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二极管裸片

英飞凌特有的快恢复二极管技术

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概述

我们的超薄晶圆和场截止技使发射极控制二极管非常适合消费及工业应用，因为它通过软恢复降低了 IGBT 的开通损耗。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。

关键特性

  • 快速软开关
  • 反向恢复电荷低
  • 温度系数小
  • 场截止技术

产品

关于

关于二极管裸片

二极管裸片有不同的种类。根据技术不同，产品可分为不同类别，如发射极可控二极管 4 中功率、发射极可控二极管高效率或发射极可控二极管 3。此外，这些二极管的最大 VDS 范围为 600 V 至 1700 V。

目标应用程序

发射极控制二极管非常适合消费和工业应用，因为它们通过软恢复降低了 IGBT 的导通损耗。

有关 IGBT 的更多信息

关于二极管裸片

二极管裸片有不同的种类。根据技术不同，产品可分为不同类别，如发射极可控二极管 4 中功率、发射极可控二极管高效率或发射极可控二极管 3。此外，这些二极管的最大 VDS 范围为 600 V 至 1700 V。

目标应用程序

发射极控制二极管非常适合消费和工业应用，因为它们通过软恢复降低了 IGBT 的导通损耗。

有关 IGBT 的更多信息

文档

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