工业电机驱动和控制

低功率、中功率和高功率电机驱动器解决方案

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关于

工业电机驱动和控制装置的功率开关

我们为您提供广泛的高效半导体产品组合，这些产品针对电机控制进行了优化。您可以依靠我们的智能电源模块 (IPM) 和分立器件实现低功耗范围内的智能设计。对于中等功率的驱动器，我们的 EasyPIM™、EasyPACK™ 和 EconoPIM™ 模块是最佳选择。在大功率范围，EconoDUAL™ 和 PrimePACK™ 是首选解决方案。PrimePACK™ 模块与创新的.XT 互连技术相结合，可通过提高热循环和功率循环能力来延长使用寿命，从而帮助设计人员克服过高评级的难题。

我们产品组合的亮点包括专为驱动应用需求量身定制的 TRENCHSTOP™ IGBT7 模块。TRENCHSTOP™ IGBT7 器件非常适合通用驱动 （GPD） 应用，采用各种经过验证的封装，可提高功率密度、可控性和过载能力，从而降低成本和节省时间。对于高速驱动器和逆变器集成，我们的 CoolSiC™ MOSFET 是一种极具吸引力的解决方案，因为它们可降低开关和导通损耗，尤其是在部分负载条件下。

有关 IGBT 的更多信息
有关 MOSFET 的更多信息
用于工业电机驱动、控制的栅极驱动器和微控制器

作为功率半导体的补充，我们还为所有硅和碳化硅 (SiC) 器件提供栅极驱动器集成电路。我们广泛的 EiceDRIVER™ 产品组合从基本功能到增强功能一应俱全。为了完善这一产品，使您的设计为工业 4.0 做好准备，我们通过 XMC™ 微控制器支持不断增长的连接需求。 

关于栅极驱动 IC 的更多信息
有关微控制器的更多信息
工业电机驱动、控制的安全和传感器解决方案

我们推荐具有最高安全标准的 OPTIGA™ Trust 解决方案。这些设备可以与我们的XENSIV™系列传感器结合使用，为您的设计带来更多的感官智能，并实现预测性维护等创新功能。

关于 OPTIGA™ Trust的更多信息
关于XENSIV™ 的更多信息
驱动应用的特点和优势

电机驱动系统独特而具体的要求需要采用全新的 IGBT 设计方法。有了合适的 IGBT 技术，就有可能制造出定位更好的模块来满足这些需求。英飞凌在其最新一代 IGBT 技术（即 IGBT7）中采用了这种方法。

在芯片级，IGBT7 采用微图案沟槽 (MPT)，其结构大大降低了正向电压，提高了漂移区的导电率。对于电机驱动等开关频率适中的应用，IGBT7 可显著降低前几代产品的损耗。与上一代产品（IGBT4）相比，IGBT7 的另一项改进是采用了续流二极管，并针对驱动应用进行了优化。现在，发射极控制二极管 EC7 的正向压降比 EC4 二极管的正向压降低 100 mV，反向恢复软度得到改善。 

了解有关 IGBT7 的更多信息
用于工业驱动的碳化硅解决方案

随着各行各业越来越多地使用自动化，对伺服电机的需求也相应增加。它们能够将精确的运动控制与高扭矩水平相结合，因此非常适合自动化和机器人技术。

英飞凌利用自身的制造专长和长期经验，开发出了一种 SiC 沟槽技术，其性能高于 IGBT，但坚固性不相上下，例如短路时间仅为 2 µs 甚至 3 µs。英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 还解决了 SiC 器件固有的潜在问题，如不必要的电容性导通。此外，SiC MOSFET 采用行业标准的 TO-247-3 封装，现在又采用了开关性能更好的 TO-247-4 封装。此外，CoolSiC™ MOSFET 还采用 SMD 封装 TO-267-7。除了这些 TO 封装外，SiC MOSFET 还提供 Easy 1B、Easy 2B 和 62 mm 封装。 

关于 CoolSiC™

工业电机驱动和控制装置的功率开关

我们为您提供广泛的高效半导体产品组合，这些产品针对电机控制进行了优化。您可以依靠我们的智能电源模块 (IPM) 和分立器件实现低功耗范围内的智能设计。对于中等功率的驱动器，我们的 EasyPIM™、EasyPACK™ 和 EconoPIM™ 模块是最佳选择。在大功率范围，EconoDUAL™ 和 PrimePACK™ 是首选解决方案。PrimePACK™ 模块与创新的.XT 互连技术相结合，可通过提高热循环和功率循环能力来延长使用寿命，从而帮助设计人员克服过高评级的难题。

我们产品组合的亮点包括专为驱动应用需求量身定制的 TRENCHSTOP™ IGBT7 模块。TRENCHSTOP™ IGBT7 器件非常适合通用驱动 （GPD） 应用，采用各种经过验证的封装，可提高功率密度、可控性和过载能力，从而降低成本和节省时间。对于高速驱动器和逆变器集成，我们的 CoolSiC™ MOSFET 是一种极具吸引力的解决方案，因为它们可降低开关和导通损耗，尤其是在部分负载条件下。

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用于工业电机驱动、控制的栅极驱动器和微控制器

作为功率半导体的补充，我们还为所有硅和碳化硅 (SiC) 器件提供栅极驱动器集成电路。我们广泛的 EiceDRIVER™ 产品组合从基本功能到增强功能一应俱全。为了完善这一产品，使您的设计为工业 4.0 做好准备，我们通过 XMC™ 微控制器支持不断增长的连接需求。 

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工业电机驱动、控制的安全和传感器解决方案

我们推荐具有最高安全标准的 OPTIGA™ Trust 解决方案。这些设备可以与我们的XENSIV™系列传感器结合使用，为您的设计带来更多的感官智能，并实现预测性维护等创新功能。

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驱动应用的特点和优势

电机驱动系统独特而具体的要求需要采用全新的 IGBT 设计方法。有了合适的 IGBT 技术，就有可能制造出定位更好的模块来满足这些需求。英飞凌在其最新一代 IGBT 技术（即 IGBT7）中采用了这种方法。

在芯片级，IGBT7 采用微图案沟槽 (MPT)，其结构大大降低了正向电压，提高了漂移区的导电率。对于电机驱动等开关频率适中的应用，IGBT7 可显著降低前几代产品的损耗。与上一代产品（IGBT4）相比，IGBT7 的另一项改进是采用了续流二极管，并针对驱动应用进行了优化。现在，发射极控制二极管 EC7 的正向压降比 EC4 二极管的正向压降低 100 mV，反向恢复软度得到改善。 

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用于工业驱动的碳化硅解决方案

随着各行各业越来越多地使用自动化，对伺服电机的需求也相应增加。它们能够将精确的运动控制与高扭矩水平相结合，因此非常适合自动化和机器人技术。

英飞凌利用自身的制造专长和长期经验，开发出了一种 SiC 沟槽技术，其性能高于 IGBT，但坚固性不相上下，例如短路时间仅为 2 µs 甚至 3 µs。英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 还解决了 SiC 器件固有的潜在问题，如不必要的电容性导通。此外，SiC MOSFET 采用行业标准的 TO-247-3 封装，现在又采用了开关性能更好的 TO-247-4 封装。此外，CoolSiC™ MOSFET 还采用 SMD 封装 TO-267-7。除了这些 TO 封装外，SiC MOSFET 还提供 Easy 1B、Easy 2B 和 62 mm 封装。 

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