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N 沟道耗尽型 MOSFET

耗尽型 MOSFET 在栅极与源极之间电压 (VGS) 为零时处于导通状态，即常通状态。这使它们成为完美的恒流源。

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概述

英飞凌的耗尽型 MOSFET 系列可以满足高频开关和小巧紧凑的设计。英飞凌提供 SOT-223 和 SOT-23 封装的耗尽型MOSFET，击穿电压从 60 V 到 600 V 不等， 再加上用于关断的低负电压和强大的安全工作区，使用这些产品还降低了设计的复杂性。

关键特性

  • 从 60V到 600V不等
  • 更高的效率和耐用性
  • 工作范围广
  • 高频开关和紧凑的设计

产品

关于

N 通道耗尽型 MOSFET 特性

对于普通的 MOSFET，栅极到源极电压（VGS）应高于栅极到源极阈值电压 (VGS(th))，以实现导通。对于 N 沟道增强型 MOSFET，VGS(th) 高于 0 V。因此耗尽型 MOSFET 即使在 0 V 的 VGS 下，也可以导通。要关断耗尽型 MOSFET，VGS 应低于(负)VGS(th)。N 沟道耗尽型 MOSFET 工作时的负载电流与施加在漏极至源极之间的电压无关。这些特性使 N 沟道耗尽型 MOSFET 非常适合供电启动电源、过压保护、浪涌电流限制器和离线电压基准等应用。

选择耗尽型 MOSFET 时的一个重要参数是栅极电压为零时的最小漏极电流。由于耗尽型 MOSFET 被用作电流源，因此在设计耗尽型 MOSFET 电路时，必须确保电流水平具备栅极电压为 0 V 时的最小电流能力。英飞凌的 N 沟道耗尽型 MOSFET 系列在卷盘上标有 VGS 代码，符合 RoHS 标准，并已通过 AEC Q101 认证。

NMOS 耗尽模式导通

N沟道耗尽型 MOSFET 使用电子作为电流载体，如果存在正电压，则会导通。另一方面，P沟道 MOSFET 使用空穴，因此负压荷会将带正电荷的空穴吸引到沟道上，使其能够导电。但是，当使用负电压排斥自由载流子时，NMOS耗尽模式会被激活，因此耗尽型MOSFET无法再导通。这是关断耗尽型MOSFET 的方法。

汽车应用

所有 N 沟道耗尽型 MOSFET 产品都适用于汽车应用。为了满足特殊要求，N 沟道耗尽型 MOSFET 在卷盘上标有 VGS(th) 代码。

工业应用

耗尽型 MOSFET 应用领域包括电源，启动电源、过压保护、浪涌电流限制器和离线电压基准。通过一个单一器件，可以实现一个简单的电流调节器。

N 通道耗尽型 MOSFET 特性

对于普通的 MOSFET，栅极到源极电压（VGS）应高于栅极到源极阈值电压 (VGS(th))，以实现导通。对于 N 沟道增强型 MOSFET，VGS(th) 高于 0 V。因此耗尽型 MOSFET 即使在 0 V 的 VGS 下，也可以导通。要关断耗尽型 MOSFET，VGS 应低于(负)VGS(th)。N 沟道耗尽型 MOSFET 工作时的负载电流与施加在漏极至源极之间的电压无关。这些特性使 N 沟道耗尽型 MOSFET 非常适合供电启动电源、过压保护、浪涌电流限制器和离线电压基准等应用。

选择耗尽型 MOSFET 时的一个重要参数是栅极电压为零时的最小漏极电流。由于耗尽型 MOSFET 被用作电流源，因此在设计耗尽型 MOSFET 电路时，必须确保电流水平具备栅极电压为 0 V 时的最小电流能力。英飞凌的 N 沟道耗尽型 MOSFET 系列在卷盘上标有 VGS 代码，符合 RoHS 标准，并已通过 AEC Q101 认证。

NMOS 耗尽模式导通

N沟道耗尽型 MOSFET 使用电子作为电流载体，如果存在正电压，则会导通。另一方面，P沟道 MOSFET 使用空穴，因此负压荷会将带正电荷的空穴吸引到沟道上，使其能够导电。但是，当使用负电压排斥自由载流子时，NMOS耗尽模式会被激活，因此耗尽型MOSFET无法再导通。这是关断耗尽型MOSFET 的方法。

汽车应用

所有 N 沟道耗尽型 MOSFET 产品都适用于汽车应用。为了满足特殊要求，N 沟道耗尽型 MOSFET 在卷盘上标有 VGS(th) 代码。

工业应用

耗尽型 MOSFET 应用领域包括电源，启动电源、过压保护、浪涌电流限制器和离线电压基准。通过一个单一器件，可以实现一个简单的电流调节器。

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