业内最严格的标准，并通过了DLAM-QML认证，可满足太空应用的可靠性和生命周期要求。

关键特性

  • 采用 RADSTOP ™技术设计
  • 在美国组装和测试
  • 航天传承
  • 广泛的 ECO 系统支持

产品

关于

适用于航天、卫星应用的rad-hard、rad-tol 存储器解决方案

我们的 HiRel 航天存储器用于整个卫星子系统。无论您是在设计卫星有效载荷、总线、通信还是其他航天器系统，我们的存储器都能提供市场上最高的可靠性、最高的性能以及卓越的辐射和单粒子效应 (SEE) 性能。我们遵守业内最严格的标准，并通过了DLAM-QML认证，可满足太空应用的可靠性和生命周期要求。

高可靠性论坛
英飞凌的 rad-hard 和 rad-tol 存储器产品组合
  • Rad tol、非易失性NOR 闪存：低引脚数、高性能、行业标准 QSPI 和双 QSPI 接口，易于采用和使用
  • 抗辐射、非易失性、铁电 RAM (F-RAM) ：几乎无限的耐久性、抗 SEU 能力以及超过 100 年的数据保留时间，使其成为航天领域可靠性最高的存储器之一
  • 抗辐射、易失性、四倍数据速率 (QDR ® ) 同步 SRAM ：低延迟、业界领先的性能和片上 ECC，可靠性高
  • 抗辐射、易失性、异步快速 SRAM ：业界领先的访问速率和低功耗
抗辐射加固产品在美国组装和测试

晶圆厂：

  • 美国明尼苏达州斯凯沃特
  • 台湾台南联华电子公司
  • 德州仪器，美国达拉斯

装配和测试设施：

  • DPA Components International，美国西米谷
  • Micross Components，美国奥兰多
  • 英飞凌圣何塞测试中心，美国圣何塞

多晶圆SORT及辅助制造设施：

  • Skywater、ChipMOS、KYEC 为 SORT
  • 泰国 UTAC 和美国米尔皮塔斯 Integra 进行激光凹槽和模具分离
抗辐射加固产品在美国组装和测试
抗辐射产品资源汇总

抗辐射性（TID、SEE）

  • 总剂量 (TID) 辐射：设备在其使用寿命期间抵抗因暴露于辐射（离子）而造成的永久性设备损坏的能力。被捕获的正电荷可导致现场设备开启。英飞凌抗辐射 SRAM 可在总剂量高达 300 Krad 的环境下运行。
  • 单粒子效应 (SEE)：辐射粒子（重离子、质子或中子）撞击造成的数据丢失和可能的物理设备损坏，可能导致设备闩锁并出现高电流状态。

QML-V 和 QML-Q 筛选

  • QML认证是美国政府颁发的微电路器件可靠性最高标准。该认证表明该设备即使在最恶劣的条件下也能正常运行。英飞凌的抗辐射 SRAM 同时具有 QML-V 和 QML-Q 认证。

数据包

  • 英飞凌提供购买所有 QML 认证产品的数据包的选项。该数据包列出了零件认证过程中收集的数据，包括辐射数据、读取和记录电气数据以及三温测试数据。数据包以硬拷贝和软拷贝两种格式提供，并与各个零件序列号相匹配。

内存控制器

  • Xilinx Virtex V5、Kintex US 以及用于 RadHard 72M 和 144M QDRII+ SRAM 设备的 Microchip RTG4 FPGA 的内存控制器可免费使用。QDR-II+ SRAM 控制器管理基于 DDR 的源同步时序架构的复杂时序细节，并确保 FPGA 和 QDRII+ SRAM 存储器之间可靠的数据传输。如果需要更高水平的辐射抗扰度来减轻单粒子效应，控制器嵌入式 ECC（SECDEC）也可作为 RTL 选项使用。请联系hirel-memory@infineon.com获取RTL代码和测试台的副本。

 

预认证的解决方案和参考设计

英飞凌与全球芯片组合作伙伴合作，对我们的存储器进行鉴定，验证驱动程序和软件，并开发一站式参考设计。结果是一套工具和资源，可以简化设计过程并缩短上市时间。为了帮助您为芯片组选择被推荐的和合格的存储器，英飞凌发布了芯片组配对指南。这些电子表格列出了哪些英飞凌存储器产品已通过哪些合作伙伴芯片组的认证。

查看适用于您的芯片组的预认证存储器

适用于航天、卫星应用的rad-hard、rad-tol 存储器解决方案

我们的 HiRel 航天存储器用于整个卫星子系统。无论您是在设计卫星有效载荷、总线、通信还是其他航天器系统，我们的存储器都能提供市场上最高的可靠性、最高的性能以及卓越的辐射和单粒子效应 (SEE) 性能。我们遵守业内最严格的标准，并通过了DLAM-QML认证，可满足太空应用的可靠性和生命周期要求。

高可靠性论坛

英飞凌的 rad-hard 和 rad-tol 存储器产品组合
  • Rad tol、非易失性NOR 闪存：低引脚数、高性能、行业标准 QSPI 和双 QSPI 接口，易于采用和使用
  • 抗辐射、非易失性、铁电 RAM (F-RAM) ：几乎无限的耐久性、抗 SEU 能力以及超过 100 年的数据保留时间，使其成为航天领域可靠性最高的存储器之一
  • 抗辐射、易失性、四倍数据速率 (QDR ® ) 同步 SRAM ：低延迟、业界领先的性能和片上 ECC，可靠性高
  • 抗辐射、易失性、异步快速 SRAM ：业界领先的访问速率和低功耗

抗辐射加固产品在美国组装和测试

晶圆厂：

  • 美国明尼苏达州斯凯沃特
  • 台湾台南联华电子公司
  • 德州仪器，美国达拉斯

装配和测试设施：

  • DPA Components International，美国西米谷
  • Micross Components，美国奥兰多
  • 英飞凌圣何塞测试中心，美国圣何塞

多晶圆SORT及辅助制造设施：

  • Skywater、ChipMOS、KYEC 为 SORT
  • 泰国 UTAC 和美国米尔皮塔斯 Integra 进行激光凹槽和模具分离
抗辐射加固产品在美国组装和测试

抗辐射产品资源汇总

抗辐射性（TID、SEE）

  • 总剂量 (TID) 辐射：设备在其使用寿命期间抵抗因暴露于辐射（离子）而造成的永久性设备损坏的能力。被捕获的正电荷可导致现场设备开启。英飞凌抗辐射 SRAM 可在总剂量高达 300 Krad 的环境下运行。
  • 单粒子效应 (SEE)：辐射粒子（重离子、质子或中子）撞击造成的数据丢失和可能的物理设备损坏，可能导致设备闩锁并出现高电流状态。

QML-V 和 QML-Q 筛选

  • QML认证是美国政府颁发的微电路器件可靠性最高标准。该认证表明该设备即使在最恶劣的条件下也能正常运行。英飞凌的抗辐射 SRAM 同时具有 QML-V 和 QML-Q 认证。

数据包

  • 英飞凌提供购买所有 QML 认证产品的数据包的选项。该数据包列出了零件认证过程中收集的数据，包括辐射数据、读取和记录电气数据以及三温测试数据。数据包以硬拷贝和软拷贝两种格式提供，并与各个零件序列号相匹配。

内存控制器

  • Xilinx Virtex V5、Kintex US 以及用于 RadHard 72M 和 144M QDRII+ SRAM 设备的 Microchip RTG4 FPGA 的内存控制器可免费使用。QDR-II+ SRAM 控制器管理基于 DDR 的源同步时序架构的复杂时序细节，并确保 FPGA 和 QDRII+ SRAM 存储器之间可靠的数据传输。如果需要更高水平的辐射抗扰度来减轻单粒子效应，控制器嵌入式 ECC（SECDEC）也可作为 RTL 选项使用。请联系hirel-memory@infineon.com获取RTL代码和测试台的副本。

 

预认证的解决方案和参考设计

英飞凌与全球芯片组合作伙伴合作，对我们的存储器进行鉴定，验证驱动程序和软件，并开发一站式参考设计。结果是一套工具和资源，可以简化设计过程并缩短上市时间。为了帮助您为芯片组选择被推荐的和合格的存储器，英飞凌发布了芯片组配对指南。这些电子表格列出了哪些英飞凌存储器产品已通过哪些合作伙伴芯片组的认证。

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