这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

85 V - 300 V N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ N 沟道功率 MOSFET 85 V - 300 V

anchor

概述

英飞凌的 85 V - 300 V N沟道 MOSFET 产品组合采用 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 技术，适用于低、中、高功率应用。英飞凌的 85 V - 300 V N 沟道 MOSFET 系列具有超低反向恢复电荷（Qrr）和出色的导通电阻（RDS(on) ）品质因数 （FOM），可实现快速和硬开关，从而降低整体系统成本。

关键特性

  • 超低反向恢复电荷
  • 低 RDS(on)
  • 优秀的品质因数
  • 针对高性能进行了优化
  • 大电流能力

产品

关于

85 V - 300 V N 沟道产品组合

英飞凌的多种在 85 V - 300 V 范围内的 N 沟道 MOSFET 产品组合，可以满足您的工业和汽车应用需求。85 V - 300 V N 沟道 MOSFET 产品组合非常适合 UPS、太阳能应用、叉车和轻型电动汽车等应用。

100 V N 沟道 MOSFET

为了满足高开关频率和低开关频率要求，英飞凌设计了广泛的 100 V MOSFET 系列，采用 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 硅芯片技术。OptiMOS™ 100 V 产品针对需要宽开关频率的高性能应用进行了优化，而 StrongIRFET™ 产品针对低于 100 kHz 的开关频率进行了优化。稳健的设计为工业应用提供了坚固耐用性和更高的载流能力。

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 100 V 是英飞凌最新的 MOSFET 技术，在高开关频率应用中具有更高的品质因数和效率。英飞凌 OptiMOS™ 6 系列面向 SMPS 以及太阳能、电动工具和电池管理系统等应用。

对于无线充电、适配器和电信应用，逻辑级产品系列可提供高功率密度和开关频率。由于器件的栅极电荷（Qg）较低，开关损耗可以降低，而不会影响传导损耗。 PQFN 2x2 封装外形极小，非常适合小空间应用。

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 100 V
了解有关逻辑电平 MOSFET 的更多信息
OptiMOS™ 线性 FET 100 V/150 V/200 V

OptiMOS™线性 FET 有 100 V、150 V 和 200 V N 沟道 MOSFET 电压等级，旨在降低传导损耗、加快设置速度并缩短间歇时间。 该产品系列采用革命性的方法，提供沟槽 MOSFET 的最先进导通电阻 (R DS(on) ) 以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区 (SOA)。

该产品系列旨在限制高浪涌电流，从而防止负载损坏，使其成为热插拔和电子保险丝（电子保险丝）应用的理想选择，例如电信和电池管理系统中常见的应用。

了解更多
OptiMOS™ 快速二极管 200 V/220 V/250 V/300 V N 沟道 MOSFET

OptiMOS™ 快速二极管（FD）针对硬开关拓扑进行了优化，是英飞凌最新一代功率 MOSFET 的一部分，电压等级为 200 V、220 V、250 V 和 300 V，专为体二极管硬换向而设计。

FD 系列产品（包括 250 V N 沟道 MOSFET）具有较低的反向恢复电荷 (QOptiMOS™ rr )，专为追求最高性能标准的客户而优化，与OptiMOS™ 3 相比，Q rr 降低了 40%。

通过显著减少电压过冲，低 Q rr可提高系统可靠性，从而最大限度地减少对缓冲电路的需求并降低工程成本和工作量。

了解更多
适用于汽车应用的 85 V - 300 V N 沟道 MOSFET

英飞凌在 85 V - 300 V 范围内提供众多符合汽车标准的 N 沟道 MOSFET 产品组合。要了解更多信息，请访问我们的汽车 MOSFET 页面。

进一步了解
OptiMOS™ 5 150 V 功率 MOSFET

英飞凌的 150 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 系列在降低 R DS(on)方面实现了令人印象深刻的突破（与 SuperS08 中的下一个最佳替代方案相比，降低了高达 25%）并且降低了 Q rr ，同时不影响品质因数（FOM gd ）和品质因数输出电荷（FOMoss）。 从而有效降低设计工作量并优化系统效率。这些设备特别适合叉车和电动滑板车等低压驱动器以及电信和太阳能应用。

采用 150 V 技术的OptiMOS™ 5 MOSFET 可采用尺寸更小、一流的 SuperSO8（PQFN 5 x 6）封装设备来取代 TO-220 替代品，从而使开关能够提供更高的功率密度和更低的电压过冲（V ds ），这是由于封装电感降低所致。

进一步了解

85 V - 300 V N 沟道产品组合

英飞凌的多种在 85 V - 300 V 范围内的 N 沟道 MOSFET 产品组合，可以满足您的工业和汽车应用需求。85 V - 300 V N 沟道 MOSFET 产品组合非常适合 UPS、太阳能应用、叉车和轻型电动汽车等应用。

100 V N 沟道 MOSFET

为了满足高开关频率和低开关频率要求，英飞凌设计了广泛的 100 V MOSFET 系列，采用 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 硅芯片技术。OptiMOS™ 100 V 产品针对需要宽开关频率的高性能应用进行了优化，而 StrongIRFET™ 产品针对低于 100 kHz 的开关频率进行了优化。稳健的设计为工业应用提供了坚固耐用性和更高的载流能力。

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 100 V 是英飞凌最新的 MOSFET 技术，在高开关频率应用中具有更高的品质因数和效率。英飞凌 OptiMOS™ 6 系列面向 SMPS 以及太阳能、电动工具和电池管理系统等应用。

对于无线充电、适配器和电信应用，逻辑级产品系列可提供高功率密度和开关频率。由于器件的栅极电荷（Qg）较低，开关损耗可以降低，而不会影响传导损耗。 PQFN 2x2 封装外形极小，非常适合小空间应用。

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 100 V
了解有关逻辑电平 MOSFET 的更多信息

OptiMOS™ 线性 FET 100 V/150 V/200 V

OptiMOS™线性 FET 有 100 V、150 V 和 200 V N 沟道 MOSFET 电压等级，旨在降低传导损耗、加快设置速度并缩短间歇时间。 该产品系列采用革命性的方法，提供沟槽 MOSFET 的最先进导通电阻 (R DS(on) ) 以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区 (SOA)。

该产品系列旨在限制高浪涌电流，从而防止负载损坏，使其成为热插拔和电子保险丝（电子保险丝）应用的理想选择，例如电信和电池管理系统中常见的应用。

了解更多

OptiMOS™ 快速二极管 200 V/220 V/250 V/300 V N 沟道 MOSFET

OptiMOS™ 快速二极管（FD）针对硬开关拓扑进行了优化，是英飞凌最新一代功率 MOSFET 的一部分，电压等级为 200 V、220 V、250 V 和 300 V，专为体二极管硬换向而设计。

FD 系列产品（包括 250 V N 沟道 MOSFET）具有较低的反向恢复电荷 (QOptiMOS™ rr )，专为追求最高性能标准的客户而优化，与OptiMOS™ 3 相比，Q rr 降低了 40%。

通过显著减少电压过冲，低 Q rr可提高系统可靠性，从而最大限度地减少对缓冲电路的需求并降低工程成本和工作量。

了解更多

适用于汽车应用的 85 V - 300 V N 沟道 MOSFET

英飞凌在 85 V - 300 V 范围内提供众多符合汽车标准的 N 沟道 MOSFET 产品组合。要了解更多信息，请访问我们的汽车 MOSFET 页面。

进一步了解

OptiMOS™ 5 150 V 功率 MOSFET

英飞凌的 150 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 系列在降低 R DS(on)方面实现了令人印象深刻的突破（与 SuperS08 中的下一个最佳替代方案相比，降低了高达 25%）并且降低了 Q rr ，同时不影响品质因数（FOM gd ）和品质因数输出电荷（FOMoss）。 从而有效降低设计工作量并优化系统效率。这些设备特别适合叉车和电动滑板车等低压驱动器以及电信和太阳能应用。

采用 150 V 技术的OptiMOS™ 5 MOSFET 可采用尺寸更小、一流的 SuperSO8（PQFN 5 x 6）封装设备来取代 TO-220 替代品，从而使开关能够提供更高的功率密度和更低的电压过冲（V ds ），这是由于封装电感降低所致。

进一步了解

文档

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }