英飞凌拥有市场上最多样的硅功率产品组合,以其无与伦比的质量和领先的品质因数(FOM)而著称。该产品系列具有最佳性价比,使用方便、功能强大,可针对所有电压等级的各种应用进行各种定制优化。

硅功率 MOSFET 领域的领先地位

硅功率 MOSFET 领域的领先地位

英飞凌是全球 MOSFET 市场的领导者,为各种应用提供最多样的 MOSFET 产品系列。英飞凌硅功率 MOSFET 的设计旨在为功率开关、控制和转换提供一流的性能、可靠性和易用性。这意味着产品和系统解决方案具有更高的效率、功率密度和性价比。

英飞凌硅功率 MOSFET 针对开关电源、DC-DC 转换器、家用太阳能逆变器和电机驱动器等主要应用进行了高度优化。英飞凌拥有最多元的 Si MOSFET 产品组合,可针对特定应用需求进行各种优化定制,并提供易于使用且可靠耐用的 MOSFET。英飞凌硅功率 MOSFET 在卓越性能方面树立了行业标杆。这些产品以最新的 MOSFET 技术为基础,在开关、热性能和导通电阻方面具有出色的性能,可满足客户的各种需求。英飞凌硅功率 MOSFET 符合最高的质量和保护标准,可确保产品可靠性、可靠的系统正常运行时间和久经考验的电源稳定性。

硅 MOSFET 市场是功率半导体行业最大的元件市场之一。英飞凌是高性能功率 MOSFET 领域史无前例的领导者,以 MOSFET 作为标准元件和优化定制元件,为各种应用提供服务。英飞凌凭借优化的技术和工艺以及业内最大的 12 英寸晶圆厂规模经济,在最佳性价比、业务便利性和缩短产品上市时间等方面表现出色。

英飞凌功率 MOSFET 技术蓝图正在推动行业创新,例如它可实现新的电源转换拓扑结构,如采用 150 V MOSFET 的多电平 AC-DC 转换器,或将电子保险丝等功能与保护电路集成在一起。我们正在进一步创新,在一个封装中定制 MOSFET,或根据我们产品更好的散热能力(例如源极向下封装)推进散热概念。最先进的创新技术,如全球首创的 20 微米硅晶片技术,就是英飞凌技术实力的最好证明。诸如以最可靠、最高效的方式为人工智能数据中心供电等趋势性应用,需要在整个电力流的多个转换步骤中采用优化的硅技术。英飞凌硅技术以其高可靠性,以及覆盖多散热方案的丰富封装组合,为该应用场景提供核心支持。英飞凌的芯片专家拥有丰富的经验,在全球范围内快速满足客户的最高要求。英飞凌的创新与功率开关、控制和转换领域的性能、可靠性和易用性密切相关,从而加快为客户创造价值。

英飞凌硅 MOSFET 实现了可提高系统效率和功率密度的电源解决方案。这些器件经过专门优化,可满足个性化系统的要求,在降低整体系统成本的同时,推动客户在市场上取得成功。根据应用需求,英飞凌提供业界领先的功率开关产品组合,涵盖硅( CoolMOS™ 、 OptiMOS™ 、StrongIRFET ™ )、碳化硅及氮化镓技术,配套最全功率封装方案,并整合专用系统集成电路(如EiceDRIVER™ 栅极驱动器系列)与专有的功率转换拓扑。

凭借成熟的技术和稳定的供应,英飞凌在全球范围内实现了可靠的性能。英飞凌非常注重高质量标准和长期可用性。公司拥有全球最大的硅功率 MOSFET 生产能力,通过六个前端工厂和十个后端工厂的双工厂概念,以及满足区域需求的弹性供应链网络,可为所有市场的大多数技术提供服务,从而确保为客户的需求提供高度稳定的供应。

英飞凌是硅功率 MOSFET 和电源系统的全球市场和技术领导者。英飞凌拥有业界最多样的产品和封装组合,可满足从低压到高压的任何应用,并提供硅、碳化硅和氮化镓解决方案的全套电源系统,具有市场上最佳的性价比。英飞凌 MOSFET 的设计旨在为电源开关、控制和转换提供一流的性能、可靠性和易用性。英飞凌的硅技术是业界的标杆。

英飞凌超薄硅晶片技术 - 生产现场的晶片图像
英飞凌超薄硅晶片技术 - 生产现场的晶片图像
英飞凌超薄硅晶片技术 - 生产现场的晶片图像

英飞凌在加工直径为 300 毫米的最薄硅功率晶片方面取得了突破性进展,晶片厚度仅为 20 微米。这种晶圆比头发丝还细,厚度仅为目前最先进晶圆的一半,这使得英飞凌能够突破半导体技术的技术极限,为客户提供卓越的价值。

硅超薄晶片将有助于大幅提高人工智能数据中心、消费、电机控制和计算应用中电源转换解决方案的能效、功率密度和可靠性。

作为电力系统的领导者,英飞凌掌握了所有三种相关的半导体材料,在硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)方面拥有丰富的产品组合。英飞凌根据客户的要求提供支持,为所有电压等级和应用提供互补或单一用途的解决方案,充分利用硅、碳化硅和氮化镓的所有优势,加快实现客户价值。

Si SiC GaN 应用可视化 - 选定目标应用概述
Si SiC GaN 应用可视化 - 选定目标应用概述
Si SiC GaN 应用可视化 - 选定目标应用概述

OptiMOS™ 功率 MOSFET 可达到同类最佳的性能、最高的效率和功率密度。
StrongIRFET™ 功率 MOSFET专为坚固耐用的工业应用而设计,非常适合低开关频率的设计以及需要高载流能力的设计。

CoolMOS™ MOSFET 具有出色的换向稳定性,可满足各种电压等级的需求,从而提高效率和易用性,同时显著降低开关损耗和导通损耗。

通过本入门指南了解有关 MOSFET 技术的更多信息,并深入研究 MOSFET 的结构、N 沟道 MOSFET 的工作模式、电流-电压曲线等。

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