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高性能页模式

利用 64 MB - 2 GB 3.0 V 高性能页模式提升高密度设备的性能

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概述

探索英飞凌 GL 并行 NOR 闪存系列，它具有最高的性能、可靠性、寿命和可扩展性。最新的 GL-T 和 GL-S 系列按照最高质量标准设计，提供内置 ECC、汽车认证、扩展温度支持、长期供应和无与伦比的多功能性。GL-P、GL-S (64 Mb) 和 GL-T 系列具有 x8 和 x16 数据总线选项。其他 GL-S 设备使用 x16 数据总线。 凭借英飞凌对质量的承诺，您总能找到适合您设计的解决方案。

关键特性

  • MIRRORBIT™ 技术
  • 多功能 I/O (VIO)
  • > 汽车 AEC-Q100认证
  • ×8/×16 总线宽度选项
  • 128 KB 统一扇区擦除
  • 错误检查和纠正 (ECC)
  • 安全硅区 (SSR)
  • 高级扇区保护 (ASP)
  • 就地执行

产品系列对比

产品

关于

长期供货计划

利用英飞凌的长期供货计划延长闪存产品的寿命和支持服务。包括为延长供应寿命而提供的晶粒和晶圆库服务，以及为保证质量而进行的商用现货（COTS）产品认证和筛选。提供广泛的支持，确保问题得到迅速解决。 基于此，自发布之日起计算，产品的平均供货寿命超过 10 年。

通过选择该计划所涵盖的 NOR 闪存产品，可确保关键存储器件的安心和稳健供应链。 

了解英飞凌为实现高密度设计而打造的专有 MIRRORBIT™ 技术。

长期供货计划
专有 MIRRORBIT™ 技术，可实现高密度设计

英飞凌的专有 MIRRORBIT™ 技术是英飞凌广泛的并行和串行 NOR 闪存产品的基础，也是全球领先的 NOR 闪存工艺技术。MIRRORBIT™ 每个单元存储两个比特，是高密度设备的最佳选择。 

了解如何确保设计的最高质量。

适用于最恶劣环境的汽车认证解决方案

英飞凌的 GL-S 和 GL-T Parallel NOR 闪存产品已通过 AEC-Q100 认证，适用于汽车市场，可承受高达 105°C 的温度，使其能够承受恶劣的环境。高密度和高温的并行 NOR 设备支持 ADAS、底盘、传动系统和信息娱乐系统。英飞凌还为符合 AEC-Q100 标准的产品提供生产部件批准流程 (PPAP) 支持。

高性能、快速的随机访问页模式

英飞凌的 NOR 闪存产品具有页模式，可对一页内的位置进行高速（15 ns 至 30 ns）随机读取访问。由于字存储在内部缓冲区中，因此可以缩短第一个字的初始访问时间之后的访问时间。页模式为频繁访问页的系统提供了更快的速度和更低的功耗。

英飞凌的晶圆和晶粒解决方案为您的设计锦上添花。

高性能、高可靠性的晶粒和晶圆（KGD/KGW）产品

英飞凌为需要存储器的定制系统级封装（SiP）和多芯片封装（MCP）解决方案提供高性能和可靠的已知合格晶粒和晶圆（KGD/KGW）产品。通过符合严格的EIAJ EDR-4703标准和要求，我们提供的晶圆晶粒产品具有与封装部件相同的性能和可靠性。

对视觉和机械缺陷进行广泛检查，并进行晶圆级测试，包括额外的高温筛选

长期供货计划和地区支持

因此，SiP 制造良率损失减少，与内存相关的产品可靠性问题降低，使我们的客户受益匪浅。

内存和芯片解决方案
久经考验、值得信赖的并行 NOR 闪存产品，具有无与伦比的使用寿命

英飞凌拥有 40+ 年的半导体存储创新经验，产品兼容 JEDEC 标准，并采用浮栅和独家 MIRRORBIT™ 技术，提供了业界最为全面的并行 NOR 闪存产品系列。英飞凌以长期供货计划延长了供应的持续性（长达10年），并成为最值得信赖的并行 NOR 闪存解决方案供应商。

长期供货计划

利用英飞凌的长期供货计划延长闪存产品的寿命和支持服务。包括为延长供应寿命而提供的晶粒和晶圆库服务，以及为保证质量而进行的商用现货（COTS）产品认证和筛选。提供广泛的支持，确保问题得到迅速解决。 基于此，自发布之日起计算，产品的平均供货寿命超过 10 年。

通过选择该计划所涵盖的 NOR 闪存产品，可确保关键存储器件的安心和稳健供应链。 

了解英飞凌为实现高密度设计而打造的专有 MIRRORBIT™ 技术。

长期供货计划

专有 MIRRORBIT™ 技术，可实现高密度设计

英飞凌的专有 MIRRORBIT™ 技术是英飞凌广泛的并行和串行 NOR 闪存产品的基础，也是全球领先的 NOR 闪存工艺技术。MIRRORBIT™ 每个单元存储两个比特，是高密度设备的最佳选择。 

了解如何确保设计的最高质量。

适用于最恶劣环境的汽车认证解决方案

英飞凌的 GL-S 和 GL-T Parallel NOR 闪存产品已通过 AEC-Q100 认证，适用于汽车市场，可承受高达 105°C 的温度，使其能够承受恶劣的环境。高密度和高温的并行 NOR 设备支持 ADAS、底盘、传动系统和信息娱乐系统。英飞凌还为符合 AEC-Q100 标准的产品提供生产部件批准流程 (PPAP) 支持。

高性能、快速的随机访问页模式

英飞凌的 NOR 闪存产品具有页模式，可对一页内的位置进行高速（15 ns 至 30 ns）随机读取访问。由于字存储在内部缓冲区中，因此可以缩短第一个字的初始访问时间之后的访问时间。页模式为频繁访问页的系统提供了更快的速度和更低的功耗。

英飞凌的晶圆和晶粒解决方案为您的设计锦上添花。

高性能、高可靠性的晶粒和晶圆（KGD/KGW）产品

英飞凌为需要存储器的定制系统级封装（SiP）和多芯片封装（MCP）解决方案提供高性能和可靠的已知合格晶粒和晶圆（KGD/KGW）产品。通过符合严格的EIAJ EDR-4703标准和要求，我们提供的晶圆晶粒产品具有与封装部件相同的性能和可靠性。

对视觉和机械缺陷进行广泛检查，并进行晶圆级测试，包括额外的高温筛选

长期供货计划和地区支持

因此，SiP 制造良率损失减少，与内存相关的产品可靠性问题降低，使我们的客户受益匪浅。

内存和芯片解决方案

久经考验、值得信赖的并行 NOR 闪存产品，具有无与伦比的使用寿命

英飞凌拥有 40+ 年的半导体存储创新经验，产品兼容 JEDEC 标准，并采用浮栅和独家 MIRRORBIT™ 技术，提供了业界最为全面的并行 NOR 闪存产品系列。英飞凌以长期供货计划延长了供应的持续性（长达10年），并成为最值得信赖的并行 NOR 闪存解决方案供应商。

文档

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