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小信号/小功率 MOSFET

-250 V 至 -12 V 小信号 P 沟道 MOSFET 和 20 V 至 600 V 小信号 N 沟道 MOSFET 适用于汽车、工业和消费类应用

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关于

小信号/小功率产品组合

英飞凌的小功率和小信号 MOSFET 系列有以下小体积封装选项：SOT23、SOT223、SOT323、SOT363、SOT89、TSOP6 和 SC59。

产品组合涵盖 N 沟道和 P 沟道增强型 MOSFET（包括 -250 V 至 -12 V 小信号 MOSFET）以及 N 沟道耗尽型产品：

  • -12 V 至 -250 V P 沟道增强模式（提供单路和双路配置）
  • 20 V 至 600 V N 沟道增强模式（提供单路和双路配置）
  • -20 V/20 V 和 -30 V/30 V 互补（P + N 沟道）增强模式
  • 60 V 至 600 V N 沟道耗尽模式
小信号/小功率应用

产品种类多样，均采用行业标准、节省空间的超小型封装，同时具备低导通电阻，完美应对所有设计挑战。英飞凌提供多种设备组合，保证所需的容量可以最好地满足其客户的需求。

这些小信号 P 沟道 MOSFET 和小信号 N 沟道 MOSFET 的产品符合 AEC-Q101 汽车和 JEDEC 工业标准，非常适合汽车和其他质量关键型应用。此外，简单的 MCU 接口有助于降低设计复杂性。

适用于工业市场的小信号/小功率 MOSFET

英飞凌采用经济高效的封装，结合领先、可靠和成熟的硅技术，提供业内性价比最高的高性能产品。

小信号/小功率 P 沟道和 N 沟道 MOSFET 简化了消费行业市场各种应用的设计复杂性。这些产品具有逻辑和正常电平栅极驱动能力，并提供多种漏极-源极导通电阻 (RDS(on)) 选项。

这些新产品是现有 P 沟道和 N 沟道产品的理想替代品或替换品，可帮助设计人员在提高性能的同时降低总体材料成本。 

英飞凌的小信号/小功率 MOSFET 封装针对各种应用和电路进行了优化，例如低压驱动、线性电池充电器、电池保护、负载开关、DC-DC 转换器反极性保护等。

小信号/小功率产品组合

英飞凌的小功率和小信号 MOSFET 系列有以下小体积封装选项：SOT23、SOT223、SOT323、SOT363、SOT89、TSOP6 和 SC59。

产品组合涵盖 N 沟道和 P 沟道增强型 MOSFET（包括 -250 V 至 -12 V 小信号 MOSFET）以及 N 沟道耗尽型产品：

  • -12 V 至 -250 V P 沟道增强模式（提供单路和双路配置）
  • 20 V 至 600 V N 沟道增强模式（提供单路和双路配置）
  • -20 V/20 V 和 -30 V/30 V 互补（P + N 沟道）增强模式
  • 60 V 至 600 V N 沟道耗尽模式

小信号/小功率应用

产品种类多样，均采用行业标准、节省空间的超小型封装，同时具备低导通电阻，完美应对所有设计挑战。英飞凌提供多种设备组合，保证所需的容量可以最好地满足其客户的需求。

这些小信号 P 沟道 MOSFET 和小信号 N 沟道 MOSFET 的产品符合 AEC-Q101 汽车和 JEDEC 工业标准，非常适合汽车和其他质量关键型应用。此外，简单的 MCU 接口有助于降低设计复杂性。

适用于工业市场的小信号/小功率 MOSFET

英飞凌采用经济高效的封装，结合领先、可靠和成熟的硅技术，提供业内性价比最高的高性能产品。

小信号/小功率 P 沟道和 N 沟道 MOSFET 简化了消费行业市场各种应用的设计复杂性。这些产品具有逻辑和正常电平栅极驱动能力，并提供多种漏极-源极导通电阻 (RDS(on)) 选项。

这些新产品是现有 P 沟道和 N 沟道产品的理想替代品或替换品，可帮助设计人员在提高性能的同时降低总体材料成本。 

英飞凌的小信号/小功率 MOSFET 封装针对各种应用和电路进行了优化，例如低压驱动、线性电池充电器、电池保护、负载开关、DC-DC 转换器反极性保护等。

文档

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