功率模块

适用于工业、汽车和可再生能源应用的 IGBT、SiC MOSFET、晶闸管和二极管功率模块的综合产品组合

关于

功率模块是功率半导体器件的封装。这些器件也称为芯片或晶片,由不同的半导体材料(如硅(Si))或宽带隙材料(如碳化硅(SiC))制成。

英飞凌的产品系列为设计师提供了丰富的选择。根据系统设计,他们可以选择基于 IGBT 或 SiC MOSFET 的功率模块,也可提供汽车认证。此外,英飞凌还提供晶闸管和二极管功率模块,在寻找集成解决方案时,应考虑CIPOS ™智能功率模块系列。

电源模块适用于各种应用 - 从低至 20 W 的小型家用电器到输配电或风力应用中的几兆瓦。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片焊接或烧结在基板上,基板用作电和热接触或在需要时提供电绝缘。现在大多数功率模块都是基于IGBT的,英飞凌最新一代的IGBT芯片是TRENCHSTOP ™ IGBT7。

英飞凌拥有各种不同的 IGBT 功率模块封装、配置和电压以及电流等级,适用于几乎无限数量的应用。

碳化硅(SiC)MOSFET属于宽带隙材料。与硅相比,SiC 功率模块可以实现更高的工作温度和开关频率,从而全面提高系统效率。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 功率模块解决方案适用于可再生能源或电源等应用。

此外,我们还提供基于硅的CoolMOS™ MOSFET 功率模块,它完美契合车载充电器和 EV-Aux 应用的性价比组合。

晶闸管/二极管模块由一个二极管和一个晶闸管组成,而桥式整流器模块配备四个二极管。所用的半导体材料是硅或碳化硅肖特基二极管。

此外,英飞凌还提供晶闸管软启动器模块。顾名思义,这些电源模块用于在启动序列开始时逐渐增加电压。

英飞凌的汽车级电源模块旨在满足混合动力和电动汽车的严格要求。我们的模块基于领先的 Si IGBT 和 CoolSiC 技术,提供一流的性能、快速开关和低开关损耗,以最大限度地提高系统效率。我们的模块符合 AQG 324 认证,在牵引逆变器的设计和制造中具有很高的易用性。

我们的汽车 IGBT 模块(包括 HybridPACK 和 EasyPACK 产品系列)采用 EDT3 等尖端技术,可提供出色的效率和高可靠性。这些模块涵盖 30 kW 至 250 kW 的逆变器功率等级,并提供半桥和 B6 桥配置,非常适合插电式混合动力汽车和电动汽车。

通过利用英飞凌的汽车级电源模块,设计人员可以提高系统效率、降低成本并加快电动汽车应用的上市时间。

智能功率模块 (IPM) 由硅 IGBT、MOSFET 或碳化硅 MOSFET 芯片与栅极驱动器组合在一个封装中组成。与分立解决方案相比,芯片和栅极驱动器 IC 的集成可缩小系统尺寸。

OptiMOS™ 双相和四相智能功率模块将 OptiMOS™ 功率级与专有电感器、电容器和优化封装集成在单个基板上。它们主要针对人工智能数据中心,是垂直电力输送的关键推动因素,并提供一流的效率和功率密度。

功率模块是功率半导体器件的封装。这些器件也称为芯片或晶片,由不同的半导体材料(如硅(Si))或宽带隙材料(如碳化硅(SiC))制成。

英飞凌的产品系列为设计师提供了丰富的选择。根据系统设计,他们可以选择基于 IGBT 或 SiC MOSFET 的功率模块,也可提供汽车认证。此外,英飞凌还提供晶闸管和二极管功率模块,在寻找集成解决方案时,应考虑CIPOS ™智能功率模块系列。

电源模块适用于各种应用 - 从低至 20 W 的小型家用电器到输配电或风力应用中的几兆瓦。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片焊接或烧结在基板上,基板用作电和热接触或在需要时提供电绝缘。现在大多数功率模块都是基于IGBT的,英飞凌最新一代的IGBT芯片是TRENCHSTOP ™ IGBT7。

英飞凌拥有各种不同的 IGBT 功率模块封装、配置和电压以及电流等级,适用于几乎无限数量的应用。

碳化硅(SiC)MOSFET属于宽带隙材料。与硅相比,SiC 功率模块可以实现更高的工作温度和开关频率,从而全面提高系统效率。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 功率模块解决方案适用于可再生能源或电源等应用。

此外,我们还提供基于硅的CoolMOS™ MOSFET 功率模块,它完美契合车载充电器和 EV-Aux 应用的性价比组合。

晶闸管/二极管模块由一个二极管和一个晶闸管组成,而桥式整流器模块配备四个二极管。所用的半导体材料是硅或碳化硅肖特基二极管。

此外,英飞凌还提供晶闸管软启动器模块。顾名思义,这些电源模块用于在启动序列开始时逐渐增加电压。

英飞凌的汽车级电源模块旨在满足混合动力和电动汽车的严格要求。我们的模块基于领先的 Si IGBT 和 CoolSiC 技术,提供一流的性能、快速开关和低开关损耗,以最大限度地提高系统效率。我们的模块符合 AQG 324 认证,在牵引逆变器的设计和制造中具有很高的易用性。

我们的汽车 IGBT 模块(包括 HybridPACK 和 EasyPACK 产品系列)采用 EDT3 等尖端技术,可提供出色的效率和高可靠性。这些模块涵盖 30 kW 至 250 kW 的逆变器功率等级,并提供半桥和 B6 桥配置,非常适合插电式混合动力汽车和电动汽车。

通过利用英飞凌的汽车级电源模块,设计人员可以提高系统效率、降低成本并加快电动汽车应用的上市时间。

智能功率模块 (IPM) 由硅 IGBT、MOSFET 或碳化硅 MOSFET 芯片与栅极驱动器组合在一个封装中组成。与分立解决方案相比,芯片和栅极驱动器 IC 的集成可缩小系统尺寸。

OptiMOS™ 双相和四相智能功率模块将 OptiMOS™ 功率级与专有电感器、电容器和优化封装集成在单个基板上。它们主要针对人工智能数据中心,是垂直电力输送的关键推动因素,并提供一流的效率和功率密度。