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汽车IGBT裸片

彻底改变汽车电气化的未来——释放英飞凌尖端 Si IGBT 技术的力量

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概述

英飞凌的EDT2 IGBT具有最高的质量标准和产品坚固性,得到了客户的认可。 英飞凌的750 V EDT2可扩展组合降低了系统成本,并通过芯片并联、集成电流和温度传感器提升了模块设计。

关键特性

  • 结温高达 185°C
  • 高开关速度
  • 极低的 VCEsat
  • 极低的开关损耗

产品

关于

我们的汽车硅裸片在汽车应用中释放出无与伦比的性能、可靠性和灵活性,具有卓越的高电压和高电流承载能力、高效的开关性能以及对坚固性、可靠性和热优化的坚定关注。

我们的 Si IGBT 和二极管解决方案可灵活设计和制造根据特定应用要求定制的电源模块,有望改变汽车格局,将性能、效率和可靠性提升到新的高度。

英飞凌的第二代电气传动系统芯片技术是一项基准的750 V IGBT技术,可显著提高汽车传动系统应用的能效。该技术支持高达 470 V 的直流链路电压,与前代产品相比,开关和传导损耗更低。再加上英飞凌卓越的品质,EDT2技术具有极其紧密的参数分布和正的热系数。 这使得并联操作变得简单,为最终设计提供了系统灵活性和功率可扩展性。

单元结构的优化允许在高梯度下进行切换。 此外,坚固耐用的设计可避免闭锁并提供足够的短路保护。

我们的汽车硅裸片在汽车应用中释放出无与伦比的性能、可靠性和灵活性,具有卓越的高电压和高电流承载能力、高效的开关性能以及对坚固性、可靠性和热优化的坚定关注。

我们的 Si IGBT 和二极管解决方案可灵活设计和制造根据特定应用要求定制的电源模块,有望改变汽车格局,将性能、效率和可靠性提升到新的高度。

英飞凌的第二代电气传动系统芯片技术是一项基准的750 V IGBT技术,可显著提高汽车传动系统应用的能效。该技术支持高达 470 V 的直流链路电压,与前代产品相比,开关和传导损耗更低。再加上英飞凌卓越的品质,EDT2技术具有极其紧密的参数分布和正的热系数。 这使得并联操作变得简单,为最终设计提供了系统灵活性和功率可扩展性。

单元结构的优化允许在高梯度下进行切换。 此外,坚固耐用的设计可避免闭锁并提供足够的短路保护。

文档

设计资源

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