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P 沟道功率 MOSFET

使用英飞凌的 P 沟道功率 MOSFET 简化中低功率应用的设计复杂性

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概述

英飞凌的 P 沟道 MOSFET 是一种极具吸引力的解决方案，通常用于负载开关的设计。P 沟道解决方案在高压侧的简单性有利于低压驱动和空间受限系统中的非隔离负载点等应用。作为高压侧开关，P 沟道 MOSFET 简化了驱动电路，是一种性价比很高的解决方案。

关键特性

  • 降低了设计复杂性
  • 易于与微控制器连接
  • 快速开关
  • 雪崩耐用性
  • 标准与逻辑驱动可选
  • 行业标准封装

产品

关于

P 沟道功率 MOSFET 电压等级

英飞凌的 P 沟道功率 MOSFET 的耐压范围广，电压等级从 -12 V 到 -250 V，可满足各种设计要求。P 沟道增强型功率 MOSFET 简化了电路设计并优化了系统性能，是中低功率应用的理想之选。

P 沟道功率 MOSFET（包括 -12 V 耐压）非常适合电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器和低压电机驱动器等应用。此外，P 沟道 MOSFET（如 -30 V 耐压）常用于笔记本电脑和手机等消费类电子产品，可为您的设计提供性能和简便性的平衡。

-12 V 和 -20 V P 沟道 MOSFET 采用行业标准表贴功率封装。-30 V 和 -40 V 器件供货已经过优化，支持客户通过广大的分销合作伙伴采购。

使用产品选型工具选择最适合您需求的 P 沟道 MOSFET。

P 沟道功率 MOSFET 产品封装

P 沟道 MOSFET 产品采用多种封装，包括 D²PAK、DPAK、IPAK、I2PAK、PQFN、SOT-223、TO-220、TO-247、SOT-23、TSOP-6 和 SuperSO8 等。

使用产品选型工具选择适合您设计的封装。

P 沟道功率 MOSFET 的应用

英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合。

工业应用：英飞凌丰富的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合非常适合各种工业应用，包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、板载充电器、电机控制和低压电机驱动器。

汽车应用：英飞凌拥有各种型号的 P 沟道功率 MOSFET 产品，这些产品专为汽车应用而设计且符合 AEC 标准。

查找符合汽车级标准的 P 沟道 MOSFET
应用中 P 沟道和 N 沟道 MOSFET 的比较

当用作高压侧开关时，N 沟道 MOSFET 需要隔离栅极驱动器或脉冲变压器驱动。驱动器需要额外的电源，而变压器有时会出错。另一方面，P 沟道 MOSFET 可通过简单的电平转换电路驱动轻松实现高压侧开关，从而简化了电路并降低了总体成本。

了解 N 沟道 MOSFET

P 沟道功率 MOSFET 电压等级

英飞凌的 P 沟道功率 MOSFET 的耐压范围广，电压等级从 -12 V 到 -250 V，可满足各种设计要求。P 沟道增强型功率 MOSFET 简化了电路设计并优化了系统性能，是中低功率应用的理想之选。

P 沟道功率 MOSFET（包括 -12 V 耐压）非常适合电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器和低压电机驱动器等应用。此外，P 沟道 MOSFET（如 -30 V 耐压）常用于笔记本电脑和手机等消费类电子产品，可为您的设计提供性能和简便性的平衡。

-12 V 和 -20 V P 沟道 MOSFET 采用行业标准表贴功率封装。-30 V 和 -40 V 器件供货已经过优化，支持客户通过广大的分销合作伙伴采购。

使用产品选型工具选择最适合您需求的 P 沟道 MOSFET。

P 沟道功率 MOSFET 产品封装

P 沟道 MOSFET 产品采用多种封装，包括 D²PAK、DPAK、IPAK、I2PAK、PQFN、SOT-223、TO-220、TO-247、SOT-23、TSOP-6 和 SuperSO8 等。

使用产品选型工具选择适合您设计的封装。

P 沟道功率 MOSFET 的应用

英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合。

工业应用：英飞凌丰富的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合非常适合各种工业应用，包括电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器、板载充电器、电机控制和低压电机驱动器。

汽车应用：英飞凌拥有各种型号的 P 沟道功率 MOSFET 产品，这些产品专为汽车应用而设计且符合 AEC 标准。

查找符合汽车级标准的 P 沟道 MOSFET

应用中 P 沟道和 N 沟道 MOSFET 的比较

当用作高压侧开关时，N 沟道 MOSFET 需要隔离栅极驱动器或脉冲变压器驱动。驱动器需要额外的电源，而变压器有时会出错。另一方面，P 沟道 MOSFET 可通过简单的电平转换电路驱动轻松实现高压侧开关，从而简化了电路并降低了总体成本。

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